Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
дифференциальная проводимость арсенида галлия при нагреве электронов СВЧ
полем. - "ФТП", 1967, т. 1, № 9, с. 1445-1447.
32. Braslau N. Velocity-field characteristic of gallium arsenide from
measurement of the conductivity in a microwave field. - ""Phys. Lett.",
1967" v. 24 A, № 10, p. 531-533.
33. Cohen L. D. A microwave evaluation of the velocity-field
characteristic in different regions of individual epitaxial gallium-
arsenide layers. - "Proc. IEEE", 1969, v. 57, № 7, p. 1299-1301.
34. Carlin H. J., Pozhela Y. K. Some remarks on microwave excitation of
dc by hot electrons in germanium.- "Proc. IEEE", 1965, v. 53, № 11, p.
1788-1790.
35. Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс, "Минтис", 1971.
36. Zucker J., Fowler W. J., Con-well E. M. High-field conductivity in
germanium and silicon at micro' wave frequences. - "J. Appl. Phys.",
1961, v. 32, № 12, p. 2606-2611.
37. Gunn J. B. High-electric field effects in semiconductors. -
"Progress in Semiconductors", 1957, v. 2, p 211- 235.
38. Glover G. H. Effects of doping profile on the measured velocity-
electric field characteristic of л-type GaAs. - "Appl. Phys. Lett.",
1970, v. 17, №11. p. 472-474.
39. Gunn J. B., Elliot B. J. Measurement of the negative differential
mobility of electrons in GaAs. - "Phys. Lett.",
1966, v. 22, № 4, p. 369-371.
40. Elliott B. J. Measurement of the drift velocity of electrons in
GaAs. In.: Proc. Inst. Phys. and Phys. Soc. inst. Electr. Eng. Conf. on
Sol.-St. Dev., Manchester, 1967, p. 112.
41. Robson P. W., Kino G. S., Fay B. Two-port microwave amplification
in long samples of GaAs. - "IEEE
265
Trans.", 1967, v. ED-14, № 9,
p. 612-615.
42. Fay B., Kino G. S. A new measurement of the velocity-field
characteristic of GaAs. - "Appl. Phys. Lett.",
1969, v. 15, № 10, p. 308-309.
43. Neukermans A., Kino G. S. Measurement of the electron velocity-
field characteristics in germanium using a new technique. - "Phys. Rev.",
1973, v. 7, № 6, p. 2693-2703.
ОПИСОК ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Ashida K-, Inoue М., Shiraiuji J.,
Inuishi Y. Relaxation effects due to energy loss and intervallay transfer
of hot electrons in GaAs. - "J. Phys. Soc. Japan", 1973, v. 35, №
5,
p. 1557-1562.
2. Бородовский П. А., Зименков В. A., Лазакова А. Г. О влиянии
поперечного магнитного поля на междолин-ный переход электронов в арсениде
галлия. - "ФТП", 1974, т. 8, № 4, т. 769-773.
3. Fawcett W., Herbert D. С. High-Field Transport in Gallium Arsenide
and Indium Phosphide. - "J. Phys. С", 1974, v. 7, № 9, p. 1641-1654.
4. Nag N. R. Hot electron diffusion.- "Phys. Lett.", 1974, v. 48A, №
1, p. 5-6.
5. Banhahn P. E., Haddad G. I., Mas-
nari N. A. Comparison of hot elec-tron-diffusion rates for GaAs and InP.
- "Electron. Lett.", 1974, v. 9, № 19, p. 460-461.
К главе 3
1. Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Миронов А. Ч. Доменная
электрическая неустойчивость в полупроводниках. М., "Наука", 1972.
2. Бонч-Бруевич В. JI., Серебренников П. С. К вопросу о типах доменной
электрической неустойчивости в полупроводниках с горячими электронами. -
"Радиотехника и электроника", 1969, т. 14, вып. 9, с. 1648-1655.
3. McCumber D. Е., Chynoweth A. G. Theory of ncgative-conductance
amplification and of Gunn instabilities in "two-valiey" semiconductors.-
"IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № 1, p. 4-21.
4. Hakki B. W. Amplification in two-vallev semiconductors. - "J. Appl.
Phys!", 1967, v. 38, № 2, p. 808.
5. Gras! К. М., Zimmer! O. F. Frequency behaviour of space-eharge-wave
amplifiers in GaAs. - "Phys. Stat. Solidi (a)", 1970, v. 2, № 2,'p. 391-
405.
6. Kroemer H. Detailed theory of the negative conductance of bulk
negative mobility amplifiers in the limit of zero ion density. - "IEEE
Trans.", 1967, v. ED-14, № 9, p. 476-492.
7. Kroemer H. Non-linear space-charge domain dynamics in a
semiconductor with negative differential mobility.- "IEEE Trans.", 1966,
v. ED-13, № 1, p. 27-40.
8. Holmstrom R. Small-signal behavior of Gunn diodes. "IEEE Trans.",
1967, v. ED-14, № 9, p. 526-531.
9. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. Пер. с англ. М., "Мир",
1966.
10. Thim Н. W., Barber М. R., Hakki В. М., Knight S., Uenohara М.
Microwave amplification in a dc-bia-sed bulk semiconductor. - "Appl.
Phys. Lett.", 1965, v. 7, № 9, p. 167- 168.
11. Thim H. W., Barber M. R. Microwave amplification in a GaAs bulk
semiconductor.-"IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № 1, p. 110-114.
12. McWhorter A. L., Foyt A. G. Bulk GaAs negative conductance
amplifiers.- "Appl. Phys. Lett.", 1966, v. 9, № 8, p. 300-302.
13. Боголюбов H. H., Митропольский Ю. А. Асимптотические методы в
теории нелинейных колебаний. М., Физматгиз, 1963.
14. Баренблатт Г. И., Зельдович Я. Б. Об устойчивости распространения
пламени. - "Прикладная математика и механика", 1957, т. 21, вып. 6, с.
856-859.
15. Бонч-Бруевич В. Л. О движении электрических доменов в
полупроводниках с горячими электронами.- "ФТТ", 1966, т. 8, вып. 6, с.
