Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
рис. IV.2.15). При сравнении с системами, описанными выше, видно, что
проводящие свойства в значительной степени варьируются при замене
оксоаиионов (Р043~-^Мо042") и малозаметно - при замене Вг~->Г. Напомним,
что в аналогичных системах с серебром замена Agl на AgBr существенным
образом сказывалась на проводимости (а уменьшалось). Отмеченное
обстоятельство отражает тот факт, что все галогениды меди имеют
высокопроводящую a-фазу, в то время как среди галогени-дов серебра лишь
Agl переходит в суперионную фазу.
1д<7, Ом 1 * см 1
Рис IV 2 15 Зависимость проводимости (при 298 К) от концентрации катионов
меди в CuBr для стекол системы CuBr- Си2Мо04- CU3PO4 (проводимость [1-
СиВт дана для сравнения) (по [169])
у = 0,75, 2- у = 0,50, 3- у =
0,25
¦ л л л27 -3
<д 10 *м
Примерно такие же величины проводимости были получены и при изучении
стекол в системе CuCI-Cu2Mo04-Cu3P04 [172], Процессы образования стекол в
системе Cul- Cu20-Р205 были изучены в [173],
Попытки получить электропроводность стекол с одновременным использованием
"электроактивных" компонентов Cul и CuCI не привели к заметному
увеличению а, Ионная
319
проводимость (сг - 1(Г3-1(Г4 Ом_1хм 1 при комнатной температуре) в
системе CuCl-Cul- Р205 [1^4] возрастает при увеличении содержания Cul Для
системы Cul-CuCl-Cu30- Р2О5 наибольшее значение проводимости а(25°С) =
10"3 Om~1cm~j не превышает проводимости "базовой" системы 40СиС1-30Си2О-
30Р2О5 [175].
В [176, 177] были изучены Си+-содержащие стекла на основе галогенидов
меди (I), в которых в качестве стеклоформирующих модификаторов
использовались щелочные и щелочноземельные галоиды. Как было показано
[177], тип галогена не играет существенной роли, в то время как основное
влияние оказывает выбор щелочного и щелочноземельного катиона:
проводимость возрастает при уменьшении ионного радиуса и увеличении
заряда этих катионов. Наибольшее значение проводимости о(25*С)= 10 3 Ом '
хм 1 было найдено для состава ЗОСиО-ЗОСиВг-30RbCl-5СаС1-5ВаСЦ (мол.%)-
Укажем, что во всех рассмотренных выше системах электронная составляющая
проводимости была на несколько порядков меньше ионной компоненты.
Конечно, величина электронной составляющей в очень сильной степени
зависит от способа приготовления стекол [178].
ЛИТЕРАТУРА
J Tubandt€tRemholdH //Z Physik Chem 1934 Bd B24 S 22
2 Takahashi T, Yamamoto О, Ikeda S Hi Electrochem Soc 1973 Vol 120, N 10
P 1431
3 TakahashtT* Yamamoto О //J Electrochem Soc 1975 Vol 122, N \ p S3
4 lazzan M, Pace R C, Scrosati В //Electrochim Acta 1975 Vol 20 P 331
5 SammelsA F, Gougoutas J Z f Owens В В HI Electrochem Soc 1975 Vol 122,
N 10 P 1291
6 Takahashi 7\ Wakabayash Nt Yamamoto О И J Electrochem Soc 1979 Vol
123, N 1 P 129
7 Takahashi 7\ Yamamoto О, YamadaS, HayashS Hi Electrochem Soc 1979 Vol
126,N 10 P 1654
8 MatsuiT, Wagner J В, Jr //Solid electrolytes / Eds P Hagen muller, W
van Gool New York, 1978 P 237
9 TakahashT H Pure Appl Chem 1978 Vol 50 P 1091
10 Takahashi T H Fast ion transport m sohds / Eds P Vashishta, JN Mundy,
G К Shenoy Amsterdam, 1979 P 521
11 HackwoodS, LtnfordRG И Chemistry and Industry 1980 July P 523
12 Takahashi T Hi Electroanat Chem 1984 Vol 180 P 231
13 WuenschB //Solid state ionics/Eds M Balkanski, T Takahashi, HL
Tuller Amsterdam, 1992 P 291
14 Vtswanath A K, Radhakrishm S H High conductivity solid ionic
conductors / Ed T Takahashi Singapore 1989
P 280
15 Sakuma T H J Phys Soc Japan 1988 Vol 57, N2 P 565
16 KeenDAtHuilS U J Phys Cond Matter 1994 Vol 6,N9 P 1637
17 Buhrer W, HalgW //Electrochim Acta 1977 Vol 22 P 701
18 Keen DA t Hull S // J Phys Cond Matter 1995 Vol 7,N29 P 5793
19 Boyce J B, Hayes TM, MtkkeienJ.C, Jr H Solid State Ionics 1981 Vol 5 P
497
20 NoltingJ //Ber Bunsenges Physik Chem 1964 Bd68,N 10 S 932
21 MtyakeS, Hoshmo5, Такепака T Hi Phys Soc Japan 1952 Vol 7,N 1 P 19
22 Herzog G MKrischner H H Reactivity of solids / Ed T S Anderson London,
1972 P 140
23 Schrader H-U f NoltingJ П High Temp -High Pressures 1980 Vol 12 P 561
24 KusukabeMt Ito YH TanaktS Hi Phys Cond Matter 1996 Vol 8,N37 P 6351
25 Mama T, Wagner JB,Jr Hi Electrochem Soc 1977 Vol 124,N2 P 300
26 Wagner J В (Jr, Wagner С Hi Chem Phys 1957 Vol 26 P 1597
27 Полищук А Ф, Зеаголъская E Ф H Электрохимия 1976 T 12, №5 С 801
28 Jaw Г, Wagner JB,Jr Hi Electrochem Soc 1978 Vol 125,N4 P 613
29 Vtllatn S T Cabane J, RouxD ea // Solid State Iomcs 1995 Vol 76, N3/4
P 229
30 Sakuma T, Shibata K, Hoshmo $ //Sohd Slate lomcs 1990 Vol 40/41, pt t
P 337
31 Sakuma 7\ Shibata Kt HoshnoS // Solid State Ionics 1992 Vol 53/56 P
1278
32 DejusR, SkoldК, Graneh В //Solid State Ionics 1980 Vol I, N3/4 P 327
33 Johansson J X, Skold К, Jorgensen J-E //Sohd State lomcs 1992 Vol 50,
N3/4 P 247
34 Becker К D> HenogG M. Kanne D ea //Ber Bunsenges Physik Chem 1970 Bd
74 S 527
35 Boyce J В, Huberman В A //Solid State Commun 1977 Vol 21 P 31
36 Ketelaar J A A HZ Knstallogr 1934 Bd87,N6 S 436
37 HoshnoS Hi Phys Soc Japan 1955 Vol 10 P 197
