Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Грибковский В.П. -> "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках" -> 160

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках — М.: Наука и техника , 1975. — 464 c.
Скачать (прямая ссылка): teoriyapoglosheniyaiispuskaniya1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 154 155 156 157 158 159 < 160 > 161 162 163 164 165 166 .. 176 >> Следующая

418. Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Зависимость поляризации люминесценции системы частиц с тремя уровнями энергии от интенсивности света. Опт. и спектр., 8, 224, 1960.
419. В. П. Грибковский. Нелинейные оптические явления и границы применимости классической теории гармонического осциллятора. Автореферат кандидатской диссертации. Минск, 1960.
420. В. П. Грибковский. Нелинейные оптические явления. Сб. «Взаи- ' модействие неравновесного излучения с веществом». Минск, Изд-во АН БССР, 1965, стр. 66.
421. ^Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Применение вероятностного метода для расчета оптических квантовых генераторов света. УФН, 82, 201, 1964. '
422. П. А. Апанасевич. О вероятностном методе расчета свойств, поглощения и испускания. Изв. АН СССР, сер. физич., 24, 509, 1960.
423. П. А. Апанасевич. Поглощение и преобразование потоков излучения. Опт. и спектр., 14, 612, 1963.
424. П. А. Апанасевич. Поглощение мощных немонохроматических потоков излучения. ДАН БССР, 7, 22, 1963.
425. А. М. Ратнер, А. М. Фишер. О применимости приближения диэлектрической проницаемости и балансных уравнений в теории лазера. Сб. «Квантовая электроника и оптика». Харьков, Изд-во АН УССР,
1970, стр. 96.
426. В. П. Грибковский, Б. И. Степанов. Зависимость коэффициента поглощения от интенсивности и углового распределения облучающей радиации. Опт. и спектр., 14, 484, 1963.
427. А. Н. С е в ч е н к о, А. А. Ковалев, В. А. П и л и п о в и ч, Ю. В. Раз вин. О поляризованном излучении генерации растворов органических красителей. ДАН СССР, 179, 562, 1968.
428. Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Поглощение и люминесценция гармонического осциллятора. ДАН СССР, 121, 446, 1958.
429. В. П. Грибковский, Б. И. Степанов. Поляризация люминесценции гармонического осциллятора. Опт. и спектр., 8, 176, 1960.
430. В. П. Грибковский. Естественный контур спектральной линии гармонического осциллятора. Beoti АН БССР, сер. ф1з.-тэхн. навук, № 1, 43, 1960.
431. V. Weisskopf, Е. Wigner. Uber die naturarliche Liniebreite in der Strahlung des harmonischen Oszillatoi's. Zeitschr. f. Physik, 65, 18, 1930.
432. В. И. Федоров. Применение метода функционалов к некоторым вопросам теории излучения. Уч. зап. ЛГУ, сер. физич., 146, 33, 1952.
433. В. П. Грибковский. О нарушении закона Бугера в полупроводниках. ФТП, 3, 944, 1969.
434. В. П. Грибковский. Насыщение люминесценции, поглощения и усиления света в полупроводниках. Сб. «Квантовая электроника и лазерная спектроскопия». Минск, Ин-т физики АН БССР, 1971, стр. 212.
435. В. П. Грибковский. Люминесценция, поглощение и стимулированное испускание света при интенсивном возбуждении. Автореферат докторской диссертации. Минск, 1972.
436. Э. И. Адирович, П. И. Книгин. Фотопроводимость при больших световых потоках и эффективное сечение бимолекулярной рекомбинации в кремнии. ДАН СССР, 158, 570, 1964.
437. Е. Y. Conway. Linght-induced modulation of broad band optical absorption in CdS. J. Appl. Phys., 41, 1689, 1970.
438. Л. И. Блинов, В. С. Вавилов, Г. Н. Г а л к и н. Изменение оптических свойств и концентрации носителей заряда в Si и GaAs при интенсивном фотовозбуждении рубиновым ОКГ. ФТП, 1, 1351, 1967.
439. О. С. 3 и н е ц, В. Л. С т р и ж е в с к и й. Фотоэффект в полупроводниках при высоких уровнях освещения. ФТП, 2, 1215, 1968.
440. В. П. Грибковский, Г. Н. Я с к е в и ч. Оже-рекомбинация в полупроводниках при интенсивном возбуждении. ЖПС, 20, 406, 1974.
441. П. А. Апанасевич. Нелинейная поляризация под действием резонансного немонохроматического излучения. ЖПС, 12, 231, 1970.
442. О. Н. К р о х и н. Коэффициент усиления и эффект насыщения в полупроводниках при однородном возбуждении. фТТ, 7, 2612, 1965.
436
443. Ю. Л. Климонтович, Э. В. Погорелова. О поляризации полупроводников с учетом насыщения (модель двух зон). ЖЭТФ, 50, 605,
1966.
444. Ю. Л. Климонтович, Э. В. Погорелова. К теории оптического возбуждения полупроводников. Поглощение и дисперсия при однофотонных и двухфотонных процессах. ЖЭТФ, 51, 1722, 1966.
445. F. Stern. Saturation in Semiconductor Absorbers and Amplifier of Light. Physics of Quantum Electronics, Conf. Proc. San Juan Puerto Rico, 1966, p. 442
446. В. К- Кононенко, В. П. Грибковский. Эффект насыщения в полупроводниковых усилителях света и фильтрах. Опт. и спектр, 29, 975, 1970.
447. W. W. R i g г о d. Gain saturation and output power of optical masers. J. Appl. Phys, 34, 2602, 1963.
448. А. Ф. Д и т e, В. Б. T и м о ф е е в, В. М. Ф а й н, Э. Г. Я ш и н. Насыщение поглощения в экситон-фононном спектре CdSe. Препринт ИФ ТТ АН СССР. М„ 1969.
449. В. М. Ф а й н, Я. И. X а н и н. Квантовая радиофизика. М, «Советское радио», 1965.
450. Н. Б л о м б е р г е н. Нелинейная оптика. М, «Мир», 1966.
451. В. М. Файн. Фотоны и нелинейные среды. В кн.: Квантовая радиоэлектроника, т. 1. М, «Советское радио», 1972.
452. М. Шуберт, Б. Вильгельм и. Введение в нелинейную оптику. М, «Мир», 1973.
453. А. М. Б о н ч-Б руевич, В. А. Ходовой. Многофотонные процессы. УФН, 85, 3, 1965.
454. Л. Н. О вен дер. Нелинейные оптические эффекты в кристаллах. УФН, 86, 3, 1965.
Предыдущая << 1 .. 154 155 156 157 158 159 < 160 > 161 162 163 164 165 166 .. 176 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed