Электронная теория неупорядоченных полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
47. Bottger Я., Bryksin V. V. - Phys. Stat. Sol. (b), 1976, v. 78, p.p.
9, 415.
48. Поляроны: Пер. с англ./Под ред. Ю. А. Фирсова. - М.: Наука, 1975.
49. Зырянов П. С., Клингер М. И. Квантовая теория явлений электронного
переноса в кристаллических полупроводниках. - М.: Наука, 1976.
50. Кривоглаз М. А. - В сб.: Физика твердого тела/Под ред. С. В. Тяблико-
ва. - М.: Изд-во ВИНИТИ, 1965, с. 5.
51. Шкловский Б. И., Эфрос А. Л., Электронные свойства легированных
полупроводников.- М.: Наука, 1979.
52. Shante V. К. S., Kirkpatrick S. - Adv. Phys., 1971, v. 20, p. 325.
53. Киркпатрик С. - В сб.: Теория и свойства неупорядоченных материалов;
Пер. с англ./Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - М.: Мир, 1977, с. 249.
54. Коренблит И. Я•, Шендер Е. Ф. - УФН, 1978, т. 126, с. 293.
ЛИТЕРАТУРА
383
55. Паташинский А. 3., Покровский В. Л. Флуктуационная теория фазовых
переходов. - М.. Наука, 1975.
56. Вильсон К.., Когут Дж. Ренормализационная группа и е-разложение: Пер.
с англ./Под ред. В. К. Федянина. - М.: Мир, 1975.
57. Джонсон Е. - В сб.: Оптические свойства полупроводников.
(Полупроводниковые соединения AIHBv)/noA ред. Р. Уиллардсона и А. Бира:
Пер. с англ./Под ред. Е. Ф. Гросса.-М.: Мир, 1970, с. 481.
58. Тябликов С. В., Бонч-Бруевич В. Л. Теория возмущений для
двухвременных температурных функций Грина, - М., 1962, Adv. in Phys.,
1962, v. 11, p. 317.
59. Эдвардс С. Ф. - В сб.: Вопросы квантовой теории необратимых
процессов: Пер. с англ./Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - М.: ИЛ, 1961, с.
240.
60. Рассеяние света в твердых телах./Под ред. М. Кардоны. Пер. с англ./
/Под ред. Б. П. Захарчени. - М.: Мир, 1979.
61. Хачатурян А. Г. Теория фазовых превращений и структура твердых
растворов.- М.: Наука, 1974.
62. Фок В. А. Работы по квантовой теории поля. - Л., 1957.
63. Швингер Ю. - В сб.: Новейшее развитие квантовой электродинамики. -
М.: ИЛ, 1954, с. 254.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие
............................................................... 0
Глава I.
Введение...........................................................9
§ 1. Определение неупорядоченной системы. Примеры..............9
§ 2. Случайная сетка атомов...................................15
§ 3. Сводка некоторых экспериментальных данных................17
§ 4. Общие особенности неупорядоченных систем.................24
§ 5. Плотность состояний (предварительные соображения) .... 28
§ 6*. Плотность состояний (строгое рассмотрение)..............34
§ 7*. Самоусредняющиеся величины..............................41
Глава II. Энергетический спектр неупорядоченного полупроводника . 44
§ 1. Спектр электронов (качественные соображения).............44
§ 2*. "Подводные камни".......................................53
§ 3. Андерсоновская локализация...............................57
§ 4. Спектр фононов (качественные соображения)................61
§ 5. Химические связи в неупорядоченных полупроводниках и модели
плотности состояний ............................................. 65
§ 6*. Неупорядоченный полупроводник без случайного поля .... 70
§ 7. Статистические характеристики случайного поля............73
§ 8. Собственное случайное поле в неупорядоченных полупроводниках
....................................................................87
§ 9*. Теорема существования дискретных флуктуационных уровней в
запрещенной зоне неупорядоченного полупроводника..........98
§ 10*. Оценка концентрации флуктуационных уровней.............109
§ 11. Радиус локализации. Степенная локализация ....................
113
§ 12. Плавное искривление зон.................................116
§ 13*. Квазиоднородные системы................................120
§ 14. Корреляционные эффекты..................................123
§ 15. Экситон в неупорядоченном полупроводнике................124
§ 16*. Кулоновская щель.......................................129
§ 17*. Экранирование локализованными носителями заряда при наличии
мягкой щели 136
§ 18*. Низкотемпературная термодинамика носителей заряда.при наличии
мягкой щели............................................140
§ 19. Термодинамика локализованных носителей заряда при наличии
двухэлектронных уровней...................................145
Глава III. Плотность состояний и двухуровневая функция корреляции
...............................................................152
§ 1. Введение.................................................152
§ 2. Метод оптимальной флуктуации.............................154
§ 3. Функция корреляции уровней...............................160
§ 4*. Функция корреляции уровней электрона в гауссовом случайном
поле......................................................163
§ 5*. Представление функции Грина в виде континуального интеграла
169
4
ОГЛАВЛЕНИЕ
§ 6*. Качественное исследование усредненной одночастичной функции
Грина...........................................................173
§ 7*. Вычисление континуального интеграла для Gr(t). Плотность состояний
