Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Грибковский В.П. -> "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках" -> 163

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках — М.: Наука и техника , 1975. — 464 c.
Скачать (прямая ссылка): teoriyapoglosheniyaiispuskaniya1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 157 158 159 160 161 162 < 163 > 164 165 166 167 168 169 .. 176 >> Следующая

9, 435, 1969.
518. Е. Ф. Гросс, Ф. И. К рей нго ль д. Биэкситон в кристалле 'Си20. Письма ЖЭТФ, 12, 98, 1970.
519. R. Levy, J. В. Grun. Optical properties of Strongly Excited Direct Band GaP Materials. Phys. Stat. Solidi (a), 22, 11, 1974.
520. Я. E. Покровский, К. И. Свистунов а. Рассеяние каплями конденсированной фазы неравновесных носителей в германии. Письма ЖЭТФ, 13, 297, 1970.
521. Я- Е. Покровский. Оптические явления, возникающие при конденсации неравновесных электронов и дырок в полупроводниках. Сб. «Нелинейные процессы в оптике», вып. 2. Новосибирск, Изд-во АН СССР, 1972, стр. 302.
522. В. М. А с н и н, А. А. Р о г а ч е в, С. М. Р ы в к и н. Переход к металлическому типу проводимости при большой концентрации экситонов. ФТП, 1, 1742, 1967.
523. В. С. В а в и л о в, В. А. 3 а я ц, В. Н. М у р з и н. Резонансное поглощение, рассеяние и излучение электронно-дырочных капель в германии в области их плазменной частоты. Письма ЖЭТФ, 10, 304, 1969.
524. Л. В. Келдыш. Заключительное слово. Тр. IX Междун. конф. по физике полупроводников, т. 2. Л, «Наука», 1969, стр. 1384.
525. Л. В. Келдыш, А. Н. Козлов. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках. ЖЭТФ, 54, 978, 1968.
526. Л. В. Келдыш. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках. Сб. «Экситоны в полупроводниках». М, «Наука», 1971, стр. 5.
527. A. Wheeler. Polyelectrons. Annals of the New York Academy of Sciences. 48, 221, 1946.
528. E. A. H у 11 e r a a s, A. О r e. Binding Energy of the Positronium molecule. Phys. Rev., 71, 493, 1947.
440
529 M. D е u t s с h. Evidence for the formation of positronium m gases. Phys. Rev., 82, 455, 1951.
530. M. A. L a m p e r i. Mobile and immobile effective-mass-particle complexes in nonmetallic solids. Phys. Rev., 1, 450, 1958.
531. С. A. M о с к а л e н к о. К теории экситона Мотта в щелочно-галоидиых кристаллах. Опт. и спектр., 5, 147, 1958.
532. R. Е. М errifield. Interaction of excitation wames in a onedimensional molecular crystal. Bull. Amer. Phys. Soc., 11, 4, 163, 1959.
533. H. M. James, A. S. С о о 1 i d g e. A Correction and Addition to the Discussion of the Ground State of H2. J. Chem. Phys., 3, 129, 1935.
534. R. R. S h a r m a. Binding energy of the positronium molecule Phys. Rev.,
11, 36, 1968.
535. O. Akimoto, E. Hanamura. Binding energy of the excitonic molecule. Solid State Commun., 10, 253, 1972.
536. H. S о u m a, T. G о t о, Т. О h t a, M. U о t a. Formation and radiative recombination of free excitonic molecule in CuCl by ruby laser excitation. J. Phys. Soc. Japan, 29, 697, 1970.
537. Б. B. 3 у б о в, В. А. К а л и н у ш к и н, Т. М. М у р и и а, А. М. П р о-хоров, А. А. Рогачев. Излучательная рекомбинация в германии при объемном возбуждении. Сб. «Нелинейные процессы в оптике». Новосибирск, Изд-во АН СССР, 1972.
538. В. М. А с н и н, А. А. Рогачев, Н. П. С а б л и н а. Биэкситоны в германии. ФТП, 4, 808, 1970.
539. В. М. Аснин, Б. В. Зубов, Т. М. Мурина, А. М. П р о х о р о в,
А. А. Рогачев, Н. И. С а б л и н а. Излучательная рекомбинация биэкситонов в германии. ЖЭТФ, 62, 737, 1972.
540. В. М. А с н и н, А. А. Р о г а ч е в, Н. И. С а б л и н а. Кинетика излу-чательной рекомбинации биэкситонов в Ge. ФТП, 5, 1846, 1971.
541. А. А. Рогачев. Биэкситоны и конденсация экситонов в полупроводниках. Изв. АН СССР, сер. физич., 37, 229, 1973.
542. Н. И. С а б л и н а. Взаимодействие экситонов в германии. Автореферат кандидатской диссертации. Л., ФТИ, 1972.
543. Л. В. Келдыш. Электронно-дырочные капли в полупроводниках. УФН, 100, 514, 1970.
544. Я- Е. Покровский, К. И. Свистунов а. Рекомбинационное излучение конденсированной фазы неравновесных носителей заряда в германии. ФТП, 4, 491, 1970.
545. А. С. Каминский, Я. Е. Покровский, Н. В. Алкеев. Конденсация неравновесных носителей заряда в Si. ЖЭТФ, 59, 1937, 1970.
545а. В. С. Б а г а е в, Н. А. П е н и н, Н. Н. С и б е л ь д и н, В. А. Цветков. Влияние температуры на условия конденсации электронов в германии. ФТТ, 15, 3269, 1973.
546. Б. М. А ш к и н а д з е, И. П. Крецу, С. М. Рыв кии, И. Д. Я р о-ш едкий. Коллективные свойства экситонов в кремнии. ЖЭТФ, 58, 507, 1970.
547. А. А. П а т р и н. Исследование неравновесных явлений в кремнии при высоких уровнях возбуждения. Автореф. канд. дис. Минск, 1971.
548. В. М. A s h k i n a d z е, I. P. Kretsu, А. А. Р a t г i n, I. D. Yaro-shetskii. Infrared absorption by excitons and associates in silicon. Phys. Stat. Solidi, 46, 495, 1971.
549. Б. М. Ашкинадзе, А. А. Патрин, И. Д. Ярошецкий. Поглощение света неравновесными носителями и рекомбинация в кремнии при высоких уровнях возбуждения. ФТП, 5, 1681, 1971.
550. Я. Е. Покровский, К- И. Свистунов а. Диффузия неравновесных носителей заряда в германии при низких температурах. ФТТ, 13 1485, 1971.
551. Я- Е. Покровский, К. И. Свистуиова. Отрицательный заряд электронно-дырочных капель в германии. Письма ЖЭТФ, 19, 92, 1974.
441
552. Ef. М. А с н и н, А. А. Рогачев, Н. И. Сабли на. Гигантские флуктуации фототока в германии. Письма ЖЭТФ, 11, 162, 1970.
Предыдущая << 1 .. 157 158 159 160 161 162 < 163 > 164 165 166 167 168 169 .. 176 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed