Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Лазарь С.С. -> "Физика полупроводников" -> 3

Физика полупроводников - Лазарь С.С.

Лазарь С.С. Физика полупроводников — Наука, 1985. — 460 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikov1985.pdf
Предыдущая << 1 .. 2 < 3 > 4 5 6 7 8 9 .. 152 >> Следующая

- число 44, 257, 3J6
Магнитная сила 84, 85, 86, 90, 91, 95, 97, 332, 334, 335
Магнитное поле сильное 94, 95, 338, 339, 341, 351-355
, классический и квантовый критерии 340, 351
слабое 93, 94, 95, 337, 338, 341, 347
Маджи - Риги - Ледюка эффект 100
Максвелла - Больцмана распределение 35, 227, 239, 328, 347
- закон распределения для скоростей 1 5
Масса эффективная 24, 27, 35, 42, 120, 212, 213, 214, 277, 331, 392, 427
Мелкие уровни 1 20
Металлическая связь 1 44, 1 47
Металлы 13, 16, 18, 58-62, 78, 176, 237, 242, 298
-, схема валентной зоны 1 6
- щелочно-земельные 17, 238
- щелочные 16, 34, 199,
237 Миллеровские индексы 1 63
Модуль . сжимаемости 49
Невырожденное состояние электронного газа 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 277
Неопределенностей соотношения Гейзенберга 1 24, 1 62
Неопределенности принцип 123-128, 175, 249
Непрерывности уравнение 378-379, 389
Нернста - Этингсгаузена эффекты 98-100, 356-358, 423
Обратная решетка 158, 203, 205, 210
, вектор 161, 200, 203, 321, 322
- -, - базисный 1 62
Обратное пространство 159, 161, 162, 198, 210
- -, основная (или приведенная) область 1 60, 1 61
- -, элементарная ячейка
1 60 Обращенный диод 364, 397


Объемный заряд 62, 64
Одноэлектронное приближение 194-198, 209 Паули принцип 13, 56,
126, 175, 196, 199 Пельтье явление 63, 75, 76, 79, 292, 293, 300, 303
- коэффициент 76, 81, 82, 303
- теплота 80
Переноса явления 244-292, 41 3
- -, феноменологический анализ 270-271 Переход p-i-n 393-
396
- электронно-дырочный 70, 71, 280, 362, 363, 366, 378-399, 423, 437, 440
на границе полупроводник - металл 65, 66
толстый, тонкий 72, 392-396
Переходы (носителей) - см. также "рекомбинация"
- безызлучательные 1 04, 1 94 -"вертикальные" 256, 405
- межзонные (прямые) 107, 108, 404-407, 435 -"непрямые" 406, 407, 435,
436
- при столкновениях горизонтальные, вертикальные 313-314 Пи-подход (в
теории термоэлектричества) 294, 302 Писаренко формула 82
Плотность состояний (электронных) 28, 32, 33, 42, 227- 229, 308, 339, 382, 417, 41 8
Поглощение (излучения, света) 1 07, 400-409
- отрицательное 431, 432
- примесное 107, 108, 110
- свободными носителями 106, 112, 402-404, 435
- собственное (фундаментальное) 1 07, 1 09, 409
- -, красная граница 41 0 -, спектр 1 07, 408
-.спектральное распределение 409
- экситонное 111 , 407-41 0 Подвижность ионов 173, 174
Подвижность носителей тока 19, 36, 245, 256, 257, 260, 403, 410
, температурная зависимость 19, 256, 261
, экспериментальное определение 88, 97, 356
- -, зависимость от электрического поля 279-284 Полупроводники 13, 18
- вырожденные (см. также вырождение) 35, 89, 227, 357, 407
- ковалентные 41, 89
- невырожденные 40, 41, 92, 237, 418
- примесные 20, 31


дырочные 23, 24, 36, 232
электронные 21, 31,35, 232
- с атомной решеткой 96, 98
- с ионной решеткой 41, 89, 96, 97
- собственные 20, 32 Полярон 1 92-1 94, 249
Потенциал ионизации (ионизационный) 11, 55, 56, 145-147, 166
- решетки периодический- 195-198, 200-206, 210, 214, 412
- химический (см. также уровень Ферми) 222, 223 приведенный 226, 241, 304
, уровень 33, 35, 57, 58, 71, 78, 80, 166, 227, 241, 294, 309, 381, 396, 431
- электростатический 157, 222
Поток тепла 46, 98, 245, 318, 321, 326, 355 -энергии 245, 270, 329
Преломления показатель (коэффициент) 112, 400, 401 Приближение почти свободных
электронов 198-206
- сильно связанных электронов 206-209 Прилипание (см. также ловушки) 41 4
-, уровень 1 05
Прицельное расстояние 248, 258 Проводимость ионная 1 71 - 1 75
Процессы нормальные ("N" при фонон-фононных взаимодействиях) 321, 323, 326
- переброса (umclapp) 321- 324, 326 Работа выхода 55-58, 62, 64, 70, 78, 373
Распределение фононов - см. Бозе неравновесное 322, 323, 325, 329
- электронов по волновым векторам 266
, неравновесная добавка 269-270, 296
, - функция 266, 270, 315
скоростям 262, 263, 344
, изменение под
действием градиента температуры 313, 314
, электрического поля 262, 263, 312, 313, 344
, неравновесное 263-265, 312, 313, 345
Рассеяние фононов 319 на фононах 319, 321, 324
- электронов 39 межзонное 310
на дефектах решетки 39, 245, 247, 314
на тепловых колебаниях решетки 40, 54, 81, 89, 261. 263, 274-278, 281, 282,
316
примесное 40, 81, 89, 97, 248, 251, 258, 261, 263, 271-274, 277, 281, 282, 394


Рекомбинация 18, 45, 72, 74, 101, 104, 363,378,392,397, 413-421, 426
- безызлучательная 1 04 -, вероятность 1 02, 1 06
- излучательная 1 04
- квадратичная 41 4
- линейная 41 4
- поверхностная 72, 409,424, 426,
- прямая (межзонная) 101, 104. 105
- ударная 1 06
- через центры 101, 104, 105. 416
- экситона 11 2
Риги - Ледюка эффект 98, 355-356 Симметрия кристалла 1 98
- трансляционная 111, 157, 158, 192, 193, 198, 209-211 Скорость
дрейфа электронов 37, 38, 69
- теплового движения электронов 37, 39, 40, 78 средняя 43,
68, 254, 279
Скрещенные электрическое и магнитное поля 334, 335 Слой объемного
заряда 63, 71, 383
Предыдущая << 1 .. 2 < 3 > 4 5 6 7 8 9 .. 152 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed