Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
503.
504.
505.
506.
Т. Л. Г в а р д ж а л а д з е, И. А. П о л у э к т о в, В. С. Р о й т б е р г. Эффекты когерентности при взаимодействии ультракороткого импульса света с GaAs в условиях двухфотонного межзонного поглощения. Краткие сообщ. по физ., № 3, 7, 1973.
Ф. Б р ю к н е р, В. С. Д н е п р о в с к и й, Д. Г. К о з у к, В, У. X а т т а-р о в. Самоиндуцированная прозрачность в полупроводнике при однофотонном возбуждении ультракоротким импульсом света. Письма ЖЭТФ, 18, 27, 1973.
Т. Л. Г в а р д ж а л а д з е, А. 3. Г р а с ю к, И. Г. 3 у б а р е в, П. Г. Крюков, О. Б. Шатберашвили. Взаимодействие ультракороткого импульса неодимового лазера с GaAs. Письма ЖЭТФ, 13, 159,
1971.
Т. Л. Г в а р д ж а л а д з е, А. 3. Грасюк, В. А. Коваленко. Самопрозрачность в арсениде галлия при двухфотонном взаимодействии с ультракоротким световым импульсом. ЖЭТФ, 64, 446, 1973.
И. Г. 3 у б а р е в, Ю. А. М а т в е е ц, А. Б. М и р о н о в, О. Б. Ш а т-берашвили. Аномально высокая прозрачность арсеиида галлия при взаимодействии с пикосекундными импульсами света. Изв. АН СССР, сер. физич., 37, 2099, 1973.
А. 3. Г р а с ю к, И. Г. 3 у б а р е в, В. В. Л о б к о, Ю. А. М а т в е е ц,
A. Б. Миронов, О. Б. Шатберашвили. Зависимость двухфотонного поглощения в GaAs от длительности световогб импульса. Письма ЖЭТФ, 17, 584, 1973.
И. П. П о л у э к т о в, Ю. М. Попов, В. С. Р о й т б е р г. Распространение ультракороткого импульса света в полупроводниках в условиях двухфотонного резонанса. Сб. «Квантовая электроника», № 4. М., «Советское радио», 1972, стр. 111.
B. В. Широкшина, Э. Н. Константинов. Увеличения интенсивности свечения электролюминесцентных низковольтных диодов арсенида галлия. Опт. и спектр., 20, 173, 1966.
В. П. Грибковский. Зависимость пропускания полупроводниковых фильтров от интенсивности света. ЖПС, 13, 805, 1970.
Методы расчета оптических квантовых генераторов, 1. Под. ред. Б. И. Степанова. Минск, «Наука и техника», 1966.
А. А. Г р и н б е р г, Р. Ф. М е х т и е в, С. М, Р ы в к и н, В. М. С а л-манов, И. Д. Ярошецкий. Поглощение лазерного излучения и разрушение в полупроводниках. ФТТ, 9, .1390, 1967.
A. Е. Michel, М. I. Nathan. Saturation of the optical absorption in GaAs. Appl. Phys. Lett., 6, 101, 1965.
B. В. Арсеньев, В. С. Днепровский, Д. Н. Кнышко,
A. Н. П е н и н. Нелинейное поглощение и ограничения интенсивности света в полупроводниках. ЖЭТФ, 56, 760, 1969.
М. П. Л и с и ц а, П. И. С и д о р к о, П. Е. М о з о л ь, Н. И. В и т р и-ховский. Двухфотонное поглощение в монокристаллах CdSxSei-*. Сб. «Квантовая электроника», № 5. М., «Советское радио», 1972, стр. 133.
D. A. Kleinraan, R. С. Miller, W. A. Nordlomd. Two-photon absorption of Nd laser radiation in GaAs. Appl. Phys. Lett., 23, 243, 1973. J. F. R e i n t j e s, J. С. M с G г о d d y. Inderect twophoton transitions in Si at 1,06 jim. Phys. Rev. Lett., 30, 901, 1973.
И. Д. Коньков, А. Г. Розанов, H. В. Ч e б у p к и н. О просветлении марки стекла КС-19 некогерентным излучением. ЖПС, в, Н8,
B. С. Д и е п р о в с к и й, Д. Н. Клышко, А. Н. Пенни. Нелинейное поглощение излучения рубинового лазера в CdS, ZnS и SIS. Сб. «Нелинейная оптика». Новосибирск, Изд-во АН СССР, 1968, стр. 83. Л. Г. 3 и м и н, В. П. Г р и б к о в с к и й. Изменение пропускания мо-иокристаллических пластии ZnTe под действием лазерного возбуждения. ФТП, 7, 1252, 1973.
439
507. Л. Н. Галкин. Эффект просветления в кристаллах ZnS (СО) под действием гигантских импульсов рубинового оптического квантового генератора. ДАН СССР, 170, 315, 1966.
508. М. П. Лисица, Н. Р. Кумин, П. Н. К о в а л ь, В. И. Г е е ц. Влияние излучения лазера на прозрачность стекол КС-19. Опт. и спектр., 23, 981, 1967.
509. М. С. Б р о д и н, А. М. К а м у з. Исследование интенсивного излучения рубинового лазера на оптические свойства кристалла CdS. УФЖ,
14, 517, 1969.
510. J. P. Woerdman. Difraction of light by laser generated free carriers in Si: dispersion or absorption? Phys. Lett., A32, 305, 1970.
511. Ф. К- Рутковский, В. П. Грибковский. Распределение и поглощение радиации накачки. В кн.: Методы расчета оптических квантовых генераторов, 2, под ред. Б. И. Степанова. Минск, «Наука и техника», 1968, стр. 7.
512. Ф. К. Рутковский, В. П. Грибковский. Распределение плотности интенсивной радиации в поглощающем образце. ЖПС, 3, 32, 1965.
513. J. R. Haynes. Experimental observation of the excitonic molecule. Phys. Rev. Lett., 17, 860, 1966.
514. B. Guillaume, О. P a г о d i. Effet Zeeman sur la lumiere de recombinaison intrinsegue dans le la germanium. J. Electr. Control, 6, 356 1959.
515. J. R. P a с k a r d, D. A. С a m p b e 11, W. С. T a i t. Evidence for indirect annihilation of free excitons in II—IV semiconductor lasers. J. Appl. Phys, 38, 5255, 1967.
516. A. M у s у г о w i с z, J. B. G r u n, R. Levy, A. В i v a s, S. Nikiti-n e. Excitonic molecule in CuCl. Phys. Lett, 26A, 615, 1968.
517. Я. E. Покровский, К- И. С в и с т у н о в а. Возникновение конденсированной фазы неравновесных носителей в германии. Письма ЖЭТФ,
