Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Хоникомб Р. -> "Пластическая деформация металлов" -> 24

Пластическая деформация металлов - Хоникомб Р.

Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов — М.: Мир, 1972. — 406 c.
Скачать (прямая ссылка): plasticdeformmetal1972.djvu
Предыдущая << 1 .. 18 19 20 21 22 23 < 24 > 25 26 27 28 29 30 .. 191 >> Следующая

до 1000—3000 А часто приводит к изменению дислокационных конфигураций и, например, более подвижные вннтовые компоненты часто выходят из фольги.
Дислокации могут выявляться даже более непосредственно, при разрешении изображения атомных плоскостей, если методом просвечивающей электронной микроскопии исследуется тонкий кристалл вещества с относительно большим м е ж її л ос к ост н ы м расстоянием и металлическими атомами ¦большого размера. Используя такой метод, Ментер [32] получил прямое изображение плоскостей решетки в кристаллах фталоцианинов платины и меди, в которых межплоскостное расстояние составляет примерно 12 А. Эти плоскости обычно имели правильное расположение, но наблюдались и отдельные случайные дислокации. Более чувствительный метод выявления
56
Глава З
дефектов состоит в получении муаровых картин от наложенных друг на друга двух тонких кристаллов слегка отличной ориентировки; муаровые картины связаны с особым видом контраста, благодаря которому в большом масштабе воспроизводится изображение имеющихся в кристаллах различных дефектов, таких, как дислокации. Указанным способом наблюдалось расположение дислокаций в пленках золота и палладия.
В последнее время разрешающая способность электронных микроскопов возросла еще больше, в результате чего удалось получить прямое изображение решеток с меньшими межплоскостными расстояниями. Так, например,
были сфотографированы плоскости {020} в кристаллах Mo2O3 (d — 6,9 А), а совсем недавно успешно наблюдались плоскости {110} в меди с межплоскостным расстоянием 1,36 А.
6. Литоиоииая нивроскоиия
Метод автоионной микроскопии [33] позволяет получать сильно увеличенные изображения образца, имеющего форму тонкого острия из вольфрама или других металлов с высокой температурой плавления, на которых выявляются положения некоторых отдельных атомов и кристаллография образца. Этим методом можно изучать как дислокации, так и точечные дефекты, например вакансии, которые остаются за пределами разрешения электронного микроскопа [49]; однако в случае дислокаций экспериментальные возможности более ограничены. Этот метод является весьма многообещающим для прямого изучения взаимодействия вакансий и атомов примесей с дислокациями.
7. Дифракции рентгеновских лучей
Рентгеновские лучи рассеиваются около дислокаций, так что при использовании подходящего метода визуализации можно получить резкие изображения дислокационных линий. Лэнг [34] показал, что расположение дислокаций можно выявить в относительно толстых сечениях, например порядка 100 мкм, однако метод обладает не очень высоким разрешением и ограничивается наблюдением малых деформаций х).
§ 9. Поля напряжений вокруг дислокаций
Из проведенного общего рассмотрения и описания дислокационных моделей должно быть ясно, что дислокации представляют собой малые центры внутренних напряжений в материале. Внутренние поля напряжений дислокаций имеют важное значение как с точки зрения свойств отдельных дислокаций, так и при взаимодействии дислокаций друг с другом.
Для описания полей напряжений дислокаций используется теория упругости [1, 2]. В ядре дислокации атомная структура столь сильно нарушена, что эта теория дает лишь весьма грубое приближение, но по мере увеличения расстояния от центра дислокации описание деформаций в рамках теории упругости становится все более точным. Для упрощения принимается, что дислокация представляет собой прямое линейное несовершенство в упруго изотропном кристалле (фиг. 3.2, а и б). Напряжения описываются в прямоугольных координатах х, у, гили в цилиндрических координатах г, 8, Z9 где в каждом случае ось 2 совпадает с направлением линии дислокации. Тогда, сравнивая относительные положения эквивалентных точек в совершенном кристалле и в кристалле с дислокацией, их координаты u, v и ш принимаем за х-, у- и s-компоненты смещения, связанного с присутствием дислокации.
х) Метод пригоден лишь при не слишком большой плотности дефектов.— Прим.
перев.
Элементарная теория дислокаций
57
1. Пале напряжении ираевой диелоаации
Расположим ось х вдоль вектора Бюргерса; тогда плоскость xz представляет собой плоскость скольжения. Выражения для смещений U1 г> и ш в направлениях X1 у и % имеют вид
*-?:[^і + ^^]-?[в + ^], (3.8)
где v—коэффициент Пуассона,
— Ь Г 1 — 2v і . cos 29 1 /0 пч
uj = 0. (3.10)
Таким образом, смещение, параллельное линии дислокации, равно нулю, и мы рассматриваем плоскую деформацию. Следовательно, имеют значение только нормальные напряжения, направленные вдоль осей х ш у, т. е. охх и Оуу, и сдвиговые напряжения %хю действующие вдоль оси у в плоскости, перпендикулярной оси ±. Другие составляющие напряжения сдвига равны нулю. Таким образом, действуют следующие напряжения в плоскости ху:
-Гн*Ч -*4Ці-«п Є (2+cos 26), (3.11)
— ffi У (g^ff^ _ - sin 8 cos 20 <\о\
Gb х{х* — у%) Gb cos Є cos 2Є
**» 2«(l-v) (г2 + ?*)* "~2я(і —V) г * ^3'13^
Наибольшее нормальное напряжение о\ж действует вдоль оси а; и является сжимающим над плоскостью скольжения и растягивающим под ней. Это можно наглядно представить себе при рассмотрении искажений вокруг краевой дислокации на модели из проволоки и шаров (фиг. 3.3).
Предыдущая << 1 .. 18 19 20 21 22 23 < 24 > 25 26 27 28 29 30 .. 191 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed