Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Иванов-Шиц А.К. -> "Ионика твердого тела. Том 1" -> 148

Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.

Иванов-Шиц А.К., Мурин И.В. Ионика твердого тела. Том 1 — Санкт-Петербург, 2000. — 616 c.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка): ionikatverdogotelat12000.djvu
Предыдущая << 1 .. 142 143 144 145 146 147 < 148 > 149 150 151 152 153 154 .. 305 >> Следующая

Известно несколько обзорных работ [8-14], посвященных различным аспектам
медь-проводящих материалов. Ниже мы рассмотрим основные семейства Си+-
СИП.
2,1. Иоднд меди и псевдобннарные материалы на его основе
Как известно, чистый иодид меди имеет (при нормальном давлении) три
стабильные модификации (табл. 1):
~ ? 643К д - - 673-689К ^ 878К v д
y-Cul <-------> (3-СиГ <----------> ot-Cul <------> расплав.
кубич, гекс, кубич.
Низкотемпературная кубическая у-фаза со структурой цинковой обманки
(пр.гр. F43 ш) при 7^643 К переходит в (3-фазу со слегка искаженной
гексагональной плотноупакованной структурой (np.ip. Р3ш1). Для описания
(3-фазы использовали разные структурные модели [15, 16], как включающие
разупорядочение атомов меди, так и не требующие такого разупорядочения. В
высокотемпературной a-фазе Си! (стабильной при Г>б73-680 К) анионы
299
иода образуют гранецентрнроаанную элементарную ячейку, а катионы Си*
структурно разу-порядочены [17-19], Следует отметить, что а-фаза
стабильна до 878 К, т.е, до температуры плавления Cul. Гексагональная
фаза иногда может сосуществовать (в течение непродолжительного времени) с
новой ромбоэдрической фазой [17].
Таблица 1. Характеристики полиморфных модификаций галоидов меди и
соединений на их основе
Модификация и температуры переходов, °С Кристаллическая структура
Параметры решетки, А Энтальпия, кДж/моль и энтропия перехода,
Дж/мольК
1 2 3 4
y-CuI Кубическая, структура цинковой обманки, пр.гр. F43m а = 6,059
(25°С) [17] а = 6,052 (30°С) [18] а = 6,114 (355°С)П71
0-Cul Гт.р = 3б9 Гексагональная, атомы Си упорядочены, пртр. Р3ш1 ц-
4,279 с =* 7,168 (400flC) [151 - 11,1
Гексагональная, атомы Си разу* порядочены по 26-позициям, пртр.
РЗш] а = 4,304 с-7,185 (382°С) [16]
ct-Cul Гт-Ш Г"-600 Кубическая, атомы Си разупоря-дочены по
32:ГпозИ1даям, пр.гр. Fm3m а* 6,158 (445°С) [17] д- 6,148 (450°С) [18]
Р * II II 'О 4^
y-CuCl Кубическая, структура цинковой обманки, пр.гр. F43m
p-CuCJ Туф = 407 r"-422 Д5г.р = 15,5
y-CuBr Кубическая, структура цинковой обманки, пр-гр. F43m а =
5,702 (25°С) [17]
P-CuBr 'U -361 Г ексагональная, тип вюрцита, пр.гр. Р63тс д =
4,096 (420°С) [17] с = 6,713
О ¦ II Кубическая, тип a-Agl, пр,гр. Im3m a = 4,601 (485°С) [17]
p-Cu2HgL, Атомы Си упорядочены, прхр. 142т [151 a = 6,09 с = 12,24
(25°С) [22]
a-Cu2HgI4 .. 7^-67 _ Кубическая, атомы Си разулоря-дочены a " 6,10
(90*С) [22] AV = 22,6 ДЯ^ = 7,7 [381
Rb4Cu2Clj3 Ромбоэдрическая, атомы Си ра-зупорядочены, пр.гр. R3c [бб]

RbCtMClj^^ Кубическая, атомы Си разу поря-дочены, пр.гр. Р4]32 или Р4332
[89] у ^0: а* 10,0-10,032 [89, 98] у = 0,05: я- 10,027 у = 0,1: а =
10,021 у "0,2; д = 10,013
NH4Cu4Cb+>l2^ Кубическая, атомы Си разупоря-дочены, пр.гр, Р4|32 или
Р4332 [1ОД a = 9,985-9,982 0,09<у<0,13 [108] у = 0,05: a - 10,027
CuTel Тетрагональная, np.rp. I4|/amd д- 17,170 с = 4,876 [123]
300
Продолжение табп I
1 2 3 4
CuTeBr Тетраго нальная, np*rpJ4]/amd д = 16,335 (25°С) с = 4,786
[124] а = 16,334 (100°С) с = 4,785 [128] а = 16,396 (200°С) с-4,776 [128]
Наличие фазовых переходов подтверждается измерениями теплоемкости Cul
[20-243 (рис* IV*2*2)* Значения энтальпии и энтропии переходов составляют
[21] Д(>=1,70 ккал/моль, AS = 2,64 кал/моль*град*, AQ = 0,77 ккал/моль,
AS= 1,13 кал/мольтрад. для у-(3- и Р-а-переходов соответственно* Следует
отметить, что разупорядочение Си+-подрешетки начинается уже при подходе к
у-р-переходу, и около 4% Си+-ионов переходят из узлов 4(c) в
междоузельные тетраэдрические 16(e) позиции; это разупорядочение также
проявляется в нелинейном тепловом расширении кристалла [18]. Аналогичный
вывод о начале разупорядочения можно сделать из рассмотрения результатов
измерений теплопроводности и температуропроводности Cul [23].
Ср, кал/(град. - моль)
Г, *С
Рис IV 2 2 Теплоемкость Col 1 - поданным [20],2 - поданным [21]
Проводимость чистой и допированной йодистой меди (как поли-, так и
монокристаллов) была изучена в работах [25-29] (табл* 2 и рис* IV *2*3),
и, как было показано, она обусловлена переносом катионов меди (число
переноса электронов составляет 2*10 5 при ;Г=400оС [26])* При фазовых
превращениях Cul отчетливо видно (рис* IV.2*3) скачкообразное изменение
проводимости, особенно при переходе в разупорядоченную a-фазу, Данные по
неупругому рассеянию нейтронов указывают [30, 31] на существование моды
низкоэнер-
301
л -1 -1 lg<7, Ом •см
ю3/г, к1
Рис IV 2 3 Проводимость
СиХ
X^I I - по [29], 2- по [25], Х-Cl 3- по [43], 4- по [59], X = Вг 5- по
[77], 6- пс [78]
гетического возбуждения (с энергией /ко-3,4 мэВ)> которая практически не
зависит от тем* пературы
Таблиц 2 Транспортные характеристики Си+-про вод ни ков
Температурные зависимости [о] = Ом~1 см"1, [Z>] - см3/с, [0] = мВ/град
Модификация, температурный интервал
1 2
Cul
0 = аоехр(-0,21/А:Г)[29] а-фаза, 405-450° С
а = ОоСхр(-0,09/А:7) [28] а-фаза, 402-440°С
сТ = О(уехр(-0,1 IfkT) [48] а-фаза, 7>387°С
Предыдущая << 1 .. 142 143 144 145 146 147 < 148 > 149 150 151 152 153 154 .. 305 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed