Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
164 Sukeshmi A M, Hanharan К ff J Mat Sci Lett 1990 Vol 9, N5 P 544
165 Machida V, Shmkuma Y Mmami T //Soltd Stale Ionics 1991 Vol 45,
N1/2 P 123
166 Machtda N t Shmkuma Y, Mmami T ft J Ceram Soc Japan 1989 Vol 97,
N10 P 1095
167 Minamt T, Machida N tt Mat Sci and Eng, 1992 Vol B13,N3 P 203
168 Machida N, Matsuda Y, Shigematsu T ea tt Solid State Ionics 1994 Vol
73, N 1/2 P 63
169 Machida N, Shtgematsu T, Nakantsht N e a // Sohd State lomcs 1992 Vol
50, N 3/4 P 303
170 Machida N, Shmkuma Y t Minamt T e a //J Electrochem Soc 1992 Vol
139, N5 P 1380
171 Shmkuma Y, Machida N, Minamt T tt I Amer Ceram Soc 1991
Vol 74, N12 P 3133
172 Machida hf, Shtgematsu T, Nakantsht N e a //J Chem Soc Faraday Trans
1992 Vol 88, N20 P 3059
173 Yang Y, HouJ, Zhou G, YuW ft Fast ion conductivitmg materials and
devices / Eds BVR Chowdan, QG Liu, L-Q Chen Singapore, 1990 P 503
174 TsuchyaTf YamakawaH //J Ceram Soc Japan 1990 Vol 98,N10 P 1083
175 Znasik P, Jammcky M tt J Mat Sci Lett 1995 Vol 14, N11 P 766
176 LtuC, SundarHG K. AngetICA //Sohd State lomcs 1986 Vol 18/19, ptl P
442
177 Kadono К, Mttam К, Tanaka И ea //Phys Chem Glasses 1991 Vol 32, N5 P
207
178 SidhuKStSekhonSStChandraS fti Phys Soc Japan 1994 Vol 63,N9 P 3344
Дополнительная литература
1 Hut! S, Keen DA, Hayes W, Gardner NJG Supenonic behavior in copper (1)
iodide at elevated pressures and tem-
peratures//J Phys Cond Matter 1998 Vol 10, N48 P 941
2 Schmidt J A H Lescano G M, Prat MR, Dnstas J A Influence of CsCuaCL on
the electrical conductivity of CuCI ff
Solid State Ionics 1998 Vol 112 P 63
3 Ztyad M, Ahmamouch Rt Routmt M ea Synthesis and properties of a new
copper(II>hafmum phosphate Cuo^HfKPO^//Solid State Ionics 1998 Vol
110,N3/4 P 311
4 Haznar A, Pietraszko A, Studenyak IP X-ray study of the supenonic phase
transition in Cu^PSjBr tf Solid State Ionics 1999 Vol 119 P 31
5 Suzuki К, Shtbata К, Tsuntt T> Kawamura J Hierarchy of dynamic
structure of super-ionic conducting glass Cul -
Cu2Mo04//J Non-Cryst Solids 1998 Vol 232/234 P 278
6 Chowdan BVR, Tan KL h Ling F Synthesis and characterization of
хСигОуТеОг (l~jc-y)MoOj glass system tf Solid State Ionics 1998 Vol
113/115 P 711
§Э. Литийпроводящие твердые электролиты
В настоящее время поиск новых ТЭЛ активно ведется среди литийпроводящих
материалов, что связано в первую очередь с перспективностью их
использования в качестве рабочих тел в химических источниках
электрической энергии. Поэтому ниже будут довольно подробно рассмотрены
основные классы Ы+-СИП: ТЭЛ на основе LijSiOa, 1дзХ04 (X - Р, As, V, Сг),
Li4Ge04, Li3N и ряд других материалов, В разные годы было опубликовано
несколько обзорных работ по литнйпроводящим СИП [1-10]-
ЛИТЕРАТУРА
1 Бурмакин Е И Твердые электролиты с проводимостью по катионам щелочных
металлов М, 1992
2 PtzztmSffJ Appl Electrochem 1971 Vol 1,N3 P 153
323
3 ShctnnonRD, Taylor BEt BngUshA D, Berzins 7 // Electrochmi Acta 1977
Vo! 22,N7 P 783
4 HugginsRA //Ibid P 773
5 ShahtKt WagnerJB, Owens В В //Lithium batteries/Ed JP Gabano' London,
1983 P 407
6 Галицкий ИH , Морачевский А Г, Демидов А И Твердые электролиты с
проводимостью по ионам лития - J1*
1984 50с - Деп ВИНИТИ, № 3990-84
7 Томилов И П, Бергер А С у Болдырев В В //Изв Сиб отд АН СССР Сер хим
наук 1986 № 15*"ып 5 С 47
8 IrvmeJTS, IVest A R //High conductivity solid юте conductors /Ed iT
Takahashi Singapore, 1989 P 201
9 СигаревСВ //Кристаллография 1992 T 37,Кй4 С 1055
10 Robertson A D , West A R, Rilcfue AG II Solid State lomcs 1997 Vol \
04, N 1/2 P 1
3.1, Li^Si04 и материалы на его основе
ТЭЛ на основе ортосиликата лития посвящено большое число работ* что
объясняется не только достаточно высокими значениями электропроводности
этих материалов* но и их хорошими технологическими характеристиками.
3.1.1" LijSiOj Ионная проводимость чистого U4S1O4 не очень высока и
достигает значений 240"5 Ом'1-см~1 при 300°С [1], Температурная
зависимость сг, показанная на рис. IV 3.1.1* носит сложный характер [1-
4]. Изломы и отклонения от линейности наблюдаются и при 300°С, и в
области 600-7304^ Высокотемпературная аномалия связана с фазовыми
переходами, которые были обнаружены [5] при исследовании теплоемкости
ортосиликата лития. Li4SiC>4 при комнатной температуре кристаллизуется в
моноклинной сингонии, пр. гр. Р2|/т* параметры элементарной ячейки
составляют. а= 11*546 А* Ь = 6*090 А, с= 16,645 А. Р = 99*5°
Кристаллический остов состоит из изолированных искаженных 3104-
тетраэдров. соединенных с помощью LiCV, L1O5-* 1лОб-полиэдров [6].
1д стл Ом 1 • см 1 0-е
-2-
-4 -
43 -
Рис IV 3 11 Температурная завис н мость проводимости ортосиликагга лития
/ - данные из [I], 2 - данные из [4]
Элементарная ячейка содержит 14 формульных единиц, и 56 атомов полностью
упорядочень решетке, занимая из общего числа 126 позиций только 56 На рис
IV 3 1 2 приведена проекция рас-ложения атомов лития в элементарной
ячейке перпендикулярно оси Ь Видно, что атомы лития об-зуют сетку с
