Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Фаренбрух А. -> "Солнечные элементы: Теория и эксперимент" -> 126

Солнечные элементы: Теория и эксперимент - Фаренбрух А.

Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 280 c.
Скачать (прямая ссылка): solnechnieelementiteoriyaiexperement1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 .. 130 >> Следующая

Kamieniecki. E. (1976). J. Phys. C. 9, 1211.
Kamins. T. 1. (1971)../. Appl. Phys. 42, 4357.
Kamins. Т. I.. Manoliu, J., and Tucker, R. N. (1972). Diffusion of impurities in polycrystalline Si. J. Appl. Phys. 43, 83.
Kazmerski, L. L. (1978). Solid-State Electron. 21, 1545.
Kazmerski, L. L. (1980a). Proc. I4ili IEEE Photovoltaic Specialists Conf., p. 281.
Kazmerski. L. L. (1980b). Electrical properties of polycrystalline semiconductor thin films. In “Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devices" (L. L. Kazmerski, ed.). p. 59. Academic Press, New York.
Kazmerski, L. L., and Juang, Y. 1. (1977). J. Vac. Sci. Technol. 14, 769.
Kazmerski, L. L., Berry, W. B.. and Allen, C. W. (1972). J Appl. Phys. 43, 3515.
Kazmerski, L. L., Ireland, P. J., and Sheldon, P. (1980). Proc. 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. p. 1311.
Kim, К. М., Cullen, G. W., Berkman, S., and Bell, A. E. (1977). “Silicon Ribbon Growth by the Inverted Stepanov Technique.’' Final Report, DOE/JPL-954465. (Available from National Technical Information Service. Springfield, Virginia.)
Koliwad, К. М., and Daud, T. (1980). Proc. 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. p. 1204.
Koliwad, К. М., Daud, Т., and Liu, J. K. (1979). Proc. EC Photovoltaic Sol. Energy Conf..
2nd, Berlin, p. 710. D. Reidel Publ., Dordrecht, Netherlands.
Korsh, G. J., and Muller, R. S. (1978). Solid-State Electron. 21, 1045.
Krajenbrink, F., Hoberg, P.. Montano, H.. and Zonio, K. (1981). J. Appl. Phys. 52, 1524.
Kumagawa. М.. Sinami, H., Terasaki, Т., and Nishizawa, J. (1968). Jpn. J. Appl. Phys. 7,
1332.
Lanza, C., and Hovel, H. J. (1977). IEEE Trans. Electron Devices ED-24, 392.
Lanza, C., and Hovel, H. J. (1980). IEEE Trans. Electron Devices ED-27, 2085.
Leamy, H. J., Pike, G. E., and Seager, С. H., eds. (1982). “Grain Boundaries in Semiconductors” (Proc. Mater. Res. Soc. Meet.. Boston. 1981). North-Holland Publ., Amsterdam.
Lesk, I. A., Baghdadi, A., Gurtler. R. W., Ellis, R. J., Wise, J. A., and Coleman, M. G.
(1976). Proc. 12th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. p. 173.
272
Lindholm, F. A., and Fossum, J. G. (1981). Proc. 15th- IEEE Photovoltaic Specialists Conf., p. 422.
Lopez-Otero, A. (1977). J. Cryst. Growth 42, 157.
Lopez-Otero, A. (1978). Thin Solid Films 49, 3.
Maissel. L. and Glang, R. (1970). "Handbook of Thin Film Technology." McGraw-Hill, New York.
Makino, Т., Nakamura, H., and Nakashita. T. (1980). J. Appl. Phys. 51, 5868. Makram-Ebeid, S. M. (1979). Proc. EC Photovoltaic Sol. Energy ConJ., 2nd. Berlin, p. 792.
D. Reidel Publ., Dordrecht, Netherlands.
Manasevit. H. M. (1974). A survey of the heteroepitaxial growth of semiconductor films on insulating substrates. J. CrySt. Growth. 22, 125.
Maninez, J., and Piqueras, J. (1980). Solid-State Electron- 23, 297.
Maruska, H. P., Ghosh, A. K., Rose, A., and Feng. T. (1980). Appl. Phys. Lett. 36, 381. Matart, H. F. (1971). "Defect Electronics in Semiconductors." Wiley (Interscience), New York.
McKelvey, J. P. (1957). Phys. Rev. 106, 910.
McKelvey, J. P. (1961). J. Appl. Phys. 32, 442.
Merchant; P., and Elbaum, C. (1976). Solid State Commun. 20, 775.
Merchant, P., and Elbaum, C. (1979). Phys. Rev. В 19, 2992.
Miller, G. L., and Orr, W. A. (1980). Appl. Phys. Lett. 37, 1100.
Milnes, A. G., and Feucht, D. L. (1976). Proc. 12th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., p.
997.
Morrison, S. R. (1956). Phys. Rev. 104, 619.
Movchan, B. A., and Demchishin, A. V. (1969). Fiz. Metal. Metalloved. 28, 653. (In Rus-
sian.)
Mueller, R. K. (1961). J. Appl. Phys. 32, 635, 640.
Nelson, R. J., Williams, J. S., Leamy, H. J., Miller, B., Casey, H/С., Jr., Parkinson, B. A..
and Heller, A. (1980). Appl. Phys. Lett. 36, 76.
Pearson, G. L. (1949). Phys. Rev. 76, 459.
Petritz, R. L. (1956). Phys. Rev. 104, 1508.
Petritz, R. L. (1958). Phys. Rev. 110, 1254.
Pike, G. E., and Seager, С. H. (1979). J. Appl. Phys. 50, 3414.
Raghuran, A. C., and Bunshah, R. F. (1972). J. Vac. Sci. Technol. 9, 1385.
Rai-Choudhury, P., and Hower, P. L. (1973). J. Electrochem. Soc. 120, 1761.
Rasmanis, E. (1963). Semicond. Prod. Solid State Technol. June, p. 30.
Rasminis, E. (1964). U.S. Patent No. 3,139,361.
Redfield, D. (1981). Proc. 15th IEEE Photovoltaic Specialists Conf, p. 1179.
Robinson, P. H., and D’Aiello, R. V. (1981). Appl. Phys. Lett. 39, 63.
Romeo, N. (1981). J. Cryst. Growth 52, 692.
Rothwarf, A. (1976). Proc. 12th IEEE Photoyoltaic Specialists Conf., p. 488.
Sato, H. (1972). Film growth. Annu. Rev. Mater. Sci. 2, 217.
Schins, W. J. H., Bezemer, J., and Radelaar, S. (1979). Proc. EC Photovoltaic Sol. Energy Conf. 2nd. Berlin, p. 734. D. Reidel Publ., Dordrecht, Netherlands.
Scholz, H., and Kluckhow, R. (1967). In “Crystal Growth" (H. S. Peiser, ed.), Proc. Inter.
Conf. Cryst. Growth, Boston, p. 475. Pergamon, Oxford.
Schwuttke, G. H. (1979). Proc. EC Photovoltaic Sol. Energy Conf, 2nd, Berlin, pp. 123, 130. D. Reidel Publ., Dordrecht, Netherlands.
Seager, С. H. (1981). J. Appl. Phys. 52, 3960.
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 .. 130 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed