Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
267
90 BrandaF, Permce P t Aronne A ea //Phys Chem Glasses 1990 Vol 31,N2 P
75
91 Chowdan В V R у Gopalakrtshnan R у TangS tf, Kuok M И // Sohd State
Ionics 1988 Vol 28/30, ptl P 704
297
192 SmghK, ChtodelhG.Ate&stnsA //SolidState Ionics 1990 Vol 40/41,ptH P
714
193 SundarHG К, Liu С, Angel! С A //Mat Res Bull 1987 Vol 22 P 1533
194 Kumar RS, Hanharan К //Solid State Ionics 1997 Vol J 04, N3/4 P
227
195 Chowdan В V R, Kumar P P //lithlnl Conf Solid State Ionics, D45
Short Abstracts Honolulu, 1997 P 161
196 Bafaya P , Sunandana С S ff Recent advances in fast юп conducting
materials and devices / Eds BVR Chowdan,
Q Liu, L Chen Singapore, 1990 P 543
197 Nishi J, Katie Y, Yamagusht T fi J Non-Oyst Solids 1985 Vol 74 P
411
198 Личкова H В > Деспотули А Л> Загороднев В И и др //Электрохимия
1989 Т25,№12С 1636
199 ЛичковаНВ, МитштаНА, Загороднев&Н< КрапочмнВ С //Электрохимия 1990 Т
26, № 11 С 1520
200 Kawamoto Yt NaguraN, TsuchthasfuS //J Amer Ceram Soc 1974 Vot 57 P
489
201 Борисов 3 У, Богданова А В, Казакова Е А идр //Физ и хим стекла. 1982
Т 8, №5 С 578
202 Robmet Е, Carette В, Ribes И ft) Non-Cryst Solids 1983 Vol 57, N1 P
49
203 SouquetJL if Solid State lomcs. 1981 Vot 5 P 77
204 Kolomiets В T, Rukhfyadev Yu V,Shtlo VP ff 5 Non-Ciyst Solids 1971
Vol 5 P 389
205 Борисова 3 У Халькогенндные полупроводниковые стекла Л, 1983
206 Bychkov Б, Tsegefntk V, Vlasov Yu ea If) Non-Cryst Solids 1996 Vol
208,N t/2 P i
207 Miyamoto YJtohM, Tanaka К if Solid State Common 1994 Vol 92, N И P
895
208 Chandrasekhar VG, Suthanthmraj SA ff J Mat Set 1993 Vol 28, N
15 P 4043
209 Vuwanathan A, Suthanthiraraj S A //J Mat Sci Lett 1994 Vot
13, N 15 P 1139
210 Viswanathan A, Suthonthiraraj S A ft J Mat Sci Lett 1994 Vol
13, N3 P 185
211 Seydet ИКР, Suthanthiraraj SA ff Sohd state ionics Materials
and applications / Eds BVR Chowdary,
S Chandra,S Singh,PC Snvastava Singapore, 1992 P 509
212 Hanharan К " Suresh Kumar R //Ibid P 533
Дополнительная литература
1 Machida N , Eckert H FT - IR, FT - Raman and MMo MAS-NMR studies on the
structure of lomcally conducting
glasses in the system AgE - Ag^O - MoCb ff Solid State Ionics 1998 Vol
107, N3/4 P 255
2 Tomasi С t Mustarelh P, Afagtstris A Devitrification and metastability
revisiting the phase diagram of the system AglAgiMotV/J Solid State Chem
1998 Vol 140,N1 P 91
3 Mustarelh P, Tomasi С, Quartarone E, Magistris A Structure and cation
dynamics m the system Agl AgjMoO^ A ,wAg NMR study//Phys Rev В 1998 Vol
58, N 14 P 9054
4 Hosono Mt Kawamura Jt ftoigawa H e a. Structure and ionic conductivity
of rapidly quenched Agl-AgjWQ* superiontc conductor glasses//J Non-Cryst
Solids 1999 Vol 244, N1 P 81
5 Cervtnka L, Bergeravd J, Dalmaso A, Rocca F Jf-ray analysis of the
structure of Ag-tetraborate glasses
(AgIMAg204B203),_*//J NonCryst Solids J998 Vol 232/234 P 627
6 Branda F, Costantim A , Fresa R An ionic conduction mechanism for
the Agl doped glasses of the system AgiO-
B203//Phys Chem Glasses 1998 Vol 39,N3 P 178
7 Et-Damrawi G Silver ion transporting mechanism in supenonic conducting
Agl-A&O-Te02 glasses // J Phys Cond Matter 1999 Vol 11 P 6385
8 Baskaran N, Govwdaraj G, Narayanasamy A Ac conductivity and relaxation
processes in silver selenochromate glass//Solid State lomcs 1997 Vol 98,
N3/4 P 217
9 Cutrotu M> Mandantci A Mechanical and dielectric behaviour of some юте
glasses ff Solid State Ionics 199S Vol 105 P 149
10 Fanggao Ct Saunders GA, Wei Z ea. The effect of hydrostatic pressure
and temperature on the frequency dependencies of the conductivity of
ionic (AgPOj) and (AgiSX^AgPCbK? 8lasses M Solid State Ionics J998 Vol
109, N 1/2 P 89
\ 1 Chbani tf, Ferhat A t Lotreau-Lozac'h A -M, Dugid J Electrical
conductivity of AgaS-Ga^Sa-GeS2 glasses // J Non-Ciyst Solids 1998 Vol
23L,N3 P 251 12 Chowdan BVRt Tan KLt Lmg F Characterization of xCul
(50~х)А$ГуСи2Мо04 (50-y)CuPOj glasses ff Solid State Ionics 1998 Vol
I07,Nt/2 P 89
298
§2* Медьпроводящие твердые электролиты
Еще в 1934 г. Тубандт указывал [1] на существование высокотемпературных
фаз с разу порядочен ной катионной подрешеткой для ряда галогенидов и
халькогенидов меди, Эти фазы имеют структурные модификации, аналогичные
"-модификации йодистого серебра и, естественно, что галогениды меди CuX
(X = I, С1, Вг) обладают высокими значениями ионной проводимости,
связанной с переносом катионов меда.
В начале 70-х годов были синтезированы [2-6] новые Си+-проводннки, основу
которых составили галогениды меди Наконец, в 1979 гт Такахаси удалось
синтезировать [7] новый ТЭЛ состава Ш^Си^ЬС^з (аналог RbA&b),
проводимость которого имеет рекордную величину а = 0,5 Ом-1 см"1 при
комнатной температуре (рис. IV.2.1).
\д&, Ом 1 - см 1
Рис IV 21 Температурная зависимость проводимости Си+-ТЭЛ
/ - ЯЬСщ1:С1з (по данным [97]), 2 -
КЬСщ1*,75^3,35 (по данным [7]), 3 - CuTcBf (по данным [126], 4- Cul (по
данным [29]), 5- CuaHgL* (по данным [42])
