Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
1753- 1760.
16. Волков А. Ф. Волны в полупроводниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением. - "ФТТ",
1966, т. 8, вып. 11, с. 3187-3195.
17. Volkov A. F. Steady-state waves in semiconductors with negative
differential resistance. - "Phys. Lett.",
1966, v. 20, № 6. p. 598-600.
18. Knight B. W., Peterson G. A. Theory of the Gunn effect. - "Phys.
Rev.",
1967, v. 155, № 2, p. 393-405.
19. Butcher P. N., Fawcett W., Hiisum C. A simple analysis of stable
domain propagation in the Gunn effect.- "Bril. J. Appl. Phvs.", 1966, v.
17, № 7, p. 841-850.
20. Bonch-Bruevich V. L. On the theory of electrical domains in hot
electron semiconductors. Proc. Internet. Conf. Semiconri., 1966, Kyoto. -
"J. Phys. Soc. Japan", v. 21, SuppL, p. 505- 5(18.
266
21. Gelmont В. L., Shur М. C. Analytical theory of stable domains in
high-doped Gunn diodes. - "Electron. Lett.", 1970, v. 6, № 12, p. 385-
387.
22. Ruch J. G., Kino G. S. Transport properties of GaAs.-"Phys. Rev.",
1968, v. 174, № 3, p. 921-931.
23. Heinle W. Principles of a phenomenological theory of Gunn
oscillator.- Sol.-St. Elsctron.", 1968, v. 11, № 6, p. 583-598.
24. Levinstein М. E., Shur M. S. Behaviour oi the high-field domains
below the voltage of the nucleation threshold.-¦ "Phys. Stat. Solidi",
1968, v. 28, № 2, p. 827-834.
25. Butcher P. N., Fawcett W. Stable domain propagation in the Gunn
effect. - "Brit. J. Appl. Phys.", 1966, v. 17, № 11, p. 4425-1432.
26. Copeland J. A. Stable space-charge layers in two-valley
semiconductors.- "J. Appl. Phys.", 1966, v. 37, № 8, p. 3602-3609.
;7. Butcher P. N., Fawcett W., Ogg N. R. Effect of field-dependent
diffusion on stable domain propagation in the Gunn effect. - "Brit. J.
Appl. Phys.",
1967, v. 18, № 6, p. 755-759.
28. Owens J., Kino G. S. Theoretical study of Gunn domains and domain
avalanching. - "J. Appl. Phys.", 1971, v. 42, № 12, p. 5006-5018.
29. Gunn J. B. Instabilities of current in III-V semiconductors. - "J.
Res. Dev.", 1964, v. 8, № 2, p. 141-159.
30. Gunn J. B. On the shape of traveling domains in gallium arsenide. -
"IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, №10, p. 720-721.
31. Kuru J., Robson R. N., Kino G. S. Some measurements of the steady-
state and transient characteristics high-fisld dipole domains in GaAs.-¦
"IEEE Trans.", 1968, v. ED-15, № 1, p. 21-29.
22. Bastida E. М., Fabri G., Svelto V., Vaghi F. Indirect electron
drift velocity versus electric field measurement in GaAs.- "Appl. Phys.
Lett.", 1971, v. IS, № 1, p. 28-31.
33. Kurokawa K. Transient behavior of high-field domains in bulk
semiconductors.- "Proc. IEEE", 1967, v. 55, № 9, P- 1615-1616.
34. Шур М. С. О времени изменения параметров домена сильного поля при
малых изменениях напряжения смещения. - "ФТТ", 1968, т. 10, № 10, с.
3138-3142.
Аналитическая теория динамики ганновских доменов. - "ФТП", 1973, т. 7, №
6, с. 1178-1183.
35. Robrock R. Effects of device parameters on domain dynamics in bulk
GaAs. - "Proc. IEEE", 1970, v. 58, № 6, p. 804-805.
36. Волков А. Ф., Коган Ш. М. Физические явления в полупроводниках с
отрицательной дифференциальной проводимостью.-"УФН", 1968, т. 96, вып. 4,
с. 633-672.
37. Butcher P. N., Rowlands G. Stability of Gunn domains. - "Phys.
Lett.", v. 26 A, № 6, p. 226-227.
38. Thim H. W. Linear microwave amplification with Gunn oscillators.-
"IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 2, p. 59-62.
39. Kennedy W. K-, Eastman L. F. High power pulsed microwave generation
in gallium arsenide. - "Proc. IEEE (Correspondence)", 1967, v. 55, № 3 p.
434-435 .
40. Thim H. W. Computer study of bulk GaAs devices with random and
dimensional doping fluctuations. - "J. Appl. Phys.", 1968, v. 39, № 8, p.
3897-3904.
41. Barber M. R. Investigation of the
high-field domain parameters in я-GaAs. - In.: Int. Sol.-St. Circ.
Conf., 1967, Digrst of tech'n. papers, p. 36-38.
42. Абкевич И. И., Латинис В. С. Колебания тока в арсениде галлия при
иидуктивно-резистивной нагрузке. - "Радиотехника и электроника", 1969, т.
14, вып. 10, с. 1910-1912.
43. Heeks !. S., Woode A. D. Localized temporary increase in material
conductivity following impact ionization in a Gunn-effect domain. - "IEEE
Trans.", 1967, v. ED-14, № 9, p. 512- 517.
44. Rope J. P. Etude experimental de la dynamique des domaines de haut
champ electrique dans le couplage electronphonon. - "Phys. Stat. Soli-
di", 1967, v. 21, № 2, p. 517-524.
45. Heeks J. S. Some properties of the moving high-field domain in Gunn
effect devices. - "IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № 1, p. 68-79.
46. Christensson S., Lundstrom I., Mark-lund I., Jeppson B. Simple
model for electron-hole veneration and switching mechanisms in "-type
GaAs diodes.- "Electron. Lett.", 1967, v. 3, № Ц p. 507-509.
47. Анисимов С. И., Мельников В. М., Рашба Э. И. Об одной модели в
теории эффекта Ганна. - "Письма в ЖЭТФ", 1968, т. 7, вып. 7, с. 253- 255.
48. Chynoweth A. G., Feldman W. L., McCumber D. Е. Mechanism of the
