Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бонч-Бруевич В.Л. -> "Электронная теория неупорядоченных полупроводников"

Электронная теория неупорядоченных полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.

Электронная теория неупорядоченных полупроводников

Автор: Бонч-Бруевич В.Л.
Другие авторы: Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г.
Издательство: М.: Наука
Год издания: 1981
Страницы: 385
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149
Скачать: elektronnayateoriyaneuporyadochennih1981.pdf

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕОРИЯ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
В.Л.Бонч-Бруевич, И.П.Звягин, Р.Кайпер, А.Г.Миронов, Р.Эндерлайн, Б.-
М.Эссер Книга содержит изложение основных представлений современной
теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи,
возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях,
характеристики которых заданы только статистически (идея о
"самоусредняющихся" величинах, локализация электронов в случайных
потенциальных ямах и другие). Выясняется, какие представления стандартной
зонной теории сохраняют силу и в применении к неупорядоченным
полупроводникам. Рассматриваются развитые в последнее десятилетие методы
расчета энергетических, электрических и оптических характеристик
неупорядоченных систем (в частности, метод оптимальной флуктуации,
квазиклассическое приближение и теория протекания). Рассматриваются также
приложения этих представлений для решения ряда задач кинетики и оптики
неупорядоченных материалов (электропроводность и термоэдс в области
прыжковой проводимости, междузонное поглощение света, комбинационное
рассеяние света на электронах).
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие 6
Глава I. Введение 9
§ 1. Определение неупорядоченной системы. Примеры 9
§ 2. Случайная сетка атомов 15
§ 3. Сводка некоторых экспериментальных данных 17
§ 4. Общие особенности неупорядоченных систем 24
§ 5. Плотность состояний (предварительные соображения) 28
§ 6*. Плотность состояний (строгое рассмотрение) 34
§ 7*. Самоусредняющиеся величины 41
Глава II. Энергетический спектр неупорядоченного полупроводника 44
§ 1 . Спектр электронов (качественные соображения) 44
§ 2*. "Подводные камни" 53
§ 3. Андерсеновская локализация 57
§ 4. Спектр фононов (качественные соображения) 61
§ 5. Химические связи в неупорядоченных полупроводниках и модели 65
плотности состояний § 6*. Неупорядоченный полупроводник без случайного
поля 70
§ 7. Статистические характеристики случайного поля 73
§ 8. Собственное случайное поле в неупорядоченных полупроводниках 87 §
9*. Теорема существования дискретных флуктуационных уровней в 98
запрещенной зоне неупорядоченного полупроводника § 10*. Оценка
концентрации флуктуационных уровней 109
§ 11 . Радиус локализации. Степенная локализация 11 3
§ 1 2. Плавное искривление зон 11 6
§ 13*. Квазиоднородные системы 120
§ 14. Корреляционные эффекты 123
§ 15. Экситон в неупорядоченном полупроводнике 124
§ 16*. Кулоновская щель 129
§ 17*. Экранирование локализованными носителями заряда при наличии 136
мягкой щели
§ 18*. Низкотемпературная термодинамика носителей заряда при 140
наличии мягкой щели § 19. Термодинамика локализованных носителей заряда
при наличии 145
двухэлектронных уровней Глава III. Плотность состояний и двухуровневая
функция корреляции 152
§ 1. Введение 152
§ 2. Метод оптимальной флуктуации 154
§ 3. Функция корреляции уровней 160
§ 4*. Функция корреляции уровней электрона в гауссовом случайном 1 63
поле
§ 5*. Представление функции Грина в виде континуального интеграла 169
§ 6*. Качественное исследование усредненной одночастичной функции 173
Грина
§ 7*. Вычисление континуального интеграла для Gr(t). Плотность 180
состояний
Глава IV. Явления переноса 190
§ 1. Основные механизмы переноса 190
§ 2. Гамильтониан в П-представлении 195
§ 3. Кинетическое уравнение 200
§ 4. Отклик системы на внешнее электрическое поле и градиент 206
температуры
§ 5*. Плотность тока в ? -представлении 213
§ 6*. Метод функций Грина в теории прыжковой проводимости 220
§ 7*. Многофононные перескоки 223
§ 8. Общее обсуждение методов решения кинетического уравнения для 228
локализованных электронов § 9*. Критерий связей 234
§ 1 0. Температурная зависимость прыжковой проводимости 240
§ 11. Бесфононная проводимость 245
§ 1 2. Температурная зависимость прыжковой термоэдс 249
§ 13*. Кинетическое уравнение при учете электрон-электронного 256
взаимодействия
§ 14*. Учет динамической корреляции между электронами при расчете 267
проводимости и термоэдс § 1 5. Проводимость неоднородных полупроводников
с 272
крупномасштабными флуктуациями потенциала
§ 16*. Критическое поведение в задачах протекания 278
Глава V. Междузонные оптические переходы в неупорядоченных 282
полупроводниках
§ 1. Общие соотношения. Роль случайного поля 282
§ 2. Поглощение света в гладком гауссовом случайном поле 289
§ 3. Электропоглощение в гладком поле 297
§ 4. Поглощение в примесном случайном поле 305
§ 5*. Экситонное поглощение света в слабом случайном поле 310
§ 6*. Влияние экситонных эффектов на хвост коэффициента поглощения 314
Глава VI. Резонансное комбинационное рассеяние света в неупорядоченных
319 полупроводниках
§ 1. Введение. Общее выражение для сечения рассеяния и 319
конфигурационное усреднение § 2*. Влияние гладкого случайного поля на
комбинационное рассеяние 323
света при 1с << ИЬ
§ 3*. Влияние гладкого поля на комбинационное рассеяние в случае 336
/с"0э
Приложения 344
I*. Теоремы о корреляции 344
II*. Поле упругих деформаций 350
< 1 > 2 3 4 5 6 7 .. 149 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed