Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Чопра К. -> "Тонколенточные солнечные элементы" -> 173

Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.

Чопра К., Дас С. Тонколенточные солнечные элементы — М.: Мир, 1986. — 435 c.
Скачать (прямая ссылка): tonkosloyniesolnichnieelementi1986.djvu
Предыдущая << 1 .. 167 168 169 170 171 172 < 173 > 174 175 176 .. 177 >> Следующая

-------удельная 312—315
-----разложение 316
-----солнечные элементы 317—334
----------деградация 330
----------каскадные 332
----------КПД 326, 327
----------легирующие примеси 324,
325
----------потери энергии 325, 328—
330
----------с барьером Шоттки 319
----------с р—i—п-структурой 320
----------со структурой металл—
диэлектрик—полупроводник 319 ----------спектральная чувствительность 321, 329
----------температура подложки 324
-----состав 308
-----структура 306
—поликристаллический 134
-----получение 134
-----свойства
-------оптические 141—143
-------структурные 135—137
-------электрические 137—141
-----солнечные элементы 274—290
----------гидрогенизация 285
----------изготовление 277, 278
----------легирование 281
----------микроструктура 281
----------обзор работ 275—277
----------потери энергии 287—289
---------- фотоэлектрические характеристики 278—282 ----------влияние интенсивности излучения 282 Критерий качества прозрачных проводящих пленок 194, 204
Линия
— гидроксида 73
— комплексного соединения 73
Масс-спектроскопия вторичных ионов 28, 30, 235 Метод
— возбуждения тока световым лучом
36
— вытягивания лент из расплава 130
— наведения тока электронным лучом 35, 37, 345
Микроанализатор электронно-зондо-вый 26, 27, 30 Микроскопия электронная
-----просвечивающая 23
----- растровая 23, 25
Микроструктура пленок 22—26, 107,
131, 135, 143, 150, 154, 156, 158, 159, 173, 176, 179, 180, 183, 186, 201, 228—233, 281, 307, 308
Напряжение холостого хода 269, 279, 326, 327, 362—365, 392, 393 -------влияние
----------микроструктуры 268, 281
----------площади перехода 267
----------температуры 243
----------термообработки 255, 358
----------уровня легирования 260,
261, 281
-------затухание 34
Носители заряда
----неосновные 34—37
-------время жизни 34, 316, 325,
371
-------диффузионная длина 34—37,
141, 245—247, 280, 325, 339, 348, 350, 353, 360, 371 ----туннелирование 219, 252
Обедненный слой
----емкость 11, 247—252
----ширина 247—252, 361
Оже-спектроскопия 27, 30, 234 Оксид меди
----получение 359
----солнечные элементы 359, 360
Оптическая ширина запрещенной зоны в пленках
---------------аморфного кремния
318
---------------диэлектриков 216
Ориентация пленок, кристаллографическая 135, 143, 150, 154, 156, 158. 159, 180, 183, 186, 196—201 Осаждение
— из раствора 69
-------влияние
----------: значения pH 76
----------комплексообразующего
агента 70, 71, 76
----------подложки 77
---------- температуры 78
-------кинетика 74
-------пленок 81, 82
----------многокомпонентных соединений 79
----------оксидов 81
----------селенидов и сульфидов
71—74
----------содержащих легирующую
примесь 79 -------химические аспекты 70
— ионное 57
— кремния с последующим отделени-
434
Предметный указатель
ем пленки от подложки 132
— плазменное 111, 301, 303
— химическое
----автокаталитическое 124
----из паровой фазы 91
-------------легирование 105
------------- парциальное давление
реагентов 105
-------------подложка
-------------ориентация 103
-------------температура 103
-------------получение
-------------- — диэлектриков 111
-------------металлов 108
-------------полупроводников 107
-------------сплавов 105
-------------реакции
-------------— восстановления 96
-------------газотранспортные 98
-----------------в квазизамкнутом
объеме 111
-------------кинетика 103—105
------------- полимеризации 97
-------------разложения 95
-------------термодинамика 102
-------------типы систем 99
— электрогидродинамическое 131
— электролитическое 115 металлов 118
----полупроводников 118, 131
----сплавов 118
— эпитаксиальное 47
----газотранспортное в квазизамкнутом объеме 111
----из жидкой фазы 129
---- методом «горячих стенок» 48
----молекулярно-лучевое 48
Отношение темнового удельного сопротивления пленки к световому 146, 167, 175, 201
Печать трафаретная 82
---- оборудование 85
----подложки 83
----трафареты 86—88
----характеристики пасты 91, 92
Подвижность носителей заряда
-------в аморфном кремнии 315
-------при прыжковом механизме
проводимости 297
---------рассеянии границами зерен
139, 152, 155, 159, 166, 185, 197,
199
-------------ионами примесей 201
Показатель
— поглощения 31, 153, 170, 210, 213—
215
Покрытия просветляющие 225, 278, 281, 337, 350, 356, 373, 392 Постоянная кристаллической решетки 145, 153, 156, 172, 175, 177, 196 Потенциал диффузионный 9, 13, 250, 330, 347, 360 Проводимость
— ионная Cu2S 178
— механизмы
---в аморфных материалах 295—
299
---в зоне делокализованных состояний 295
---в пленках диэлектриков 216
---------металлов 205—209
---прыжковый 297
-------с переменной длиной прыжка
298
— удельная 137, 178, 205, 312
---аморфного кремния 312—315
Прозрачный проводящий оксид 185
-------индия и олова 198
-------кадмия 196
-------критерий качества пленок
194, 204
-------олова 196
------- получение 195
-------цинка 200
Произведение
— ионное 70
— растворимости 70 Проницаемость диэлектрическая 216 Пульверизация с последующим пиролизом 58
Предыдущая << 1 .. 167 168 169 170 171 172 < 173 > 174 175 176 .. 177 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed