Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
344. Ю. Ф. Новотоцки й-В л а с о в. Исследование природы доминирующих центров рекомбинации на реальной поверхности германия. Тр. ФИ АН БССР, 48, 3, 1969.
345. I. G. Neizvestny, V. N. Ovsyuk. Statistics of recombination through quasicontinuous spectrum of surface states. Physica Status Solidi (a), 18, 465, 1973.
346. V. L. Bone h-B ruevich, E. G. Landsberg. Recombination mechanisms. Phys. Status. Solidi, 29, 9, 1968.
347. M. D. S t u r g e. Optical absorption of gallium arsenide between 0.6 and 2.75 ev. Phys. Rev., 127, 768, 1962.
348. Y. P. V a r s h n i. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors. Physica, 34, 149, 1967.
349. E. J. Johnson. Absorption near the fundamental edge. Semiconductors and Semimetals. N. Y. Academic Press, 3, 153, 1967.
350. H. И. В и т p и x о в с к и й, М. В. К У Р и к, В. С. М а н т а р а. Край по-
432
глощения одноосно деформированных кристаллов CdS. ФТП, 7, 931,
1973.
351. С. И. Субботин, В. В. Панфилов, Л. Ф. Верещагин, Р. Т. Молчанова, Г. А. Ахундов. Смещение максимума экситонного поглощения и фазовый переход в селениде галлия под действием гидростатического давления. ДАН СССР, 202, 1039, 1972.
352. I. В а 1 s 1 е v. Influence of uniaxial stress on the indirect absorption edge in silicon and germanium. Phys. Rev., 143, 636, 1965.
353. В. Поль, Д. Варсиауэр. Роль давления при исследовании полупроводников. Сб. «Твердые тела под высоким давлением». М., «Мир»,
1966, стр. 205.
354. Л. А. Каплянский, Л. Г. Суслина. Деформационное расщепление основной экситонной линии в спектре отражения ZnTe. ФТТ, 7, 2327, 1965.
355. F. Н. Poliak, R. L. Aggarwal. Eifects of uniaxial stress on the free and bound exciton in GaSb at 1,7°K. Phys. Rev. B: Solid State, 4,
432, 1971.
356. К. Брэдли. Применение техники высоких давлений при исследовании твердого тела. М., «Мир», 1972.
357. А. Л. Полякова. Физические принципы работы полупроводниковых датчиков механических величин. Акустический журнал, 8, 1, 1972.
358. Л. В. Келдыш. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. ЖЭТФ, 34, 1138, 1958.
359. W. Franz. Einfluss eines elektrischen Feldes auf eine optische Absor-ptionskante. Z. Naturforsch., 13a, 484, 1958.
360. В. С. Вавилов, К- И. Брицын. Влияние сильного электрического поля на поглощение света кремнием. ФТТ, 2, 1937, 1960.
361. К- И. Брицын, В. С. Вавилов. Влияние электрического поля высокой частоты на край основной полосы оптического поглощения кремния. ФТТ, 3, 2497, 1961.
362. И. А. Меркулов, В. И. П е р е л ь. Электропоглощение в полупроводниках с крупномасштабными флуктуациями концентрации примесей. ФТП, 7, 1197, 1973.
363. С. Ф. Т и м о ш е в. О примесном поглощении света в сильном электрическом поле ниже края поглощения. ФТТ, 14, 2621, 1972.
364. В. К. С у б а ш и е в, Г. А. Ч а л и к я н. Эффект Франца—Келдыша и оптическое поглощение GaPxAsi-*. Тр. IX Междун. конф. по физике полупроводников, 1. Л., «Наука», 1969, стр. 397.
365. Т. Lukes, К. Т. S. Soma rath a. Optical absorption in Semiconductors with high impurity concentrations in the presence of an electric field. J. Phys. C: Solid State Phys., 3, 2044, 1970.
366. Г. А. Чаликян, В. К- С у б а ш и e в, П. К и ш а к. Эффект Франца-Келдыша в фосфиде галлия. ФТТ, 10, 442, 1968.
367. П. X а н д е р. Экситоны и эффект Франца—Келдыша. Тр. IX Междун. конф. по физике полупроводников, 1. Л„ «Наука», 1969, стр. 403.
368. Л. В. Келдыш, О. В. Константинов, В. И. Перед ь. Эффекты поляризации при межзонном поглощении света в полупроводниках в сильном электрическом поле. ФТП, 3, 1042, 1969.
369. S. Tomjyama, Y. It о. Changes of refractivity and nonlinear optical phenomena by Franz—Keldysh effect of silicon. Japan J. Appl. Phys.,
5, 1132, 1966.
370. M. Tokatsuji. Franz—Keldysh effect of refractive index at frequency. Japan J. Appl. Phys., 6, 118, 1967.
371. G. H. Wannier. Wave functions and effective Hamiltonian for Bloch electrons in an electric field. Phys. Rev., 117, 432, 1960.
372. J. Callaway. Optical absorption in an electric field. Phys. Rev., 130,
549, 1963.
28. Зак. 312
433
373 #J. Callaway. Optical absorption In an electric field. Phys. Rev., 134, 998, 1964.
374. A. G. Chynoweth, G. H. Wannier, R. A. Logan, D. E. Thorn a s. Observation of Stark splitting of energy bands by means of tunnelling transitions.
375. В. B. S n a v e 1 y. Electric-field-induced oscillations in absorption edge of CdS. Bull. Amer. Phys. Soc., 10, 344, 1965.
376. В. С. Вавилов, В. Б. Стопачинскнй, В. Ш. Чанбарисов. Осцилляции оптического поглощения в CdS, возникающие в сильных электрических полях. ФТТ, 8, 2660, 1966.
377. L. М. Lambert. Measurement of optical absorption in an electric field. Phys. Rev., 138, 1569, 1.965.
378. Ю. А. Курский, В. Б. Стопачинскнй. Электронные состояния и межзонные оптические переходы в сильных электрических полях в полупроводниках. ФТП, 1, 106, 1967.
379. Д. Б. Куше в,"В. И. Соколов, В. К- С у б а ш е в. Электропоглощение арсенида галлия. ФТТ, 13, 2965, 1971.
