Пластическая деформация металлов - Хоникомб Р.
Скачать (прямая ссылка):
(ABU + (ВС)а (АС).
В реакцию вступают две дислокации, находящиеся на плоскостях da а (ABC и DBC) и расположенные под углом І2& друг к другу, что является общим критерием для этого типа взаимодействия. Реакция происходит по линии пересечения двух плоскостей, т. е. BC1 и результирующая дислокационная линия и ее вектор Бюргерса лежат в плоскости (001). Дислокация не может легко двигаться в этой плоскости, так как она менее плотно упакована и не относится к обычной системе скольжения.
Коттрел [47] указал, что если первичные дислокации рассматривать как расщепленные согласно Шокли, то имеет место дополнительная реакция. Он проиллюстрировал это на другой паре дислокаций, дающих основную реакцию
ув|0І11 + уа[10Ї]-*-¦Ja[IlO]
(AD)b + (DB)a AB.
Если каждая первичная дислокация диссоциирует иа две частичные дислокации Шокли, а именно
J- а 10Ї1 ] і а [1Ї2]* + у а [121], у а [101] 1 а [211] —і a [1Ї2]*,
или в обозначениях Томпсона (фиг. 3.23)
(AD)6+ A? + ?Z), (DB)a-+Da + аВ,
Элементарная теория дислокаций
75
то по одной частичной дислокации из каждой реакции взаимодействуют друг с другом:
і а [121] + ~а [211] ->-g- а [110]*,
или
?? + Da-> ?a.
Дислокации, отмеченные звездочками, являются, таким образом, окончательным^ продуктом взаимодействия двух первоначальных дислокаций, и дислокация -^- а [110]. или ?a, является дислокацией Ломер — Коттрела.
Фиг. 3.29. Барьер Ломер — Коттрела.
a — две'і расщепленные дислокации перед взаимодействием; б — вершинная дислокация, образующаяся после взаимодействия.
На фиг. 3.29, а ж б эта реакция показана в схематической форме. Реакция приводит к образованию «вершинной» дислокации А Л, отделенной от двух других дислокаций типа ~- а (112 > двумя участками дефекта упаковки ABCD и ABEF, которые образуют препятствие для дальнейшего скольжения клиновидной формы и ограничены частичными дислокациями.
Можно видеть, что эта реакция является прямым следствием основной структуры скользящих дислокаций по плоскостям {111} в г. ц. к. решетке и что она определяется фактически тем, что вначале имеются дислокации Шокли, до того как две результирующие частичные дислокации могут вступить в реакцию для образования дислокации с вектором Бюргерса, не лежащим ни в одной из плоскостей скольжения.
76
Глава З
Таким образом, в металлах, в которых дислокации легко расщепляются, т. е. в металлах с малой энергией дефекта упаковки, реакция Ломер — Коттрела приводит к образованию соединенных под углом дефектов упаковки, которые вместе со связывающей их сидячей дислокацией служат серьезным барьером для скольжения по любой из двух первоначальных плоскостей скольжения. С другой стороны, нельзя ожидать, что такие барьеры будут столь же эффективными в металлах с большой энергией дефекта упаковки, поскольку в этом случае расстояние между частичными дислокациями мало.
ЛИТЕРАТУРА Общая
1. Cottrell Л. Я., Dislocations and Plastic Flow in Crystals, London, 1953 (имеется перевод: Коттрел А., Дислокации и пластическое течение в кристаллах, M., 1957).
2. Friedet Les Dislocations, Paris, 1956, English edition (enlarged), Oxford, 1964 (имеется перевод: Фриделъ Ж., Дислокации, изд-во «Мир», 1967).
3. Read W. Т., Dislocations in Crystals, New York and Maidenhead, 1953 (имеется перевод: Рид, В., Дислокации в кристаллах, M., 1957).
4. Amelinckx S., The Direct Observation of Dislocations, Solid State Physics, Suppl. 6, New York and London, 1964 (имеется перевод: Методы прямого наблюдения дислокаций, изд-во «Мир», 1968).
5. Weertman J.у Weertman J. R., Elementary Dislocation Theory, New York, 1964.
6. Hull D., Introduction to Dislocations, Oxford, 1965 (имеется перевод: X а л л Д. Введение в дислокации, M., 1968).
По отдельным вопросам
7. Polanyi M., Zs. Phys., 89, 660 (1934).
8. Orowan ?., Zs. Phys., 89, 605, 614, 634 (1934).
9. Taylor G. I., Proc. Roy. Soc, АІ45, 362 (1934).
10. Bilby В. A., Journ. Inst., Metals, 76, 613 (1950).
11. Mott N. F.у Nabarro F. R. N.y Report on Strength of Solids, Physical Society, London, 1948.
12. Peierls Я., Proc. Phys., Soc, 52, 34 (1940); Nabarro F. R. N.y Proc. Phys. Soc.t 59, 256 (1947).
13. Frank F. Cy Read W. Г., Phys. Rev., 79, 722 (1950).
14. Bragg W- L.y Nye J. F.f Proc. Roy. Soc, A190, 474 (1947).
15. Lomer W. M., Proc. Roy. Soc, A196, 182 (1949).
16. Burton W. K., Cabrera N.y Frank F. C, Phil. Trans. Roy. Soc, A243, 299 (1949).
17. Griffin L. J., Phil. Mag., 41, 196 (1950).
18. Forty A. J.у Phil. Mag., 43, 949 (1952).
19. Ellis J.у Journ. Appl. Phys., 26, 1140 (1955).
20. Home F. Я., Nature, 169, 927 (1952).
21. Wyon G., Lacombe P., Bristol Conference on Defects in Crystalline Solids, 1955, p. 187.
22. Jacquet P. А.у Acta metall., 2, 752, 770 (1954).
23. Cresswell J. G., Powell J. A., Progress in Semiconductors, ed. A. F. Gibson et al., vol. 2, Heywood, 1957, p. 139.
24. Gilraan J- J.у Johnston W. G., Journ. Appl. Phys., 27, 3 (1956).
25. Stokes R. J., Johnson T. L.y Li C. K., Phil. Mag., 3, 718 (1959).
26. Dash W. C, Journ. Appl. Phys., 27, 1193 (1956).
