Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Левинштейн М.Е. -> "Эффект Ганна " -> 143

Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.

Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна — М.: Советское радио, 1975. — 288 c.
Скачать (прямая ссылка): effektganna1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 137 138 139 140 141 142 < 143 > 144 145 146 147 148 149 .. 159 >> Следующая

1969, v. 13, p. 554-561.
56. Ridley В. K., Watkins Т. B. The possibility of negative resistance
effects in semiconductors. - "Proc. Phys. Soc." (London), 1961, v. 78, p.
293-304.
56. Кастальский А. А., Рыбкин С. M.
Г анн-эффект в одноосно сжатом германии. - "ФТП", 1967, т. 1, вып. 4, с.
622-625.
57. Asche М., Sarbei О. G. Current oscillations in n-type silicon. -
"Phys. Stat. Solidi (a)", 1971, v. 8, № 1, p. K61-K62.
58. Gram N. O. Measurement of bulk negative differential conductivity
in n-type silicon.-"Phys. Lett.", v. 38A, № 4, p. 235-236.
59. Jorgensen М. H., Gram N. O., Mey-
er N. I. Negative differential conductivity and current oscillations in
lightly doped n-type silicon. - "Sol.-St. Comm.", 1972, v. 10, №
4,
p. 337-340.
СПИСОК ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Yoshto N., Akinori S., Tadahiro O. Domain Transit-mode oscillation
in planar-type Gunn Device of InP. - "Proc. IEEE", 1974, v. 62, № 1, p.
142-143.
2. Bauhahn P. E" Haddad G. I. Mas-nary N. A. Comparison of the Hot
Electron Diffusion Rates for GaAs and InP. - "Electron Lett.", 1973, v.
9, № 19, p. 460-461.
3. Inoue М. V-E Characteristics in III-V Mixed Crystals GaSbxAi-* and
InxGai-xAs. - "Japan. Appl. Phys.", 1973, v. 12, № 6, p. 932.
4. Hayes R. E. Measurement of the velocity-field characteristic of
indium phosphide by microwave absorption technique. - "IEEE Trans.",
1974, v. ED-21, № 3, p. 233-235.
5. Hojo A., Kuru I. Gunn effect in In^Gai-^Sb.-"Electron. Lett.",
1974, v. 10, № 6, p. 61-62.
6. Hillbrand H. A. High-frequency behavior of electron transfer in InP
and GaAs from a dynamical Monte-Carlo study. - "J. Phys. C. Sol.-St.",
1972, v: 5, № 24, p. 3491-3501.
7. Heaton HI J. L., Hammond G. H., Goldner R. B. Time-flight mobility
and trapping results for ZnSe. - "Appl. Phys. Lett.", 1972, v. 20, № 9,
p. 333-336.
8. Alberigi Quarantra A., Borsari V., Jacoboni C., Zanarini G.
Electron diffusion in CdTe.-"Appl. Phys. Lett.",
1973, v. 22, № 3, p. 103-105.
К главе 5
1. Levinshtein М. E., Nasledov D. N., Shur M. S. Magnetic field
influence on the Gunn effect. - "Phys. Stat. Solidi", 1969, v. 33, № 2,
p. 897-903. Levinshtein М. E., Lvova Т. V., Nasledov D. N., Shur M. S.
Magnetic field influence on the Gunn effect (11). - "Phys. Stat. Solidi
(a)",
1970, v. 1, № 1, p. 177-187.
2. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V
групп. М., "Мир", 1967, с. 174- 183.
3. McCumber D. Е., Chynoweth A. G.
Theory of negative-conductance amplification and of Gunn instabilities in
"two-valley" semiconductors. - "IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № 1, p. 4-
21.
4. Boardman A. D., Fawcett W., Ruch J. G. Monte-Carlo determination of
hot electron galvanomagnetic effects in gallium arsenide. - "Phys.
270
Stat. Solidi (a)", 1971, v. 4, № 1, p. 133-141.
5. Heinle W. Influence of magnetic field on the Gunn effect
characteristic of GaAs. - "Phys. Stat. Solidi (ab, 1970, v. 2, № 1, p.
115-121.
6. Левинштейн М. E. Канд. дисс. Теоретические и экспериментальные
исследования эффекта Ганна в GaAs. Л., ФТИ, 1970.
7. Law Н. С., Као К- С. High-field galvanomagnetic effects in two-
valley я-type semiconductors. - "Sol.-St. Electron", 1970, v. 13, № 9, p.
1223- 1230.
8. Guetin P., Hervouet C. Decrease of the apparent threshold of the
Gunn effect by transverse magnetic field.- "Proc. IEEE (Letters)", 1968,
v. 56, № 9, p. 1597-1598.
9. Воробьев В. H., Шинкарёва Л. П. Влияние геометрии образца на
пороговое напряжение эффекта Ганна в поперечном магнитном поле. - "Ф'ГП",
1971, т. 5, с. 952-953.
10. Acket G. A. Determination of the Holl mobility of hot electrons in
gallium arsenide using 8-mm microwaves.- "Phys. Lett.", 1967, v. 25A,
Sept. № 5, p. 374-376.
П. Прохоров Э. Д., Шалаев В. Л. Влияние магнитного поля на генерируемые
доменом сильного поля носители в условиях ударной ионизации при эффекте
Ганна. - "ФТП",
1970, т. 4, в. 10, с. 1993-1995.
12. Lees J., Wasse М. P., Kinjr G. Inter-band carrier transfer in GaAs
at high pressures. - "Sol.-St. Comm.", 1967, v. 5, № 7, p. 521-523.
13. Keyes R. W. The effects of hydrostatic pressure on the properties
of III-V semiconductors. - "Semiconductors and Semimetals", New York-
London, 1968, v. 4, p. 327- 342.
14. Inotie М., Nakade Y., Shirafuji J., Inuishi Y. Temperature
dependence of the velocity-field characteristic in n-tvpe GaAs.-"J. Phys.
Soc. Japan.",
1972, v. 32, № 4, p. 1010-1018.
15. Thim H. W. Potential distribution and field dependence of electron
velocity in bulk GaAs measured with a point-contact probe. - "Electron.
Lett.", 1966, v. 2, № 20 (Novemb.), p. 403-405.
Thim H. W. Temperature effects in bulk GaAs amplifiers. - "IEEE Trans.",
1967, v. ED-14, № 2,
p. 59-62.
16. Haydl W. H., Solomon R. The effect of illumination on Gunn
oscillations in epitaxial GaAs. - "IEEE Trans.",
1968, v. ED-15, № 11, p. 941-942.
17. Sewell К G., Boatner L. A. Multimode operation in Gunn oscillators
induced by cooling and illumination. - "Proc. IEEE (Correspondence)",
Предыдущая << 1 .. 137 138 139 140 141 142 < 143 > 144 145 146 147 148 149 .. 159 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed