Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Чопра К. -> "Тонколенточные солнечные элементы" -> 129

Тонколенточные солнечные элементы - Чопра К.

Чопра К., Дас С. Тонколенточные солнечные элементы — М.: Мир, 1986. — 435 c.
Скачать (прямая ссылка): tonkosloyniesolnichnieelementi1986.djvu
Предыдущая << 1 .. 123 124 125 126 127 128 < 129 > 130 131 132 133 134 135 .. 177 >> Следующая

60... 70 нм, который служит просветляющим покрытием элемента [8].
338
Глава 7
7.2.2 Фотоэлектрические характеристики
Согласно данным Бозлера и Фэна [6], солнечные элементы (снабженные просветляющими покрытиями) с гомогенным переходом на основе арсенида галлия, выращиваемого на монокристаллических подложках методом химического осаждения из паровой фазы, в условиях АМ1 (интенсивность излучения — 100 мВт/см2) имеют КПД 15,3 % при УОс=0,91 В, и /5С = 10,3 мА и FF = 0,82. Недавно Фэн и др. [6] сообщили о том, что при использовании технологического процесса CLEFT КПД тонкопленочных солнечных элементов на основе GaAs повышается до 17%. У солнечных элементов с гетероструктурой GaAlAs — р-GaAs — я-GaAs (без просветляющих покрытий), создаваемых на кристаллических подложках из легированного кремнием арсенида галлия методом химического осаждения из паров металлорганических соединений, в условиях АМО при интенсивности света 128 мВт/см2 получены следующие характеристики: УОс=0,99 В, /5С = 24,5 мА/см2, FF = 0,74 и т| = 12,8 % [11].
КПД тонкопленочных элементов с барьером Шоттки площадью 8 см2 на основе арсенида галлия, выращиваемого на покрытых слоем вольфрама графитовых подложках методом химического осаждения из паровой фазы, составляет около 3 %
[9], причем в условиях АМ1 У0с—0,456 В, /5с=Ю,4 мА/см2 и FF = 0,59. Следует отметить, что параметры конструкций этих элементов не оптимизированы. Вернон и др. [13] изготовили солнечные элементы с барьером Шоттки на молибденовых подложках методом химического осаждения GaAs из паров металлорганических соединений и в условиях АМ1 получили КПД 4,3 %, VOC = 0,39 В, /sc= 19 мА/см2 и FF = 0,58. Элементы аналогичного типа с пассивированными (посредством анодирования) границами зерен обладают лучшими характеристиками: при отсутствии просветляющих покрытий в условиях АМ1 их КПД составляет 5,45% при Voc=0,49 В, /sc = 20,6 мА/см2 и FF = 0,54
[14].
Чу и др. [7, 10] изготовили солнечные элементы со структурой металл — оксид — полупроводник (площадью 9 см2) посредством нанесения на графитовую подложку с покрытием из вольфрама методом химического осаждения из паровой фазы слоев я-GaAs — n+-GaAs, КПД которых в условиях АМ1 достигает 4,4%. Элементы, не снабженные просветляющими покрытиями, имеют У0с= 0,45 ... 0,52 В, Jsc= 11 ... 13,4 мА/см2 и FF = = 0,55... 0,68. При осаждении на поверхность слоя я-GaAs тонкой пленки GaAsi-xPx их напряжение холостого хода повыша-
4> Процесс, основанный на выращивании пленки GaAs вдоль поверхности нанесенной на подложку маски (в отверстиях которой образуются центры кристаллизации) с последующим отделением пленки. — Прим. перев.
Новые типы солнечных элементов
339
ется до 0,63 В, а КПД — до 5 % (при плотности тока короткого замыкания 13,3 мА/см2). Полагают, что при нанесении про* светляющего покрытия КПД элементов увеличится до 7,5%. Полученные этими же авторами методом химического осаждения из паровой фазы (на графитовых подложках) солнечные элементы со структурой металл — оксид — полупроводник площадью 9 см2 при наличии просветляющего покрытия в условиях АМ1 имеют КПД 6,1 %, которому соответствуют УОс=0,5 В, JSc — 18 мА/см2 и FF = 0,675.
Недавно изготовлены тонкопленочные поликристаллические солнечные элементы площадью 9 см2 на основе слоев GaAs толщиной 10 мкм (средний размер зерен составляет —5 мкм) с КПД до 8,5% при V0c=0,56 В, /5С = 22,7 мА/см2 и FF=0,67 [41].
Сообщалось о создании солнечных элементов на основе монокристаллических пленок GaAs толщиной 8 мкм, выращиваемых на монокристаллах арсенида галлия [41]. После изготовления элементы крепились к стеклянной пластине, отделялись от подложки, а затем на тыльную поверхность наносился металлический контакт. При общей площади 0,4 см2 элементы имели следующие выходные параметры: УОс=0,92 В, Jsc = 22,0 мА/см2, FF = 0,73 и ti=15%.
Измерения спектральных характеристик чувствительности тонкопленочных солнечных элементов со структурой металл — оксид — полупроводник на основе GaAs показывают, что наиболее высокие значения коэффициента собирания носителей (без учета отражения света от поверхности элемента), составляющие 0,6 ... 0,7, соответствуют интервалу длин волн 0,6 ... ... 0,7 мкм [8]. Значения эффективной диффузионной длины не-основых носителей заряда, найденные из измеренных спектральных характеристик чувствительности, заключены в пределах 0,5 ... 0,8 мкм.
7.2.3 Анализ характеристик перехода
Изучению электронных свойств переходов и их зависимости от структурного совершенства пленок в солнечных элементах на основе GaAs посвящено лишь несколько работ. Чу и др. [8] измерили вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики элементов со структурой металл — оксид — полупроводник (изготовленных на подложках из графита), исходя из которых определили соответственно диодный коэффициент (п = 2,3) и высоту барьера (Фв= 1,0... 1,02 эВ). Полагают, что в элементах со структурой металл — оксид — полупроводник, получаемых на покрытых слоем вольфрама графитовых подложках [7], процесс протекания темнового тока (плотность обратного тока
Предыдущая << 1 .. 123 124 125 126 127 128 < 129 > 130 131 132 133 134 135 .. 177 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed