Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
быть связано с образованием дефектов в соответствии с двумя моделями:
< +3ы; или Li^ + 2и;.
Таким образом, состав композиции может быть записан в виде LiJB]hi^P04
(0<х<0,2), В зависимости от метода приготовления материала (с
использованием Р205 - образцов типа А или с применением NK(H2P04 -
образцы типа В) составы образцов с максимальной проводимостью несколько
различаются: ооия(25оС) = 4Д*10"5 Ом"1хм'1 при 15 мол, % Li (образцы типа
А) и отах(25°С) = 9,0'10'5 Ом"1*см"1 при 10 мол, % Li (образцы типа В),
Температурные зависимости электропроводимости 0,Ш2О-ВР04 (типа А)
показаны на рис, IV.3,13,3,
3.13,7, Система 1л20-Zr02-P3Os В системе Li20-Zr02-Р205 Вестом с согр,
были изучены твердые растворы Lb-^ri+^PO^ (0?с?0,70) [39], Проводимость
нестехиометрических фаз варьировалась от 10"3 до КГ2 Ом'1,см"1 при 300°С,
и наилучшую проводимость имеет состав при этом на зависимостях о(7)
наблюдается излом в области 300°С (рис, 1У,ЗЛЗ.З),
Низкотемпературная 1-фаза так называемой a-Zr{XiP04)2 формы (a-ZLP) была
изучена ранее [40, 41]. Ее проводимость составляет 1,9-КГ5 Ом"1 хм"1 [41]
и 4,4'КГ6 Ом"1-см"1 [42] при 300°С, 1-фаза a-ZLP очень чувствительна к
парам воды [43],
431
lg <rt Ом 1 - см 1
103/r, к'1
Рис IV 3 IS 3 Температурные зависимости проводимости ТЭЛ систем 1л2-
^Гц*(Р04)2 (7 2) и *LiiO-ВРО4 (5)
I - jcwO (по данным [41]), 2- х = 0,35 (по данным [39]),3 -* = 0,1
(поданным [3$])
Другая J-фаза a-формы стабильна выше 650°С и при охлаждении сохраняется
до комнатной температуры [42] Ее проводимость составляет 2 \(Г7 Ом-1 см"1
при 25°С и 5 1(П* Ом-1 см"1 при 300*С (см табл 1)
3*13*8* Система U2O-ВаО-Щ (М= 7Vf Zr) Высокопроводящая фаза была найдена
[44] лишь для системы Li20-ВаО-ТЮ2 Состав фазы близок к LJ2T13O7 и
содержит 0*2Li2O-0,07ВаО- ОЛЗТ1О2 Кристаллическая структура
синтезированного материала отличается от структуры рамедели-та, т е
введение Ва приводит к искажению каркаса кристалла Величина
электропроводности (при 300°С) составляет 4 10 3 Ом*1 съГ1 с
соответствующей энергией активации Е0 - 0,36 эВ
ЛИТЕРАТУРА
1 WmklerHGF // Acta Cryst 1948 Vol 1 P 27
2 SchutzN, Tscherry V //ActaCryst В 1972 Vol B28 P 2174
3 BwfeldRM, Johnson RTt Jr, Baughmann RJ //J Electrochem Soc 1978 Vol
125, N2 P 179
4 RatsfncJtlD, Ho Ct HugginsRA //J Electrochem Soc 1976 Vol 123, N 10 P
1469
5 Tscherry Vt Schmid R // Z Knstallogr 1971 Bd 133 S 110
6 SchonherrE, Schedler E til Cryst Growth 1977 Vol 42, N 1 P 289
7 Van Alpen V, Schonherr E , Schulz H> TalatGH //Electrochmi Acta 1977
Vol 22, N7 P 805
8 Weaver HT.BtefeldRM // Solid StateCommun 1976 Vol 18,N1 P 39
9 Follstoedt DM> Richards PM ff Phys Rev Lett 1976 VoJ 37,N23 P 1571
10 Bnnkmann D, Mali M\ Roos J, Schweickert E //Sohd State Ionics 1981 Vol
5 P 433
11 Schweicfert E > Mali M, Roos J e a // Solid State Ionics 1983 Vol
9/10, ptn P 1317
12 Richards PM IIPhys Lett A 1978 Vol 69A,N 1 P 58
13 Press W, RenkerB, SchutzH, BohmH ff Phys Rev Б 1980 Vol 21,N3 P 1250
14 Renter В t BernototH, HegerG e a//Sohd State Ionics 1983 Vol 9/10, ptn
P 1341
15 Nagel W, Bohm H // Sohd State Commun 1982 Vol 42 P 625
16 TmdwaRW, PetrottaA J, JerusP, Clearfield A //Mat Res Bull 1982 Vol
17,N7 P 873
17 Roth G, Bohm И И Solid State lomcs 1987 Vol 22, N2/3 P 253
18 Btihmer R, Lunkenheimer P, Lotze M, LoidlA //2 Phys В 1996 Bdl00,N4 S
583
432
19 Vjebahn W. RudorffW, Horwtsort H ЧЪ Naturforsch L967 Bd22b S li!8
20 OhtsukaH, Yamaji A , Okada T // Solid State Iomcs 1984 Vol I4fN4 P
283
21 OhtsukaHr Okada 1 //Solid Stale Iomcs 1986 Vol 20, N2 P 141
22 MannderB-O, HorlmT, Magneto A //Mat Res Bull 1979 Vol 14, N3 P 387
23 ReauJ-M, levasseur A , MagniezG e a //Mat Res Bull 1976 Vol 11, N
9 P 1087
24 Cafes В , Levasseur A f Foues&ter С Ea // Sohd State Commun 1977
Vol 24 P 323
25 Jeitschko W, Btther ТА BterstedtPE //ActaCryst 1977 Vol B33 P 2767
26 Shannon RDt Taylor В E, Engtosh A D, Berzms T //Electrochim Acta 1977.
Vol 22, N7 P 7 S3
27 Абдуллаев Г К, Мамедов К С, Рза-Заде П Ф идр //Журн неорг химии 1977 Т
22, № 12 Р 3239
28 KbalaM, LevasseurА , Fouasster С, Hagenmufler Р //Solid State Iomcs
1982 Vol 6, N2 P 191
29 Byrappa К} Jayamharqja V P r Shekar К V К с a //J Mat Sci 1977 Vol 32,
N6 P 1599
30 TotiboufM, BelourneE //Solid State Ionics 1966 Vol 84, N3/4 p 189
31 Зелютин ГВ, Memopoea Л M, Сбросов В П, Баталов HH //Изв АН QCCP Неорг,
материалы 1990 Т 2?, №6 С 1267
32 Зелютип Г В t Дощенпикова И А, Обросов В П и др // Изв АН СССР Неорг
материалы 1991 Т 27, № ф С 1887
33 Зелютин Г В, Шмарыга Г Н Обросов В П, Баталов НИИ Ионный и электронный
перенос в твердотельных системах/Ред ЕИ Бурмакин Свердловск, 1992 С 57
34 Зедютин Г В ± Пахомов Г Б t Баталов И Н, Викарии С В //Электрохимия
1992 Т 28, №10 С 1584
35 Keider ЕМ, JakM3G.de Lange F t Schoonman J //Sohd State Ionics 1996
Vol 85, N 1/4 P 285
36 JakMJG у Keider EM, SchoomnanJ ea // J Electroceramics 1998 Vol 2, N2
P 127
37 JakMJG, Keider EM, KaszkurZA ea //Solid State Iomcs 1999 Vol 119 P 159
