Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.
Скачать (прямая ссылка):
Морел и др. [65], используя органические полупроводники, изготовили существенно более эффективные солнечные элементы. При интенсивности излучения 78 мВт/см2 КПД элементов площадью 1 см2 на основе мероцианина составляет
362
Глава 7
Таблица 7.1. Фотоэлектрические солнечных элементов на
ВИ — вакуумное испарение, ГТО — газотранспортное осаждение, ГТОКО — газотранспорт ПП — пульверизация с последующим пиролизом, ТП — трафаретная печать, ХОПМОС — осаждение из паровой фазы, ЭЛО — электролитическое осаждение.
БШ — барьер Шоттки, ГМП — гомогенный переход, ГТП — гетерогенный переход, ГТС тура металл—диэлектрик—полупроводник, МОП — структура металл—оксид—полупровод
Материал фотоактив-ного слоя Структура элемента I Тип элемента Метод осаждения <и с; <Т) Л S СО . Ef га ь с % Интенсивность излучения, мВт/см2
GaAs n+-GaAs — р-GaAs — ГМП ХОПФ 0,51 !
р+-GaAs
р-GaAs — п-GaAs ГМП ХОПФ 0,5 АМ1
p-GaAlAs — р-GaAs — ГТС хопмос 0,29 128 !
/г-GaAs 1
/г-GaAs — n+-GaAs — БШ ХОПФ 8 AMI 1
W (или графит)
GaAs — Mo БШ хопмос — АМ1
/г-GaAs — n+-GaAs — БШ хопмос — АМ1
Mo
/г-GaAs — n+-GaAs — МОП ХОПФ 9 АМ1
W — графит
/г-GaAs — n+-GaAs — МОП ХОПФ 9 АМ1
графит
n-GaAs — n+-GaAs — МОП ХОПФ 9 —
графит
GaAs — GaAs (моно- ГМП ХОПФ 0,4 —
кристалл ический)
CdTe р-CdTe — /г-CdTe ГМП 77,2
Металл — CdTe БШ пп 0,034 —
p-Cu2Te — /г-CdTe ГТП О — ГТО1) — —_
p-Cu^Te — /г-CdTe ГТП ди — —
р-CdTe — n-CdS ГТП — 50
n-CdS — р-CdTe ГТП тп 0,21 71
n-CdS — р-CdTe ГТП тп 10 71
n-CdS — р-CdTe ГТП ГТО
CdSe n-CdSe — р-CdTe (мо- ГТП ГТОКО 85
нокристалл ический)
/г-CdSe — p-ZnTe (мо- ГТП ГТОКО — 85
нокристалл ический)
Au — Sb2Se3 — /г-CdSe МДП ВИ АМ1
*) Первый из указанных методов осаждения относится к верхнему слою полупро
Новые типы солнечных элементов
363
характеристики тонкопленочных основе новых материалов.
ное осаждение в квазизамкнутом объеме, ДИ — дискретное испарение, О — окунание, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, ХОПФ — химическое
— гетероструктура, МПМ — структура металл—полупроводник—металл, МДП — струк-ник
1 в Jsc, мА/см2 FF Г|. '\ Примечания Л итература
1 _ 17 С просветляющим по- [6]
крытием
0,91 10,3 0,82 15,3 Просветляющее по- [6]
крытие из SiO —
MgF2
0,99 24,5 0,74 12,8 Без просветляюще- [П]
го покрытия
0,456 10,4 0,59 3 [9]
0,39 19 0,58 4,3 [13]
0,49 20,6 0,54 5,45 Без просветляюще- [14]
го покрытия
0,45 . . . 0,52 11 . . . 13,4 0,55 . . . 0,68 4,4 То же [7.
10]
0,5 18 0,675 6,1 » [7,
10]
0,56 22,7 0,67 8,5 [41]
0,92 22 0,73 15 [41]
0,75 9,8 0,63 6 [29]
0,36 13,4 0,42 2 [41]
0,5 — 0,45 ... 0,6 6 [28]
0,6 — — 4,1 [31]
0,5 15 0,45 5. . .6 [32]
0,67 14,2 0,58 8,2 [26]
0,73 11,4 0,51 6,3 [26]
— — — 10 Ko-
dak
(не
опуб
ЛИКО'
ван о'
0,61 0,75 — — [25]
0,56 1,89 — —
0,55 ... 0,6 20 0,4 .. . 0,5 1 >5 [36]
водника.
364
Глава 7
Материал фотоактивного слоя Структура элемента Тип элемента Метод осаждения Площадь элемента, см2 Интенсивность излучения, мВт/см2
Cu2_xSe p-Ciig-^Se — n-Si (монокристаллически й) p-Cu2_xSe — n-CdS p-Cu2_xSe — n-CdS ГТП ГТП ГТП ви ви ви — 75 АМ1 АМ1 1
ZnIn2Se4 /г-CdS — p-ZnIn2Se4 ГТП ви — АМ1
Zn3P2 Mg — p-Z n3P2 БШ ви — 83
InP p-InP — /г-CdS ГТП ХОПФ — АМ2
p-InP — /г-CdS ГТП ХОПФ — АМ2
р-InP — /г-CdS — Mo ГТП ХОПФ—ВИ1) — АМ1
p-InP — /г-CdS — Mo p-InP — /г-CdS — С /г-InP — p-Cu*Se — Mo ГТП ГТП ГТП ви ХОПФ—ви1) ХОПФ-ВИ1) 0,52Х X 10-2 АМ1 АМ1
CuInSe2 p+-CuInSe2 : Cu — p-CuInSe2 —л-CdS — n+-CdS : In p+-CuInSe2 : Cu — p-CuInSe2 — /г-CdS — n+-CdS : In p-CuInSe2 — n-CdS ГТП ГТП ГТП ВИ ви ви 1 1 1,2 101,5 АМ1 АМ1
p-CuInSe2 — n-CdS ГТП ВИ 1,2 АМ1
p-CuInSe2 — /г-CdS ГТП ви 1,2 АМ1
p-CuInSe2 — n-ZnCdS ГТП ви 1
Cu20 Мероци- анин Cu — p-Cu20 БШ 1 АМ1 78
Хлорофилл a Cr — хлорофилл a — Hg мпм эло 0,08 —
Первый из указаны i : ^тсдсв ссг»ден>я стнссктся к верхнему слою полупро
Новые типы солнечных элементов
365
Продолжение
V-в Jsc, мА/см2 FF ц, % Примечания Литература
0,45 23 0,62 . . . 0,65 8,8 34]
0,3 .. . 0,45 2 . . .4,5 0,51 [35]
0,46 11,6 0,62 3,3 [41]
0,27 16 0,31 1,5 [37]
0,37 12 0,46 2,5 [41]
0,4 .. . 0,46 13,3 0,68 4,9 Без просветляюще- [43]
го покрытия
0,4 .. . 0,46 15,4 0,68 57 Просветляющее по- [43]
г крытие из SiO
0,37 18 0,30 2 С просветляющим по- [46]
крытием
0,51 — 0,51 2,1 [45]
0,40 — 0,31 2,8 [47]
0,47 11 0,34 1,7 [46]
0,396 35 0,64 8,72 Без просветляюще- [54]
го покрытия
0,396 39 0,63 9,53 Просветляющее по- [54]
крытие из SiO*
0,41 19,9 0,50 4,4 Фронтально-барьер- [53]
ная конструкция;
единый технологи-
ческий цикл
0,34 12 0,36 2,46 Фронтально-барьер- [53]
ная конструкция;
травление слоя CdS
0,44 22,5 0,59 5,7 Тыльно-барьерная [53]
конструкция
0,418 36,3 0,65 10 [58]
