Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
14. Heeks J. S., Wood A. D., Sandbank C. P. Coherent high field
oscillations in samples of GaAs. - "Proc. IEEE", 1965, v. 53, № 5, p. -
554-955.
15. McCumber D. E., Chynoweth A. G. Theory of negative-conductance
amplification and of Gunn instabilities in "two-valley", semiconductors.
-
"IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № i, p. 4-21.
СПИСОК ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Copeland J. A., Knight S. Applications utilizing bulk negative
resistance. - Semicond. and Semimetals",
1971, v. 7, p. A, p. 3-146.
К главе 2
1. Займан Д. Принципы теории твердого тела. Пер. с англ. М., "Мир",
1966.
2. Келдыш JI. В. Диаграммная техника для неравновесных процессов."-
"ЖЭТФ", 1964, т. 47, вып. 4 (10), с. 1515-1527.
3. Fawcett W., Rees Н. D. Calculation of the hot electron diffusion
rate for GaAs. - "Phys. Lett.", 1969, v. 29 A, № 10, p. 578-579.
4. Ruch J. G., Fawcett W. Temperature dependence of the transport
properties of gallium arsenide by a Monte-Carlo Method. - "J. Appl.
Phys.",
1970, v. 41, № 9, p. 3843-3849.
5. Fawcett W., Boardman A. D., Swain S. Monte-Carlo determination of
electron transport properties in gallium arsenide. - "J. Phys. Chem.
Sol.", 1970, v. 31, № 9, p. 1963-1990.
6. Kurosawa T. Monte-Carlo calculation of hot electron problems. Proc.
Int. Conf. Semiconductors, Kyoto, 1966.- "J. Phys. Soc. Japan", 1966, v.
21, Suppl., p. 424-426.
7. Conwell E. М., Vassel M. O. High
field distribution in GaAs. - "IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № 1,
p. 22-27.
8. James L. W., Eden R. C., Moll J. L., Spicer W. E. Location of the
Li and Хз minima of GaAs as determined by photoemission studies. - "Phys.
Rev.", 1968, v. 174, № 3, p. 909-910.
9. Спайсер У. E., Иден P. К. Фото-эмиссионные исследования зонной
структуры полупроводников.-В кн.: Труды IX межд. конф. по физике
полупроводников. Москва, 1968, М., "Наука", 1969, с. 68-96.
10. Ehrenreich Н. Band structure and electron transport of GaAs. --
"Phys. Rev.", 1960, v. 120, № 6, p. 1951- 1963 .
11. Ruch J. G., Kino G. S. Transport properties of GaAs. - "Phys.
Rev.",
1969, v. 174, № 3, p. 921-931.
112. Braslau N., Hauge P. S. Microwave measurement of the velocity field
characteristic of GaAs. - "IEEE Trans.", 1970, v. ED-17, № 8,
p. 616-622.
264
13. Acket G. A. Microwave Hall mobility of hot electrons in gallium
arsenide.-"Philips Res. Repts", '1967, v. 22, № 6, p. 541-552.
14. Барейкис В., Пожела Ю., Матулене-не И. Б. Шумы и диффузия горячих
носителей тока в дырочном германии. В кн.: Труды IX межд. конф. по физике
полупроводников. Т. 2. Москва, 1968, М., "Наука", 1969, с. 805-808.
15. Гуревич В. JI. О флюктуации тока в полупроводниках вблизи
неравновесного стационарного состояния. - "ЖЭТФ", 1962, т. 43, вып.
5(11), с. 1771-1781.
16. Rees Н. D. Hot electron effects at microwave frequency in GaAs. -
"J. Phys. Chem. Sol.", v. 30, № 2, p. 643-648.
17. Acket G. A., Lam H. Т., Heinle W. The low-temperature velocity-
field characteristic of n-type gallium arsenide. - "Phys. Lett.", 1969,
v. 29A, № 10, p. 596-597.
18. Boctock P. A., Walsh D. Variation of velocity-field curve of GaAs
in the temperature range 40-180°C.- "Electron Lett.", 1969, v. 5, № 24,
p. 623-624.
19. Rees H. D. Hot electron effects at microwave frequencies in GaAS. -
"Sol.-St. Comm.", 1969, v. 7, № 2, p. 267-269.
20. Vlaardingerbroek М. Т., Kuypers W., Acket G. A. Energy relaxation
time of hot electrons in GaAs. - "Phys. Lett.", 1968, v. <28 A, № 2, p.
155- 156.
21. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных
электрических полях. Пер. с англ., М., "Мир", 1970.
22. Butcher Р. N. The Gunn effect. - "Repts Progr. Phys.", 1967, v. 30,
№ 1, p. 97-148.
23. Butcher P. N., Fawcett W. The intervalley transfer mechanism of
negative resistivity in bulk semiconductors. - "Proc. Phys. Soc.", 1965,
v. 86, pt. 6, № 554, p. 1205-1219.
24. Butcher P. N., Fawcett W. Calculation on the velocity-field
characteristic for gallium arsenide. - "Phys. Lett.", 1966, v. 21, № 5,
489-490.
25. Heinle W. Displaced maxwellion calculation of transport in /г-type
GaAs. -"Phys. Rev.", 1969, v. 178, № 3, p. 1319-1325.
26. Glover G. H. Study of electron energy relaxation times in GaAs and
InP. - "J. Appl. Phys.", 1973, v. 44, № 3, p. 1295-1301.
27. Spear W. E. The hole mobility in selenium.- "Proc. Phys. Soc.",
1960, v. 76, pt. 6, № 492, p. 826.
28. Chang D. М., Moll J. L. Direct observation on the drift velocity as
a function of the electric field in gallium arsenide. - "Appl. Phys.
Lett.",
1966, v. 9, № 8, p. 283-285.
29. Acket G. A. Determination of the negative differential mobility of
n-type gallium arsenide using 8-mm microwaves.- "Phys. Lett.", 1967, v.
24 A, № 4 (13 Febr.), p. 200-202.
30. Hamaguchi С., Kono Т., Inuishi Y. Microwave measurement
differential negative conductivity due to intervalley transfer of hot
electrons in n-type GaAs. - "Phys. Lett.", 1967, v. 24 A, № 10, p. 500-
501.
31. Калашников С. Г., Любченко В. Е., Скворцова Н. Е. Отрицательная
