Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Иванов-Шиц А.К. -> "Ионика твердого тела. Том 1" -> 126

Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.

Иванов-Шиц А.К., Мурин И.В. Ионика твердого тела. Том 1 — Санкт-Петербург, 2000. — 616 c.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка): ionikatverdogotelat12000.djvu
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 305 >> Следующая

259
о, Ом 1 * см 1
Рис IV1 43 Проводимость системы Agl-Rbl при комнатной температуре
О - по данным [23], ¦ - по данным [39], пленки
На величине проводимости могли сказываться и эффекты разложения RbAg43
как из-за термодинамической нестабильности электролита при температурах
ниже 300 К, так и вследствие прессования образцов, если давление
прессования превышало 1200 кг/см [25] (правда, по данным [30]
проводимость остается постоянной до давления 3300 кг/см)*
Однако даже при использовании RbAg^ стехиометрического состава величины
проводимости, определенные разными авторами, могут отличаться из-за
недостаточно точного и полного учета сопротивления границы
электрод/электролит, которое входит в общее измеряемое сопротивление
ячейки (см* гл* III)*
Из температурных зависимостей проводимости RbAgJs, представленных на рис.
IV*l*4*4,a, видно существование двух низкотемпературных фазовых
переходов, причем они оба сопровождаются скачками проводимости* При Т-
123 К (фазовый Р-у-переход) значение о, скачкообразно изменяется на 2,5
порядка (рис* IV* 1*4*4,6), причем этот переход характеризуется также
заметным температурным гистерезисом (0,3-0,8 град*) [28, 29, 40, 41]* При
фазовом a-p-переходе при 210 К скачок проводимости (на 10-12%)
наблюдается для монокристаллических образцов, в то время как для
поликристаллов происходит "размытие" перехода (рис* IV*1.4*4,e) [28, 40].
При измерении проводимости в динамическом режиме был обнаружен
температурный гистерезис сг, достигающий 0,5 град* Зависимости
проводимости от температуры подчиняются уравнению Аррениуса-Френкеля и
для а- и P-фаз для монокристаллов RbAgJs записываются в виде [40]
а-фаза (21 ОК<Г<400 К) иГ =7,3-105ехр(-0,122!кТ), p-фаза (125К<7'<210 К)
аТ= l,75-10Jexp(-0,18/A7).
260
" 3 4 5 6
Ig<T, ОТН. вд.
103/Г. К
.-1
ю3/т, к'1
Рис IVI 44 Электропро водность RJbAg*l5 (я)" монокристаллов RbAg+Is в
окрестности
0->у-фазового перехода [29] {б) и в окрестности р-кх-перехода [28] (")
а 1 - монокристалл [29],
2- поликристалл [29], 3 - поликристалл [2], 6 I - охлаждение, 2 -
нагрев, в 1 - монокристалл, 2 - поликристалл
Энергии активации проводимости для a-фазы RbAg^, полученные разными
авторам приведены в табл* 2; для |3-фазы значения варьируются в пределах
0,17-0,13 эВ [2, 4 42,43]*
В низкотемпературной у-фазе RbAg^j детальные измерения проводимости были
ос [дествлены Пинковскн с соавторами [44]* Полученные результаты
указывают (рис, IV,1*4~
IgoT, О м"^ см-1 ¦ К
Рис IVI 4 5 Температурные зависимости проводимости RbAgdj (r) у-фазе (по
данным [44])
10^7, НГ1
261
что резкое изменение величины о (на 2-3 порядка) происходит в области
122-109 К, а при Г<109 К проводимость почти не зависит от температуры*
Авторы [44] считают, что при Т= 109 К происходит переход типа стеклования
и перенос заряженных частиц осуществляется за счет туннельного
безбаръерного двухуровнев механизма*
Таблица 2. Кристаллографические параметры в а-МА&1$
Соединение о, A Литература a, A Литература
RbAg^j 11,24 [2] 11,243 [125]
KAg4l5 11,13 [2] 11,143 [125]
Ko.S&bosAg4lj 11,19 [2] 11,193 [125]
NRtAgJs 11,19 [2]
Влияние давления (до б кбар) на проводимость моно- и поликристалл нческих
образцов RbAgJ5 было изучено Алленом и Лазарусом [45], Активационные
объемы для движения катионов серебра составляли -0,4±0,2 и "0,2±0,1
см3/моль в а- и p-фазах соответственно* Проводимость сначала
экспоненциально возрастает при увеличении давления, а затем более резко
уменьшается*
Особенности поведения электропроводности ъ окрестностях фазовых переходов
были исследованы в работах Варгаса с соавторами [42* 43] и Кукоза и
Деспотули [46-48]*
Кристаллическая структура
Высокая ионная проводимость RbAgJs при комнатной температуре связана, как
и в случае Agl, с разупорядоченной кристаллической структурой соединения
[49, 50]* Пентаио-дид серебра-рубидия может существовать в трех фазах**:
у-фаза при температурах ниже 122 К, (3-фаза между 122 и 210 К и а-фаза -
выше 210 К* Различные кристаллические модификации RbAgJj были подробно
изучены Геллером [50, 53, 54]* Во всех фазах основной мотив структуры
сохраняется, поэтому основное внимание будет уделено высокотемпературной
a-фазе* В ней ТЭЛ имеет кубическую симметрию и характеризуется
пространственной группой P4j32 (или энантиоморфной Р4132)* В элементарной
ячейке (постоянная решетки а = 11,24 А, табл* 2) содержится 4 формульных
единицы* 20 ионов иода располагаются в элементарной ячейке подобно атомам
Мп в р-Мп [55]* Ионы Г образуют 56 тетраэдров, в которых расположены ионы
Ag+, а в 4 искаженных октаэдрах находятся Rb+* 16 катионов серебра
занимают 3 набора из 56 позиций - один 8с и два 24е, т*е. позиции
заселены не полностью (табл. 3)* Тетраэдры I типа (Ag(c)) имеют одну
общую плоскость с октаэдром, содержащим Rb+, и три плоскости - общие с
тетраэдрами II и III типов* Тетраэдры II типа не имеют общих плоскостей с
октаэдрами: все четыре плоскости общие с тетраэдрами П и Ш типов.
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 305 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed