Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Фаренбрух А. -> "Солнечные элементы: Теория и эксперимент" -> 3

Солнечные элементы: Теория и эксперимент - Фаренбрух А.

Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 280 c.
Скачать (прямая ссылка): solnechnieelementiteoriyaiexperement1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 < 3 > 4 5 6 7 8 9 .. 130 >> Следующая

Анализ этих вопросов представляет особый интерес для экспериментаторов, создающих элементы, которые содержат электрически активные границы раздела, и элементы, в которых важную роль играют энергетические уровни, связанные с фотоактивными цримесями. Отметим, что данные явления характерны для всех типов солнечных элементов, однако их влияние на свойства некоторых элементов может оказаться слабым.
И, наконец, мы хотели бы выразить признательность тем, кто рецензировал отдельные главы книги.
Кроме того, мы хотим поблагодарить аспирантов, устранивших в рукописи большое количество ошибок. Общение с ними способствовало также лучшему отбору материала книги. В заключение мы хотим выразить признательность организациям NSF - RANN, ERDA и Министерству энергетики за финансирование ряда исследований, о которых шла речь в книге.
СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ
А - диодный коэффициент
А*, А** — эффективные постоянные Ричардсона
Aa'^D ~ активная освещенная площадь и общая площадь диода
а - постоянная кристаллической решетки
С — емкость; коэффициент концентрации солнечного излучения
D - коэффициент диффузии атомов, носителей заряда
Dn,Dp - коэффициент диффузии электронов, дырок
Е - энергия
EA,ED - энергетические уровни акцепторов, доноров
Ес - энергия, соответствующая краю зоны проводимости
Ер - уровень Ферми
Ерп, Ерр - квазиуровни Ферми, для электронов, дырок
Eg - ширина запрещенной зоны
Ej - уровень химического потенциала в собственном полупроводнике
Ет - энергетический уровень рекомбинационного центра
Ev - энергия, соответствующая краю валентной зоны
Evac - энергия электрона в вакууме
Е0, Е00 — характеристические энергии для процесса переноса носителей заряда,
обусловленного термоэлектронно-полевой эмиссией 8 - напряженность электрического поля
/ - функция распределения Ферми
// - коэффициент заполнения вольт-амперной характеристики
g - объемная функция собирания (внутренний коэффициент собирания
носителей заряда)
Я - общая функция собирания
h - функция собирания, соответствующая границе раздела
/ - ток
Isc — ток короткого замыкания
J — плотность тока
JL, ^Ln> ^Lp ~ плотность фототока: общего, для электронов и дырок Jm - плотность тока, соответствующая максимальной выходной мощности
Jn,Jp - плотности электронного и дырочного токов
Jsc - плотность тока короткого замыкания
Jo - плотность обратного тока насыщения
Jo о - предэкспоненциальный множитель в выражении для Jq
К0,К1 - коэффициенты радиационного повреждения
к - постоянная Больцмана (1,38-10“23 Дж/К = 8,64-10~5 эВ/К)
к0 - равновесный коэффициент сегрегации
L - диффузионная длина носителей заряда
- диффузионная длина электронов, дырок
- относительные потери мощности на последовательном и шунтирующем сопротивлениях
- эффективная масса электронов, дырок
- эффективная масса туннелирующих носителей заряда
- масса покоя электрона (9,11-10 31 кг)
- концентрация
- концентрация акцепторов, доноров
- эффективная плотность состояний в зоне проводимости, валентной зоне
- поверхностная плотность состояний на границах зерен
- поверхностная плотность состояний на границе раздела
- концентрация рекомбинационных центров
- концентрация электронов
- собственная концентрация носителей заряда
- неравновесные концентрации электронов в материалах я- и р- типов проводимости
- равновесные концентрации электронов в материалах л- и р-типов проводимости
- показатель преломления
- удельная мощность
- удельная мощность, соответствующая оптимальной точке нагрузочной вольт^амперной характеристики
- облученность, создаваемая солнечным светом
- концентрация двдюк
- неравновесные концентрации дырок в материалах р- и я-типов про-
водимости
- равновесные концентрации дырок в материалах р- и л-типов проводимости
- поверхностная плотность заряда на границе раздела
- заряд электрона (|<?| = 1,6-НГ19 Кл)
- коэффициент отражения; сопротивление
- последовательное, шунтирующее и контактное сопротивления
- параметр, характеризующий состояние поверхности
- скорость рекомбинации на поверхности и границе раздела
- скорость рекомбинации на границах зерен
- температура
- коэффицкент прозрачности потенциального барьера (вероятность туннелирования носителей)
- время; толщина слоя
- скорость объемной рекомбинации
- темп рекомбинации на границах зерен
- напряжение
-диффузионный (встроенный) потенциал
- диффузионный потенциал (контактная разность потенциалов) на границах зерен
- напряжение, соответствующее максимальной выходной мощности
- напряжение холостого хода
- средняя тепловая скорость носителей заряда
Wj - ширина обедненного слоя
- ширина обедненного слоя, расположенного по одну сторону от границы зерна
Wf — толщина изолирующего слоя
х,у,г - координаты
а — оптический коэффициент поглощения; параметр в показателе степе-
ни экспоненциального множителя, входящего в выражение для туннельного тока Г - плотность потока фотонов
Г0 - плотность потока фотонов на фронтальной поверхности солнечного
элемента у - размер зерна
АЕ - разность энергий
АЕС, AEv - разрыв зоны проводимости, валентной зоны 8 - толщина слоя диэлектрика в МДП-структуре
Предыдущая << 1 .. 2 < 3 > 4 5 6 7 8 9 .. 130 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed