Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
26 Masumdar D, Bose D Л/, Mukherjee ML //Solid Stale Ionics 1984 Vol 14,
N4 P 143
345
27 BoseDN* Parthasarathy G > MatumdarD, GopalESR //Phys Rev Lett 1984 Vol
53, N14 P 1368
28 Bose M, BasuA //Sohd State Ionics 1986 Vo! 18/19,ptn P 539
29 Bayard NL //Fast ion transport in solids /Eds P Vashishta, JN Mundy, G
К Shenoy Amsterdam, 1979 P 479
30 LtZ-RXueR.-JfChenL-Q //ActaPhys Sm 1981 Vol30,N10F 1388
31 RobertsoftAD, WestAR //Solid State lomcs 1992 Vol 58, N3/4 P 351
32 RobertsonAD, WestAR //J Mat Chem 1994 Vol 4,N3 P 457
33 UeCK, WestAR //J Mat Chem 1993 Vol 3,N2 P 191
34 Stmandaita С $, Kumaraswatni T ff Materials for solid state batteries
/ Eds BVR Chowdan, S Radhakrishna Singapore, 1986 P 429
35 Bose Mt BasuA, Masumdar Df BoseDN //Solid State Ionics 1985 Vol
15, N2 P 101
36 Dissanayake MA К L, Gunawardane RP, Sumathtpala H И t West AR ff Solid
State Ionics 1995 Vol 76, N 3/4
P 215
37 Dissanayake M A XL t Gunawardane RP, Sumathjpafa HH ea If Solid state
icmc materials / Eds BVR Chow-dan, M Yahaya, IA Talib, M M Salleh
Singapore, 1994 P 199
38 Ivanov-Schitz A K7 StgaryovSE //Solid State Ionics 1988 Vol 27, N1 P
89
39 Rodger A R.KuwmoJ, WestAR //Solid Stale Tomes 1985 Vol 15,N3 P 185
40 PtatimrE, Voltenke H ft Monatsh Chem 1979 Vol 110 P 693
41 Вопшов В A t Бузник В А/, Бурмакин EH ff Ядерная магнитная релаксация
н динамика спиновых систем / Ред ЭП Зеер Красноярск, 1982 С 115
42 Бурмакин Е И, Аликин В Н ft Tea докл DC Всесоюз конф но физ химии и
электрохимии ионных расплавов и твердых электролитов Свердловск, 1987 Т 3
С 127
43 Hodge М, Ingram D, WestAR ffJ Amer Ceram Soc 1978 Vol 59, N7/8 P 360
44 FomtchevVV, Proskuryakova E V ff} Solid State Chem 1997 Vo! 134,N2 P
232
45 Шехтман И Г t Бурмакин E И, Степанов Г К //Изв АН СССР Неорг материалы
1984 Т 20, №4 С 697
46 Sumathipala HHt Dissanayake MA KL, WestAR //Solid state ionics new
developments / Eds BVR Chowdan, MAKL Dissanayake,MА Careem Singapore,
1996 P 335
47 SumathipalaH H > Dissanayake MAKL t WestAR ff Solid State lomcs 1996
Vol 86/87, ptl P 719
3,4, Li6Gei07 н материалы на его основе
В серии работ Бурмакиным с сотр. [1-3] было установлено, что германат
лития состава Li^Ge^O? при повышенных температурах имеет высокую ьГ-
ионную проводимость, которая может быть существенно увеличена за счет
гетеровадентных замещений. Образование вакансий может происходить за счет
замещения как части лития нонами двух- (Zn, Mg) и трехвалентных (А1)
элементов [2-4], так и части германия на пяти- (V) или шестивалентный (S,
Se, Сг, Mo, W) элемент [5, б]. Возникающие при этом твердые растворы
(z - валентность М-иона) имеют области существова-
ния орторомбической структуры (сильно искаженная структура у-фазы Ы3Р04
[6]), Минимальная концентрация модифицирующих катионов М, при которой
заканчивается переход к у-структуре, составляет х = 0,2-0,4
Междоузельные катионы лития также могут быть внедрены в структуру Li^Ge^
путем гетеро-валентных замещений [4, 7] с образованием твердых растворов
Li6+jrGe2-tMx3+07. В этом случае орто-ромбические структуры
нестехиометрических фаз можно отнести к слабо искаженной структуре у-фазы
Li3P04.
Анализ экспериментальных данных (рис IV.3AI) показывает, что наибольшая
ионная проводимость отвечает именно твердым растворам с орторомбической
структурой, производной от структуры y-Li3P04. Как и в других ТЭЛ с у-
сгрукгурой, ионный перенос в материалах на основе Li^GejO; осуществляется
ионами лития, не входящими в жесткий каркас типа 1л3Р04 При пересчете на
формульную единицу базисной структуры Li3P04 германат лития содержит не
4, а 3,5 атома кислорода (Li^GeOj 5), которые могут образовать лишь 3,5
ковалентных связей со всеми катионами твердого раствора В силу этого
состав жесткой решетки может быть представлен в виде L^Ge^, и общая
формула рассмотренных твердых растворов может быть записана как
Li |-(1+1 jrNTjJLi зСегОт],
346
Ig<7, Ом 1 - см 1
Рис IV. 3 41 Концентрационные зависимости проводимости (при 400°С)
твердых растворов на основе LieG^O?.
/ -- Li^ixZniGeiOr (по данным
[2]); 2- Lie-itM&GeiO? (по данным
[3])* 3 - Ufi-jiAljGcaOr (по данным [4]), 4 - 1л*+*Ое2нгАК>7 (по данным
[4]), J - Lj^Gei^rV^O? (по данным [5]); 6- Li&^Gea-rMojOr (по данным
[5]), 7 - Lt6-2jcGe2^Sjd07 (по данным [6]); 8 - Li^isGoi-rSe^OT (по
данным [6])? 9 - bifr.2tGe2-*iCr*07 (по данным [6]), /О - Li^2iGc2^Wj07
(по данным [6]), 11 - иб-гхОег-жМо^От (по данным [6]), 12 - Lj6^Ge2^Fe*07
(по данным [8])
Li i^xU^Ge^-xM/^O?] j
Lit+JLisGea Jrf,3*07].
Очевидно, что наиболее предпочтительными являются замещения с введением
дополнительных ионов лития, как получено в эксперименте (рис. IVJ.4.1)
для замещений Ge -* A], Fe,
Анализ транспортных характеристик ТЭЛ (М = Al, Ga; А = Si, Ti)
позво-
лил сделать заключение [8], что при неизменной кристаллической структуре
и постоянной концентрации носителей заряда проводимость изученных систем
определяется главным образом геометрическими факторами.
