Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Грибковский В.П. -> "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках" -> 157

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках — М.: Наука и техника , 1975. — 464 c.
Скачать (прямая ссылка): teoriyapoglosheniyaiispuskaniya1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 151 152 153 154 155 156 < 157 > 158 159 160 161 162 163 .. 176 >> Следующая

304. В. И. 3 а к р ж е в с к и й, Л. Н. П и х т и и, Д. А. Я с ь к о в. Оптическое поглощение на колебаниях решетки н локальные колебания бора в фосфиде галлия. ФТТ, 13, 2635, 1971.
305. D A. Kleinman, W. G. Spitzer. Infrared lattice absorption of GaP. Phys. Rev., 118, 110, I960.
306. W. Cochran, S. J. F r a'y, F. A. Johnson, J. E. Quarr.ington, N. Williams. Lattice absorption in gallium arsenide. J. Appl. Phys. Suppl., 32, 2102, 1961.
307. W. J. Turner, W. E. Reese. Infrared lattice bands in AlSb. Phys. Rev., 127, 126, 1962.
308. Э. В. Ill п о л ь с к и й. Атомная физика, т. 2. М.-—Л., Гостехиздат, 1959.
309. A. R. Beattie, Р. Т. L a n d s b е г g. Auger effect in semiconductors. Proc. Roy. Soc., A249, 1959.
310. P. T. Landsberg, A. R. Beattie. Auger effect in semiconductors. J. Phys. and Chem. Solids, 8, 73, 1959.
311. A. R. В e a 11 i e, P. T. Landsberg. Onedimensional overlap functions and their application to Auger recombination in semiconductors. Proc. Roy. Soc, A258, 486, I960.
312. E. А. Боброва, В. С. Вавилов, Г. Н. Г а л к и н. Межзонная ударная рекомбинация в кремнии и германии. ФТТ, 13, 3528, 1971.
313. A. R. В е a 11 i е, G. S m i t h. Recombination in semiconductors by a light hole auger transition. Phys. Status Solidi, 19, 577, 1967.
314. Y. T a n e. Electron impact ionization in semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 8, 215, 1959.
315. A. R. Beattie. Quantum efficiency in InSb. J. Phys. and Chem. Solids,
23, 1049, 1962.
316. В. H. И в a x н о, Д. H. На еле до в. Зависимость квантового выхода от энергии фотонов для р—«-переходов в InSb. ФТТ, 6, 2094, 1964.
317. Т. Masurni. Auger recombination in InAs, GaSb, InP and GaAs. J. Appl. Phys., 43, 4114, 1972.
318. B. JI. Бон ч-Б руевич, Ю. В. Гуляев. К теории ударной рекомбинации в полупроводниках. ФТТ, 2, 465, 1960.
319. Е. И. Толныго, К- Б. Толныго, М. К- Ш е й н к м а н. Оже-реком-бииация с участием носителей, связанных на различных центрах. ФТТ, 7, 1790, 1965.
320. D. Shone. Zur Theorie der Auger-Pozesse in III—V-Halbleitern. Z. Na-turforsch., 24a, 1752, 1969.
321. H. С. Барынев. Междузонная рекомбинация электронов и дырок в арсениде индия. ФТТ, 6, 3027, 1964.
322. В. Г. Алексеева, И. В. Карпова, С. Г. Калашников. Зависимость времени жизни электронов и дырок в германии от их концентрации. ФТТ, 1, 529, 1959.
323. И. В. Карпова, С. Г. Калашников. Время жнзнн электронов н дырок в сильно легированном германии. ФТТ, 5, 301, 1963.
324. R. Conrad t, J. Aengenheister. Minori by carrier lifetime in highly doped Ge. Solid State Commun, 10, 521, 1972.
325. I. V. Karpova, S. G. Kalashnikov. Lifetime of electrons and ho-
431
Jes in heavily doped germanium. Rept. Internat. Conf. Phys. Semiconductors. Exeter, 1962; London. Inst. Phys. and Phys. Soc., 1962, p. 880.
326. J. D. Beck, R. С о n r a d t. Auger-recombination in Si. Solid State Communs., 13, 93, 1973.
327. Л. М. Блинов, E. А. Боброва, В. С. Вавилов, Г. Н. Г а л к и н. О рекомбинации неравновесных носителей в кремнии при высоких уровнях фотовозбуждения. ФТТ, 9, 3221, 1967.
328. D. М. S a g 1 е s. The phonon-assisted Auger effect in semiconductors. Proc. Phys. Soc., 78, 204, 1961.
329. J. S. Blatemore. Recombination processes in tellurium. Proc. Conf. Semiconductors, Phys. Prague, 1961, p. 981.
330. Г. Г. Ковалевская, Д. H. Наслёдов, С. В. Слободчиков. Межзонная излучательная и ударная рекомбинация в 1пР. ФТП, 4,
780, 1970.
331. J. С. Т s a n g, P. J. Dean, Р. Т. Landsberg. Concentration quenching of luminescence by donors or acceptors in gallium phosphide and the impurity-band Auger model. Phys. Rev., 173, 814, 1968.
332. J. M. D i s h m a n. Radiative and nonra-diative recombination at neutral oxygen in p-type GaP. Phys. Rev. B: Solid State, 3, 2588, 1971.
333. R. Conradt, W. Wai delicti. Indirect band-to-band Auger recombination in Ge. Phys. Rev. Letters, 20, 8, 1968.
334. J. I. Pankove, L. Tomasetta, B. F. Williams. Identification of auger electrons in GaAs. Phys. Rev. Lett., 27, 29, 1971.
335. О. И. Львов, В. Л. Фридрих. К вопросу о переходах автоиониза-ционного типа с участием экситонов. Вестник ЛГУ, 16, 141, 1966.
336. С. Constantinescu, A. Goldenblum, М. Sostarichi. Auger effect and radiative recombination in re-GaAs-p-Al GaAs heterojunctions. Rev. roum. Phys., 16, 969, 1971.
337. К. H. Z s с h a n e r. Auger recombination in heavily doped p-type CaAs. Solid State Communs, 7, 1079, I960.
338. L. R. We is berg. Auger recombination in GaAs. J. Appl. Phys., 39, 6096, 1968.
339. L. H u 1 d t. Band-to-band Auger recombination in inderect gap semiconductors. Phys. Status. Solidi (a), 8, 173, 1971.
340. G. F. Neumark. Auger theory at defects application to states with two bound particles in GaP. Phys. Rev. B: Solid State, 7, 3802, 1973.
341. P. T. Landsberg. Non-radiative transitions in semiconductors. Phys. Stat. Solidi, 41, 457, 1970.
342. P. T. Landsberg, N. J. Adams. Radiative and auger processes in semiconductors, J. Luminescence, 7, 3, 1973.
343. А. В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., «Наука», 1971.
Предыдущая << 1 .. 151 152 153 154 155 156 < 157 > 158 159 160 161 162 163 .. 176 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed