Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Фаренбрух А. -> "Солнечные элементы: Теория и эксперимент" -> 128

Солнечные элементы: Теория и эксперимент - Фаренбрух А.

Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 280 c.
Скачать (прямая ссылка): solnechnieelementiteoriyaiexperement1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 122 123 124 125 126 127 < 128 > 129 .. 130 >> Следующая

1.4. Решение уравнения переноса....................................... 16
1.4.1. Граничные условия......................................... 16
1.4.2. Поглощающий слой полу бесконечной толщины................. 16
1.4.3. Поглощающий слой конечной толщины при наличии рекомбинации носителей на тыльной поверхности........................... 19
1.4.4. Генерация фототока в структуре с р-п-переходом............ 19
1.5. Специальные вопросы:............................................. 21
1.5.1. Влияние электрического поля............................... 21
1.5.2. О постоянстве фототока в области перехода................. 23
1.5.3. Влияние высокого уровня инжекции.......................... 24
1.5.4. Анализ принятых допущений................................. 25
1.6. Измерение времени жизни и диффузионной длины неосновных носителей заряда......................................................... 28
1.6.1. Измерения Г методом Хайиса-Шокли при наличии электрического поля..................................................... 29
1.6.2. Затухание фотопроводимости................................ 30
1.6.3. Поверхностная фото-ЭДС.................................... 32
1.6.4. Фотоэлектромагнитный эффект............................... 33
1.6.5. Ток, возбуждаемый электронным и световым пучками.......... 33
1.6.6. Затухание напряжения холостого хода....................... 36
1.6.7. Релаксация емкости структуры металл-диэлектрик-полу-
проводник ................................................ 37
Глава 2. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРО ЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ.................................. 39
2.1. Введение......................................................... 39
2.2. Гомогенные переходы.............................................. ^
2.2.1. Свойства потенциального барьера в области перехода........ 42
2.2.2. Диффузионный механизм протекания тока в гомопереходах
с р- и и-областями бесконечно большой и конечной толщины 45
2.2.3. Положение квазиуровией Ферми в обедненном слое............ 49
2.2.4. Рекомбинационно-генерационный процесс в обедненном слое 50
2.2.5. Вольт-амперные характеристики элементов с гомогенным
переходом при различных механизмах переноса носителей заряда ..................................................... 55
2.2.6. Трехмерные объемные эффекты в гомогенных переходах 57
2.2.7. Модификации структуры солнечного элемента с гомогенным
переходом................................................. 59
2.3. Гетеропереходы................................................... 59
2.3.1. Основная модель........................................... 61
2.3.2. Сродство к электрону и разрывы энергетических зон......... 64
2.3.3. Справедливость модели резкого перехода.................... 64
276
2.4. Усовершенствованные модели гетероперехода........................ 65
2.4.1. Физическая природа энергетических состояний на границе
раздела.............................................: . . . 65
2.4.2. Влияние поверхностных состояний на электрические свойства гетеропереходов............................................... 68
2.4.3. Диполи иа границе раздела................................. 72
2.5. Модели кинетических явлений в гетеропереходах.................... 72
2.5.1. Инжекция и диффузия носителей в квазинейтральных областях ............................................................. 73
2.5.2. Рекомбинация и генерация носителей в обедненном слое .... 73
2.5.3. Прямая рекомбинация носителей заряда через состояния
на границе раздела, определяемая высотой барьера Шоттки 74
2.5.4. Протекание тока, обусловленное рекомбинацией носителей
заряда на границе раздела................................. 74
2.5.5. Туннелирование носителей.................................. 75
2.5.6. Термическая активация и туннелирование.................... 77
2.5.7. Гетероструктуры........................................... 82
2.6. Барьеры Шоттки, структуры металл-диэлектрик-полупроводник
и полупроводник-диэлектрик-полупроводник.......................... 83
2.6.1. Исходная модель барьера Шоттки............................ 84
2.6.2. Высота барьера............................................ 90
2.6.3. Происхождение состояний на поверхности и границе раздела 94
2.6.4. Приборы со структурой металл-диэлектрик-полупроводаик Ю0
2.6.5. Структуры полупроводник-диэлектрик—полупроводник. . . . 106
2.7. Омические контакты............................................... 107
Глава 3. РАСЧЕТ КПД ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ..................... 121
3.1. Идеальный солнечный элемент при наличии освещения................ 123
3.2. Влияние последовательного и шунтирующего сопротивлений........... 128
3.2.1. Оценочный расчет потерь мощности на сопротивлениях Я, и
Rp........................................................ 129
3.2.2. Модели с распределенными сопротивлениями.................. 131
3.2.3. Физические явления, обусловливающие последовательное и
шунтирующее сопротивления................................. 134
3.3. Другие способы анализа эффективности преобразования солнечной
Предыдущая << 1 .. 122 123 124 125 126 127 < 128 > 129 .. 130 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed