Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Чопра К. -> "Тонколенточные солнечные элементы" -> 49

Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.

Чопра К., Дас С. Тонколенточные солнечные элементы — М.: Мир, 1986. — 435 c.
Скачать (прямая ссылка): tonkosloyniesolnichnieelementi1986.djvu
Предыдущая << 1 .. 43 44 45 46 47 48 < 49 > 50 51 52 53 54 55 .. 177 >> Следующая

Хадини и Томасом [178] опубликовано сообщение о разработке нового интересного метода проведения жидкофазной эпитаксии с применением подложек, содержащих параллельные ряды субмикроскопических отверстий, в которых происходит за-родышеобразование. На подложках из майлара и монокристал-лических подложках, покрытых фоторезистом, при осаждении из жидкой (а также из паровой) фазы авторами выращены ориентированные слои триглицеринсульфата. В пленке майлара толщиной 4 мкм с помощью лазера были получены отверстия диаметром около 15 мкм, удаленные друг от друга на расстояние 100 мкм. Отверстия в слое фоторезиста создавались техникой литографии. В дальнейшем необходимо исследовать возможность применения этого несомненно интересного метода для создания солнечных элементов на основе пленок халькогенидов.
2.4.2 Метод вытягивания лент из расплава
Метод вытягивания из расплава при быстром последующем охлаждении относится к перспективным методам выращивания ленточного материала и обеспечивает высокую скорость роста ленты, достигающую нескольких метров в секунду. При приведении в контакт содержащегося в формообразователе расплава с вращающимся вытяжным устройством слой жидкости вытягивается в форме ленты. Скорость отверждения расплава и толщина ленты зависят от размеров формообразователя, точной формы слоя расплава при его соприкосновении с поверхностью вращающегося вытяжного устройства, линейной скорости его поверхности и особенностей процесса теплопередачи. При высокой скорости вращения вытяжного устройства этот метод позволяет получать из расплава стеклянные ленты толщиной 10 . . . 100 мкм при скорости охлаждения около 106 К/с. Сотрудниками фирмы IBM и лаборатории авторов продемонстрирована возможность применения данного метода для получения быстро отвердевающих поликристаллических лент кремния с большим размером зерен. Кроме того, на основе этих лент изготовлены солнечные элементы с р—м-переходом. В принципе при одновременном использовании нескольких формообразователей или путем последовательного наращивания лент можно получать широкие кремниевые ленты на проводящих металлических подложках для
Советские авторы (см. список дополнительной литературы) использовали данный метод для создания эффективных гетерофотопреобразователей на основе арсенида галлия и успешно испытали их в наземных и космических условиях. — Прим. ред.
Методы осаждения тонких пленок
131
применения в производстве солнечных элементов. Несмотря на простоту этого метода, процесс роста ленты сложным образом зависит от множества параметров, влияние которых исследуется в настоящее время [179—180].
2.5 Другие методы осаждения
В этом разделе мы кратко ознакомимся с некоторыми новыми или усовершенствованными методами [181], которые позволяют удешевить и упростить процесс осаждения фотоэлектрических материалов на подложки большой площади. Поскольку эти методы пока имеют ограниченную область применения, мы будем их рассматривать со ссылкой на конкретный осаждаемый материал.
2.5.1 Кремний (Si)
1. Электрогидродинамический метод. Высокотемпературный электрогидродинамический метод осаждения кремния связан с использованием сильного электростатического поля (напряженностью около 105 В/см), которое, будучи приложенным к капиллярной форсунке, создает поток заряженных капель кремния. Капли расплавленного кремния диаметром в пределах 150 мкм под действием ускоряющего напряжения развивают высокую скорость и соударяются с нагретой подложкой, расположенной под форсункой на расстоянии 5 ... 8 см от выходного отверстия.
Того количества расплавленного кремния, которое поступает в форсунку под действием капиллярных сил, достаточно для осуществления устойчивого процесса электростатического распыления заряженных частиц кремния. Скорость потока частиц регулируют изменением величины приложенного напряжения при распылении расплава.
С использованием потока распыленного Si пленки кремния получают на подложках из графита, муллита, монокристалличе-ского Si и стеклообразного углерода. Толщина пленок достигает 500 мкм. При осаждении кремния на холодные или недостаточно нагретые подложки образуются пленки с размером зерен около 2 мкм. При высокой температуре подложки осаждаются пленки с зернами столбчатой формы, длина которых равна толщине пленки после ее охлаждения (>30 мкм).
2. Электролитическое осаждение. Методом электролитического осаждеция можно получать поликристаллические пленки кремния на электропроводящих подложках из различных материалов. В состав применяемых электролитов, которые представляют собой расплавы двух- или трехкомпонентных солей, входят фторосиликат калия (K2SiF2) или песок, растворенные во фторидах щелочных металлов (KF, LiF). Если к электролиту приложено напряжение, то на катоде, или отрицательном элек-
132
Глава 2
троде, происходит осаждение поликристаллического кремния в элементарной форме. Размер кристаллитов и толщину пленки регулируют путем изменения параметров процесса осаждения. Для получения кремния р- или я-типа проводимости с необходимым удельным сопротивлением в состав электролита можно преднамеренно вводить легирующие примеси.
Предыдущая << 1 .. 43 44 45 46 47 48 < 49 > 50 51 52 53 54 55 .. 177 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed