Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Левинштейн М.Е. -> "Эффект Ганна " -> 126

Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.

Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна — М.: Советское радио, 1975. — 288 c.
Скачать (прямая ссылка): effektganna1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 159 >> Следующая

движении домена со скоростью и конденсатор разряжается и в цепи бокового
электрода течет ток
'"=§="§=:wf<-*>- <1U9>
При записи (11. 19) сопротивление в цепи бокового электрода считается
достаточно малым, так что постоянная времени разряда емкости мала по
сравнению с временем пробега доменом расстояния, равного его длине. Таким
образом, форма тока в цепи бокового электрода в этом случае воспроизводит
производную его профиля. Изменяя, например, с помощью изменения
сопротивления R постоянную времени заряда емкости бокового электрода,
можно изменять связь между функцией f(х) и зависимостью Ic(t).
Экспериментально прибор, аналогичный показанному на рис. 11.11, изучался
в работе [36].
Заметим, что описанные выше приборы с боковыми электродами могут также
работать в режиме, в котором замыкание цепи боковых электродов приводит к
исчезновению доменов. В этом случае, изменяя расположение боковых
электродов, их конструкции и т. д., можно также управлять формой и
частотой ганновских колебаний.
Как указано в оаботе [37], функции, выполняемые приборами заданной формы
или с заданным профилем легирования, могут быть реализованы также с
помощью диодов, имеющих переменный по длине химический состав. В качестве
примера можно указать на соединение GaAsaP;-*, в котором величина х
изменяется по заданному закону при удалении от катода к аноду образца.
При изменении х меняется вид зависимости v(E) и соответственно параметры
домена и ток через образец. В работе [37] отмечается также, что
применение таких диодов при соответствующем профиле химического состава
может позволить значительно увеличить к. п. д.генераторов Ганна.
В случае, когда параметры домена слабо меняются за время пролета домена
на его длину, аналитическая теория функциональных генераторов Ганна может
быть развита аналогично тому, как это было сделано в гл. 6 для
неоднородно легированных диодов. При резком изменении параметров домена
адекватное описание функциональных генераторов Ганна можно получить,
используя аналоговые модели диода Ганна и моделирование на ЭВМ [38-42].
11.3. Оптоэлектронные приборы на основе эффекта Ганна
Как видно из теоретических и экспериментальных данных, приведенных в гл.
5 и 7, диоды Ганна могут быть использованы в качестве основных элементов
оптоэлектронных устройств: приемников, модуля-242
торов, источников спонтанного и модулированного света и т. д. Важным
преимуществом ганновских оптоэлектронных приборов на основе GaAs является
то обстоятельство, что их удобно использовать в паре с получившими в
настоящее время широкое распространение GaAs-полупро-водниковыми
лазерами.
Параметры источников спонтанного и стимулированного излучения на основе
диодов Ганна описаны в гл. 7. В гл. 5 были приведены данные,
характеризующие параметры ганновских модуляторов различных типов, а также
обсуждены свойства диода Ганна, которые позволяют использовать его в
качестве фотоприемника: изменение частоты и формы колебаний при освещении
диодов, генерирование одиночного электрического импульса (серии импульса)
под влиянием импульса света и т. д.
Следует отметить, что описанные в предыдущем параграфе функциональные
генераторы Ганна с боковыми электродами также могут быть использованы в
качестве оптоэлектронных приборов, если в качестве ключей в цепи боковых
электродов включены фоточувствительные элементы. В этом случае информация
о степени освещенности фоточув-ствительных элементов записывается в виде
изменения формы тока ганновских колебаний. Очевидно, что приборы такого
типа могут найти целый ряд применений, в частности, в качестве элементов
развертки телевизионного изображения. Однако практическому изготовлению
таких устройств в настоящее время препятствуют технологические трудности.
Некоторые оптоэлектронные приборы на диодах Ганна специальной конструкции
были описаны в работах [43-46]. В работе [44] исследовался
трехэлектродный прибор, представляющий собой обычный планарный GaAs
ганновский диод с двумя контактами, нанесенный на подложку из низкоомного
р-GaAs (рис. Г1Л2). Такой прибор впервые предложен и -исследован в работе
[43], где было показано, что изменение запирающего напряжения на р-я-
переходе приводит к изменению частоты ганновских колебаний. В работе [44]
трехэлектродный прибор помещался
И/.МГц
в специальный ОВЧ контур, обусловливавший появление иа р-"-переходе
прямого смещения в течение небольшой части каждого периода ганновских
колебаний. При этом в приборе генерируется импульс рекомбинационного
излучения. В работе f44] наблюдались
Рис. 11.12. Увеличение частоты генерации трехэлектродного ганновского
прибора при освещении светом активной п-области \45].
Рис. 11.13. Качественный вид вольт-амперной характеристики
оптоэлектронного ганновского прибора (а) и его схематическая конструкция
(б) [46].
16
243
импульсы 'света длительностью порядка 10 не. Перестраивая ОВЧ цепь,
удавалось изменять частоту следования импульсов света. 'В работе (46]
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 159 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed