Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
1323
78 Casanova JRt Lopez TonazztJC, FrancoJI //Solid State lomcs 1997 Vol
96*N1/2 P 107
79 Mtnamt Tt NambuH, Tanaka M HI Amer Ceram Soc 1977 Vol 60*N9/10 P 467
80 Takahashi T H Fast ion transport in solids /Eds P Vashishta*JN
Mundy* GK. Shenoy Amsterdam* 1979 P 521
81 Широкое ЮВ. Боровков В С И Электрохимия 1979 Т 15*№1 С 85
82 Scrosati В, Papateo F, Pistoia G * Lazzari M HI Electrochem Soc 1975
Vol 122* N3 P 339
83 Lazzart M * Scrosati В * Vincent С A //Electrochim Acta 1977 Vol
22, N I P 51
84 Hanharan Кt TomyCV, KaushikR Hi Mat Sci Lett 1985 Vol 4,N II
P 1379
85 Hanharan Кt KaushikR HI Mat Set 1987 Vol 22, N9 P 3335
86 Hanharan К * Kaushik R H Materials Chemistry and Physics 1986 Vol
15* N5 P 447
87 AvasthiMN //Phys Stat Sol (a) 1982 Vol 71 P KJ77
88 AvasthMNtSaleemM,Et-GemalMT HI Phys С Solid State Phys 1981 Vol 14,N24
P 3521
89 MagistnsA * Chiodelii G* Campari G V HZ Naturforsch 1976 Bd 31a*N 8 S
974
90 Durga Ram A N. Hanharan К //Bull Electrochem 1988 Vol 4*N8 P 717
91 Durga Rani A N, Hanharan К //Materials Chemistry and Physics 1991
Vol 30* N 1 P 1
92 Takahashi Г* Nomura E, Yamamoto О HI Appl Electrochem 1972 Vol
2>N I P 51
93 KuwanoJ,KatoM HDenki Kagaku 1975 Vol 43*N12 P 734
94 Scrozati В Rtcct A r Lazzart M HI Appl Electrochem 1976 Vol 6, N3
P 237
244
95 AfentosS VtSustc MV //Solid Statefomcs 1990 Vol 38fN3/4 P 195
96 ScholtensBB, Brouwer A , Broers GHJ // J Appl Electrochem 1978 Vol 8,
N2 P 165
97 Bonwo F, Laszan M, Lonordt A ea//J Solid State Chem 1977 Vol 20 P 315
98 PrasadPSSt RadhaknsnaS if J Solid State Chem 1988 Vol 76,N 1 P 7
Дополнительная литература
1 AwjoM, WakomuraK Temperature dependence of the dynamical effective
charge m Ag^Sl/ZSohd State Ionics 1996
Vol 86/88, pt I P 183
2 Beeken Я В, Haase A T, Hoerman В H, Klawikowskt SJ The effect of non-
stoichiometry in AgjSBr // Solid State Ionics 1998 Vol 113/115 P 509
3 Beeken R.B , Wnght TJt Sakuma T Effect of chloride substitution m the
fast ion conductor AgiSBr if j Appl Phys
1999 Vol 85, N И P 7635
ЬЗ. Супернонные проводники в кваэибинарных системах с общим анионом
13* L Система Agl-Hgl* Кристаллическая структура и свойства меркуроиодида
серебра Ag2Hgl4 привлекали к себе внимание с пионерских работ Кетелаара,
выполненных еще в 30-е годы [1, 2], Как видно нз рис, 1УЛЗЛ, в системе
Agl-Hgl2 существуют (при нормальном давлении) [3] две полиморфных
модификации AgaHgU, причем состав высокотемпературной a-фазы может
значительно отклоняться от стехиометрического
Г/С
100
60
20
а-Ад2Нд!4
+/?-Нд!2
о-Ад2Нд14
еМд2Нд14
+?-Ад1
м • "I
/5-Ад2Нд14
+^-Нд12
ООО
/?-Ад2Нд14
+Д-Ад1
о о
о
>-Ад2Нд14
40
60
80 Дд), мол. %
Рис IV1 $ 1 Участок диаграммы состояния квазибинарной системы Agl-Hgh [1]
а- однофазный продукт (данные РФА), О - двухфазный продукт (данные РФА),
А - данные, подученные из измерений проводимости
Способы приготовления поликристаллического A&Hgl* в значительной степени
влияют на стехиометрию образцов* а следовательно* и на их
электропроводность [4], Условия и режимы протекания твердофазных реакций
в системе Agl-Hgl2 подробно изучены в [5]* а в более сложных реакционных
системах - в [6,7}.
Монокристаллы AgzHgU получали [8] из концентрированного раствора (3*0 М)
K2Hgl4, насыщенного сначала Hgl2* а затем Agl, Характерной особенностью
выращивания монокристаллов служил большой избыток иодцда ртути. За 4
недели в темноте на дне ростового сосуда образовывались желтоватые
кристаллы* имеющие игольчатую форму и размеры около 1*0,05*0,02 мм3, Ось
игольчатых кристаллов отвечала направлению <100>* многие кристаллы
оказались с двойникованными. Кристаллы высокого качества показали высокую
стабильность при их хранении на воздухе и свету* однако наилучпше условия
хранения -¦ в сухой атмосфере в темноте.
245
Проводимость монокристаллических игл была измерена [9] двухкоятактным
методом на постоянном и переменном токе; полученные данные приведены на
рис, IV. 1.3.2 и в таблице. Здесь же указаны результаты исследований
проводимости поликристаллических образцов при использовании СВЧ методики
[10,11].
\%а% Ом'1* см-1
Рис IVI3 2 Проводимость AgaHgLi
} - измерения на частоте 1592 Гц [9], 2- измерения на частоте 5 10(r) Ги
[10], 3- изме-рения на частоте 10 ГГц [II]
Параметры проводимости нестехиометрических поликристаллических образцов
зависят от степени отклонения от стехиометрии [3]: lgc0(OM4*M_1) = 3УЬ5~
6,346 н ?ЛэВ) -= 0,304-0,4043.
В низкотемпературной области существования (J-фазы можно отметить два
температурных диапазона, в которых проводимость описывается уравнениями
Аррениуса (таблица), а в окрестности 4S-52°C наблюдается (см. рис.
IV.1.3.2) скачкообразное изменение о, обусловленное а->р-переходом.
В обеих фазах (а- и р-) ионы иода входят в состав жесткого остова и не
принимают участия в переносе заряда. Более того, число переноса ионов
ртути в a-фазе также пренебрежимо мало (Гне2+ = 0,06 по данным [1]),
поэтому ионный транспорт осуществляется ионами серебра. Кристаллическая
