Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Херман Й. -> "Лазеры сверхкоротких световых импульсов" -> 41

Лазеры сверхкоротких световых импульсов - Херман Й.

Херман Й., Вильгельми Б. Лазеры сверхкоротких световых импульсов — М.: Мир, 1986. — 368 c.
Скачать (прямая ссылка): lazerisverhkorotkihsvetovih1986.djvu
Предыдущая << 1 .. 35 36 37 38 39 40 < 41 > 42 43 44 45 46 47 .. 103 >> Следующая


Для изготовления градиентных оптических волноводов разработаны простые методы прямой диффузии иоиов ряда металлов в LiNbO3 н ЦТаОз и обрат-

Ta б лица 4.2. Параметры и характеристики основных материалов для ОИС

Материал ОВ/материал подложки

Рабочий диапазон

длин волн, мкм

Показатель преломления (Я, мкм)

Метод изготовления OB

Потерн. дБ/см (?, мкм)

Полупроводниковые материалы

GaAszGai-XAWs(GaAsi-XP1) GaAs/rt+GaAs Gai-xAljrAs/Gai-yAlyAs *

GaAsi -*Р*/я+ - Ga P

GaP/Gai-xAlxP^-GaP)

Zn0/Si02/Si As2S3/Si02/Si

0,9 11 3,40(1,3) Эпитаксия
0,9 '11 3,40(1,3) »
0,9.; :n 3,1 3,4 »
(1,15)
0,6.. .10 3,21 3,3 »
(0,63)
0,6 3,31 (0,63) »
0,2.. .4 2,0(0,63) Катодное
0,6.. .10 распыление
2,48 (0,63) Вакуумное
напыление

Монокристаллы активных диэлектриков

Ti: LiNb03/LiNb03

H : LiNb03/LiNb03

LiNb03/LiTa03 Li (Nbi-*T a*) O3ZLiTaO3 Ag : LiTaO3ZLiTaO3

BiiuTiOWBiiuGeOjo Bi12Si02o/Bii2Ge02o (Ys-xGdx) (Fes-JlGai,) Oi2/GdGaOtt

0,4.. 4,5 2,21 2,29 Диффузия
4,5 (0,63)
0,4.. 2,35 (0,63) Протонный
обмен
0,4 4,5 2,29(0,63) Эпитаксия
0,4. '4,5 2,17(0,63) »
0,4.; 4,5 2,2110,63) Ионный
обмен
0,45 ..7,5 2,57(0,63) Эпитаксия
0,45 . 7,5 2,57(0,63) »
1 5 1,8 2,3 »
(1,15)

x<y.

95 ной диффузии ЬігО из LiNbO3. Получаемые OB имеют потери менее 1 дБ/см. Наиболее широко в настоящее время используется диффузия титана в LiNbO3, позволяющая получать высококачественные волноводы с контролируемыми параметрами. Проведены исследования кинетики и параметров диффузии Ti в LiNbO3 Для получения волноводных структур с заданными параметрами, а также разработаны различные методы подавления обратной диффузии LiO2 в процессе диффузии ионов металла.

Перспективными для интегральной оптики являются монокристаллические эпитаксиальные слои LiNbO3 и Li(Nbi-*Ta*)03 [145, 146], получаемые из расплава методом жидкофазной эпитаксии на подложках LiTaO3. Пленарные OB на их основе имеют потери 1 дБ/см на длине волны 0,63 мкм и могут быть получены на подложках как Z-, так и Y- и Х-среза.

Возможно получение волноводных структур в LiNbO3 X-, Y- и Z-среза методом протонного обмена из расплава бензойной кислоты. Данный процесс является низкотемпературным («250°С), а получаемые волноводы имеют потери порядка 1 дБ/см [115]. Проведение последовательно двух технологических процессов: диффузии титана и протонного обмена — позволяет контролируемым образом изменять двулучепреломление волновода и даже получать изотропные OB в виобате лития.

Волноводы на основе LiTaOa по своим электрооптическим и пьезоэлектрическим свойствам приближаются к LiNbO3, однако обладают существенно большей стойкостью к фоторефрактивному эффекту. Используя технологию ионного обмена из расплава нитрата серебра, в монокристаллах LiTaO3 при температуре около 340 0C получены OB1 потери в которых меньше 1 дБ/см, а приращение показателя преломления может варьироваться в пределах от 0,05 до 0,13 [115].

Монокристаллы активных диэлектриков типа силленитов обладают большими значениями пьезоэлектрических, электро- и акустооптических параметров, значительной оптической активностью и фотопроводимостью, а также возможностью оптической записи информации [115]. Эпитаксиальные волноводные слои на основе силленитов различных составов (BitfSiO2O, Bi12TiO2O) получают методами жидкофазной эпитаксии и высокочастотного распыления. На длине волны 0,63 мкм потери в волноводных структурах такого типа составляют от 5 до 10 дБ/см. Волноводные структуры на основе монокристаллов силикосил-леиита находят применение для разработки и создания различных волноводных устройств, управляемых электрическим полем и оптическим излучением.

Большой интерес представляют также магнитооптические материалы, на основе которых разрабатывается целый класс активных ИО-усгройств. Значительный магнитооптический эффект в различных гранатах обусловливает их применение для создания волноводных модуляторов и невзаимных оптических устройств. Такие OB получают методом жидкофазной эпитаксии. Общая формула гранатов имеет вид R3B5Oi2, где в качестве R могут быть ионы Y, La, Bi, трехвалентные ионы редкоземельных элементов или комбинация этих ионов, а в качестве В—Fe, Ga, Al либо комбинация трехвалентных ионов. Выбором ионов редкоземельных элементов постоянную решетки волноводного слоя можно непрерывно изменять, что обеспечивает совершенное согласование параметров кристаллической решетки материала пленки и подложки. На основе гранатов различного состава получены эпитаксиальные волноводные слои высокого качества, прозрачные в области свыше 1 мкм и имеющие потери меньше 0,1 дБ/см.

96 Материалы, легированные ионами Nd, применяются в миниатюрных лазерных устройствах, работающих на длине волны 1,06 мкм. В настоящее время исследованы такие материалы, как пентафосфаты Nd и NdLa, эпитаксиальные пленки алюмоиттриевых гранатов, легированных Nd, которые выращены на подложках алюмоиттриевых гранатов и сапфира. Методом высокочастотного распыления получены тонкопленочные оптические волноводы на основе бариевого стекла, легированного Nd, в которых потери не превышают 0,15 дБ/см. Весьма перспективны для создания твердотельных микролазеров для интегральной оптики и BOJIC тетрафосфаты редкоземельных элементов KReP4O12, легированные соответствующими ионами (Re=Nd1 La, Gd). В настоящее время разработана новая технология низкотемпературного выращивания лазерных волноводных структур на подложках KLaP4Oi2 (длина волны генерации 1,051 мкм) [59].
Предыдущая << 1 .. 35 36 37 38 39 40 < 41 > 42 43 44 45 46 47 .. 103 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed