Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.
Скачать (прямая ссылка):
4.4.5 Анализ вольт-амперных характеристик..........................252
4.5 Влияние различных способов обработки и свойств используемых материалов на характеристики элементов ............... 254
4.5.1 Термообработка...............................................254
4.5.2 Состав Cu^S..................................................257
4.5.3 Удельное сопротивление CdS...................................259
4.5.4 Легирование . . . . .................................260
4.5.5 Состав сплава Zn^Cdi-xS......................................261
4.5.6 Микроструктура . :........................................265
4.6 Энергетическая зонная диаграмма и механизмы потерь . . . 270
4.7 Выводы.......................................................27$
Глава 5 Тонкопленочные поликристаллические кремниевые солнечные
элементы......................................... 274
5.1 Введение.....................................................274
5.2 Современное состояние разработок массивных кремниевых солнечных элементов...........................................275
5.3 Технология изготовления......................................277
5.4 Эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного
излучения......................................................278
5.4.1 Фотоэлектрические характеристики.......................... . . 278
Оглавление
5.4.2 Анализ свойств перехода.......................................283
5.4.3 Механизмы потерь . :......................................287
5.5 Направения дальнейших исследований............................289
Глава 6 Солнечные элементы на основе аморфного кремния . . . 291
6.1 Введение......................................................291
6.2 Кинетические явления в аморфных материалах....................292
6.2.1 Модели энергетических зон.....................................293
6.2.2 Электронные свойства..........................................295
6.3 Осаждение гидрогенизированного аморфного кремния .... 299
6.3.1 Осаждение в тлеющем разряде...................................301
6.3.2 Высокочастотное ионное распыление.............................302
6.3.3 Пиролиз силана................................................303
6.3.4 Кинетика процесса осаждения в тлеющем разряде .... 303
6.3.5 Влияние подложки..............................................305
6.4 Свойства пленок гидрогенизированного аморфного кремния . . 306
6.4.1 Структурные свойства..........................................306
6.4.2 Состав пленок.................................................308
6.4.3 Оптические свойства...........................................309
6.4.4 Электрические свойства........................................311
6.5 Солнечные элементы на основе гидрогенизированного аморфного кремния..............................................317
6.5.1 Конструкции элементов.........................................319
6.5.2 Фотоэлектрические характеристики..............................320
6.5.3 Механизмы потерь..............................................325
6.5.4 Стабильность элементов........................................330
6.6 Новые разработки..............................................331
6.6.1 Новые 'материалы..............................................331
6.6.2 Новые технологические методы..................................331
6.6.3 Новые конструкции преобразователей............................332
6.7 Направления дальнейших исследований...........................333
Глава 7 Новые типы солнечных элементов.....................................335
7.1 Введение......................................................335
7.2 Арсенид галлия (GaAs).........................................336
7.2.1 Процесс изготовления..........................................336
7.2.2 Фотоэлектрические характеристики................................338
7.2.3 Анализ характеристик перехода.................................339
7.3 Теллурид кадмия (CdTe)........................................340
7.3.1 Процесс изготовления..........................................342
7.3.2 Фотоэлектрические характеристики..............................344
7.3.3 Анализ характеристик перехода.................................345
7.4 CdSe, Cu2_xSe, ZnIn2Se4.......................................346
7.5 Фосфид цинка (Zn3P2)..........................................348
7.6 Фосфид индия (InP)............................................349
7.6.1 Процесс изготовления............................................351
7.6.2 Фотоэлектрические характеристики................................351
7.7 Селенид меди и индия (CuInSe2)..................................354
7.7.1 Процесс изготовления............................................355
7.7.2 Фотоэлектрические характеристики................................356
7.8 Оксид меди (Си20)............................................. 359
7.9 Органические полупроводники...................................360
7.10 Направления дальнейших исследований.............................366
