Теория твердого тела - Давыдов А.С.
Скачать (прямая ссылка):
122
1. Локализованные состояния электрона в кристалле (128).
4
ОГЛАВЛЕНИЕ
§ 20. Приближенные методы вычисления одноэлектронных состояний 132
1. Вычисление эффективной массы электрона (132), 2. Приближение почти
свободных электронов (134). 3. Приближение сильно связанных электронов
(136).
§ 21. Вторичное квантование систем электронов..........................
139
1. Дырочное представление (143).
§ 22. Классификация твердых тел на основе энергетического......спектра их
одноэлектронных состояний.................................. 144
§ 23. Изоэнергетические поверхности .................................
149
§ 24. Плотность электронных состояний в шкале энергий................
151
§ 25. Статистика электронов в твердых телах .........................
153
1. Химический потенциал в полуметаллах и полупроводниках и его
зависимость от температуры (155).
Глава VI. Движение электрона в кристалле при наличии магнитного
поля......................................................... 161
§ 26. Собственные векторы и собственные значения заряженных
частиц в магнитном поле......................................... 161
§ 27. Эффективная циклотронная масса электрона проводимости . .
164
1. Связь циклотронной массы с тензором обратной эффективной массы
электрона (168).
§ 28. Методы экспериментального обнаружения циклического движения
электронов в магнитном поле 170
1. Циклотронный резонанс в полупроводниках и металлах (170).
§ 29. Квантование движения электрона в зоне проводимости при
наличии магнитного поля ......................................... 173
§ 30. Эффект де Гааза -ван Альвена.............................. . . . .
176
1. Магнитный пробой (182). 2. Превращение полуметалла в. полупровод-
ник и полупроводника в полуметалл в сильном магнитном поле (184).
§ 31. Низкочастотные электромагнитные волны в металлах.......... 186
§ 32. Гальваномагнитные эффекты в кристаллах..........................
191
1. Магнигосопротивление в малых и средних магнитных полях (192).
2. Магннтосолротнвлсние в очень сильных магнитных полях (198).
§ 33. Магнитоакустические реэонансные явления.........................
201
1. Поглощение звука в металле при наличии магнитного поля (206). 2.
Магни-тоакустическнй резонанс (212). 3. Гигантские осцилляции
коэффициента поглощения звука в сильных магнитных полях (215). 4.
Резонансное взаимодействие звука с геликонами (218).
Глава VII. Электрон-фононное
взаимодействие................................. 222
§ 34. Метод потенциала деформации в ковалентных кристаллах . . 222
1. Виртуальные фоноиы, сопровождающие электрон в ковалентном кристалле
(227). 2. Перенормировка спектра медленных электронов и испускание
фононов (229). 3. Взаимодействие электрона с деформацией решетки при
условии сильной связи (234). 4*. Эффективная масса электрона, сильно
Взаимодействующего с деформацией решетки (237). 5. Электрон, локализо-
ванный вблизи дефекта в ковалентном кристалле (244).
§ 35. Злектрон-фононпое взаимодействие в ионных кристаллах . , . 246
1. Адиабатическая теория взаимодействия электронов с оптическими фоно-
нами (249). 2. Адиабатическая теория взаимодействия электронов с опти-
ческими и акустическими фононамн (253).
§ 36. Квантовая теория взаимодействия электронов с фононами
в ионных кристаллах.............................................. 256
1. Смещение края зоны проводимости ноиных кристаллов и изменение
эффективной массы электрона (259). 2. Метод промежуточной связи в теории
взаимодействия электронов с фононамн (261).
§ 37* Адиабатическая теория возмущений при наличии трансляционной
симметрии...................................................... 263
§ 38*. Метод канонических преобразований в теории взаимодействия
электронов с фононами............................................ 272
ОГЛАВЛЕНИЕ 5
§ 39. Сверхпроводимость.............................................
278
1. Эффективное взаимодействие между электронами, обусловленное фононами
металла (281). 2. Каноническое преобразование Боголюбова в теории
сверхпроводимости (285).
Глава VIII. Оптическое поглощение в
полупроводниках....................... 292
§ 40. Структура краев зоны проводимости и валентной зоны некоторых
полупроводников 292
§ 41. Отклик кристалла на внешнее воздействие.......................
295
§ 42. Собственное поглощение фотонов в полупроводниках..............
299
1. Непрямые межзониые переходы (306). 2. Осцилляции магнитопоглоще-
ния (310).
§ 43. Экситоны Ванье-Мотта..........................................
311
1. Перенос экситоиами энергии электронного возбуждения (319). 2.
Диамагнитные экситоны (321). 3. Экситонно-примесные комплексы (323).
Кол-
лективные свойства экситонов (327).
Глава IX. Коллективные возбужденные состояния в молекулярных
кристаллах.................................................. 328
§ 44. Коллективные возбуждения кристалла с неподвижными молекулами
............................................................... 328
