Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.
Скачать (прямая ссылка):
Черноголовка, 17—19 февраля 1981 г.; Черноголовка, Ин-т хим. физики АН СССР, 1981, с. 39—40.
12. Комащенко В. Н., Марченко А. И., Федорус Г. А. Тонкопленочные и керамические солнечные преобразователи на основе сульфида и селенида кадмия.— Гелиотехника, 1979, № 3, с. 15—21.
13. Колтун М. М., Разыкова М. А. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов C112S—ZnxCdi-xS.— Гелиотехника, 1982, № 2, с. 15—22.
14. Константинова Е. М., Стратиева Н. Р., Кынев С. К-, Васильев Л. В. Фотоэлементы на основе гетеропереходов в системе поликристаллический сульфид кадмия — теллурид хрома.— Гелиотехника, 1982, № 2, с. 23—25.
Дополнительная литература
431
15. Крункс М. И., Мелликов Э. Я., Кукк П. Л., Карпенко И. В., Пучкова К. Н. Химические пульверизированные пленки CdS и CdZnS для преобразователей солнечной энергии.— Пути использования солнечной энергии: Тез. докл. конф., Черноголовка, 17—19 февраля 1981 г.; Черно* головка, Ин-т хим. физики АН СССР, 1981, с. 44—45.
16. Разыков Т. М. Физические свойства пленок ZnxCdi_xS, полученных химическим осаждением из паровой фазы в потоке водорода.— Гелиотехника, 1984, № 6, с. 13—16.
17. Азимов С. А., Мирсагатов Ш. А., Расулов Д. Т. Фотоэлектрические свойства пленочных р-CdTe—п-CdS гетеропереходов.— Гелиотехника, 1978,. № 3, с. 18—24.
18. Литовченко В. Г., Попов В. Г. Исследование свойств гидрогенизированного аморфного кремния методом спектральных характеристик конденсаторной фото-э. д. с.— Физика и техника полупроводников, 1982, т. 16* вып. 4, с. 734—738.
19. Каган М. В., Королева Н. С., Нуллер Т. А. Солнечные элементы на основе эпитаксиальных пленок арсенида галлия.— Гелиотехника, 1970* № 2, с. 28—32.
20. Геришер X. Фотоэлектролиз под действием солнечного излучения при использовании полупроводниковых электродов.— Преобразование солнечной энергии. (Вопросы физики твердого тела): Пер. с англ./Под ред. М. М. Колтуна, В. М. Евдокимова.— М.: Энергоиздат, 1982, с. 106—150.
21. Фабр Е., Рижбург Р. Солнечные элементы с гетеропереходом ln203(n+)—Si(p).— Солнечная энергетика: Пер. с англ. и франц./Под ред. Ю. Н. Малевского, М. М. Колтуна.— М.: Мир, 1979, с. 261—266.
22. Малик А. И., Баранюк В. А., Манассон В. А. Улучшенная модель солнечных преобразователей на основе структуры In203/Sn02—SiOx—п-Si.— Гелиотехника, 1980, № 1, с. 3—4.
23. Гильман Б. И., Касаткин В. В., Сорокин Ю. В., Скоков Ю. В.* Закс М. Г. Характеристики кремниевых фотопреобразователей с инверсионным слоем.— Гелиотехника, 1978, № 3, с. 31—38.
24. Мартинуцы С., Кабан-Брути Ф., Кабо Т., Франко А., Камионцис Ж. Солнечные элементы на основе двухслойной системы CdS—CdZnS с верхним слоем C112S.— Солнечная энергетика: Пер с англ. и франц/ Под ред. Ю. Н. Малевского, М. М. Колтуна.— М.: Мир, 1979, с. 332— 342.
25. Колтун М. М., Гаврилова И. П., Коленкин М. Ю. Кремниевые фотоэлементы с многослойными селективными покрытиями.— Журн. прикл. спектроскопии, 1982, т. 37, № 2, с. 340—343.
26. Колтун М. М., Арсенин В. В., Абдурахманов Б. М. Кремниевые солнечные элементы на эпитаксиальных структурах.— Гелиотехника, № 5*
1981, с. 87—91.
Предметный указатель
Анализ химического состава 26—30 Анодирование 124
— константа роста пленки 124, 125 Арсенид галлия
---пленки 157—159
---солнечные элементы 336—340
Барьер
— изотипный тыльный 372
— Шоттки 319, 336, 348, 359
— энергетический 9, 139, 141, 253, 265, 287, 323, 339, 340, 347, 348,
360
Границы зерен 137, 138, 152, 155, 159, 166, 185, 197, 198, 199, 201 207, 208, 281, 285, 340
---пассивация 285, 338
Графоэпитаксия 50
Длина свободного пробега
-------атомов остаточного газа 40
-------электронов проводимости 206,
207
Испарение вакуумное 39—47
Константа равновесия 70 Концентрация
— дырок 186—195
— электронов 186—195, 196—201 Коэффициент
— диодный 241, 252, 253, 283—286, 321, 322, 339, 340 345, 347, 353, 358, 361
— заполнения вольт-амперной характеристики 269, 279, 324, 326, 327, 362-365
----------влияние
------------- интенсивности излучения
370, 372, 377
-------------спектрального состава
излучения 240
-------------термообработки 254, 358
-------------уровня легирования 281
— заполнения пленки веществом 210,
216
— отражения 202, 210, 212—215
— поглощения 31, 142, 144, 149, 182, 309, 318
— пропускания 31, 171, 181, 202—204, 210—212
— распыления 51, 52
— собирания носителей заряда 243— 245, 321, 329, 353, 357, 360, 375, 376, 379
----------влияние обратного напряжения смещения 244
— температурный удельного сопротивления 206, 211
— увеличения площади перехода 15 КПД 269, 279, 326, 327, 365, 390—394
— влияние
----интенсивности излучения 241,
242, 373
----микроструктуры 267, 270
----температуры 243, 372
— уровни равных значений 385 Кремний
— аморфный 291
----зонная структура 293
----методы получения 112, 299—305
---- носители заряда
----------время жизни 316
----------подвижность 315
---- плотность
-------вещества 307
-------энергетических состояний 316,
318
----подложки 305
----проводимость
Предметный указатель
433
-------механизмы 295—299
