Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Ишанин Г.Г. -> "Источники и приемники излучения" -> 54

Источники и приемники излучения - Ишанин Г.Г.

Ишанин Г.Г., Панков Э.Д., Андреев А.Л. Источники и приемники излучения — Спб.: Политехника, 1991. — 240 c.
ISBN 5-7325-0164-9
Скачать (прямая ссылка): istochnikiizlucheniya1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 48 49 50 51 52 53 < 54 > 55 56 57 58 59 60 .. 94 >> Следующая

138
взаимодействии спектр модуляции информационного потока излучения переносится в СВЧ-область в виде спутников на комбинационных частотах модуляции потока и СВЧ-волны [6]. Изменением частоты модуляции потока излучения можно сдвинуть фотоотклик в любой диапазон СВЧ, где возможна максимально чувствительная обработка сигнала. Для включения ФД и ФР в схему СВЧ не обязательны токовые контакты.
Для СВЧ можно применять ПИ с большим внутренним сопротивлением, неудобные для обычных целей. Основные параметры ФД и ФР с СВЧ-смещением близки к параметрам этих ПИ на постоянном токе.
§ 4.7. Координатные ПИ
Координатным фотоприемником (КФ) называют ПИ, по выходному сигналу которого определяют координаты светового пятна на фото чувствительной поверхности. В настоящее время существуют координатные приемники на основе ФД, ФР, ФТ, фототиристоров, различных МДП-приборов (металл—диэлектрик—полупроводник) с зарядовой связью, состоящих из элементарных МДП-конденсаторов, выполненных на единой полупроводниковой подложке и т. д. Рассмотрим некоторые типы КФ,
Фотоиотенциометры, Фотопотенциометр (ФП) представляет собой бесконтактный аналог обычного проволочного (или пленочного) потенциометра с механическим перемещающимся электрическим контактом. В нем подвижный электрический контакт заменен фотоэлектрическим, что повышает срок его работы и надежность [83]. Функционально бесконтактный фотопотенциометр состоит из фотопроводящего слоя 2 (рис. 4.24, а), распределенного резистивного слоя 4, эквипотенциального коллектора 3, расположенных в контакте друг с другом на диэлектрической подложке 1. Управляет сигналом, снимаемым с ФП, световой зонд 5, выподня-
Рис. 4.24. Схематическое устройство (а) и эквивалентная схема ФП (б):
¦J — распределение проводимости слоя <; 0Т — темповое распределение проводимости слоя 2; Яф — фстоириьодииисть слоя 2
139
7
ющий роль движка электромеханического потенциометра. Световой зонд 5 формируется оптическим устройством и может смещаться в результате внешнего механического воздействия вдоль фотопроводящего слоя 2. В месте засветки фотопроводящего слоя световым зондом создаются избыточная над темновой фотопроводимость Стф и фотоэлектрический контакт (рис. 4.24, б): Выходное напряжение ФП, снимаемое с сопротивления нагрузки Ra, является функцией положения светового зонда на фотопроводящем :лое.
Фотопотенциометры могут быть выполнены на гомогенной (фоторезистивной) и гетерогенной (с неомическими контактами типа р—л-перехода) основах. В зависимости от назначения ФП бывают линейными (выходное напряжение зависит линейно от координаты зонда) и функциональными (выходное напряжение зависит функционально от координаты зонда). Режим работы ФП называют потенциальным, когда распределение потенциала на резистивном слое существенно не искажается отбором тока через фотослой, и токовым, когда характерно нелинейное распределение потенциала резистивного слоя за счет фототока.
Функциональные ФП позволяют пространственное перемещение источника света преобразовывать в электрический сигнал заданного функционального вида. Функциональное преобразование выходного сигнала осуществляется за счет профилирования резистивного слоя. Принципиально выходная характеристика ФПП может иметь любой заданный закон, например, гиперболический, логарифмический, экспоненциальный и т. д.
Фотопотенциометры на гетерогенной основе обладают чувствительностью от 0,5 до 1,0 В/мм -мВт и постоянной времени т зё 10"в с, так как она определяется временем пролета неосновных носителей до р—л-перехода. Отклонение от линейности у них достигает 1—5% на длине до 70 мм. ФП на гомогенной основе имеют значительно большую постоянную времени, так как она определяется временем жизни носителей и достигает нескольких миллисекунд.
Трехслойный ФП фирмы «Джианини Контрол Корп.» (Giannini Control Corp., Италия) с поперечной фотопроводимостью и распределенным резистивным слоем на основе монокристаллического селенида кадмия при /?т//?ф = 10е и освещенности 1 «мВт/см2 имеет следующие параметры: входное сопротивление 10—50 кОм, быстродействие (1-т-5)*10~3 с, отклонение от линейности при Ra =-= 106 Ом—'1%, разрешающую способность 1 —12,5 мкм, максимальную скорость движения светового зонда 6,1—7 м/с. Основные недостатки ФП: отсутствие нуля пеленгационной характеристики, необходимость работы с малыми токовыми нагрузками на большое f?H, сложность нанесения однородных резистивных слоев и взаимной совместимости разнотолщинных слоев.
Все эти недостатки в значительной мере устранены у функциональных ФР и ФД.
140
Рис. 4.25. Принцип действия (а) и эквивалентная схема ФФР с переменным межэлектродным расстоянием (б);
/ и 4 — эквипотенциальные электроды; 2 — слой фотопроводящего материала; 3 — подвижный световой зонд
Функциональные ФР и ФД [83]. При формировании профильного фото проводящего слоя на подложке с программным распределением его сопротивления отпадает необходимость распределенного резистора R0, так как фотопроводящий слой из чисто коммутационного, как у ФГ1, превращается в элемент, формирующий функциональное преобразование. Фотопроводящий слой может быть на гомогенной (фоторезистивной) или гетерогенной (фотодиодной) основе. Наиболее распространены функциональные ФР. Они просты в изготовлении, позволяют использовать токовый режим с малым RB, имеют повышенную точность функционального преобразования, так как у них нет резистивного функционального слоя R0.
Предыдущая << 1 .. 48 49 50 51 52 53 < 54 > 55 56 57 58 59 60 .. 94 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed