Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бонч-Бруевич В.Л. -> "Физика полупроводников " -> 82

Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.

Бонч-Бруевич В.Л. , Калашников С.Г. Физика полупроводников — Москва, 1977. — 678 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikov1977.djvu
Предыдущая << 1 .. 76 77 78 79 80 81 < 82 > 83 84 85 86 87 88 .. 295 >> Следующая


/ = 0 т

Полученный результат, выражаемый формулами (11.4) и (11.6), для дальнейших применений удобно представить в несколько ином виде. А именно, положим

Е\Ц = Еш + гм (т=1. 2, ...), (11.7)

где EW — энергия центра с / электронами в основном состоянии,

а бjm — энергия m-го возбужденного состояния относительно основ-

ного состояния.

Далее, будем интересоваться вероятностью /(/> найти центр с / электронами (т. е. в данном зарядовом состоянии и не важно в каком возбужденном состоянии):

I'1' = ?!'?¦

т

И, наконец, как и раньше, введем кратности вырождения р/т для различных возбужденных состояний (целые числа). Тогда из (11.4), (11.6) и (11.7) получается

;р -?</>

Si exp -г=г—

/(/) = _--------EL_, (11.8)

2jF—E<J>

^exp ~w~

i=o

где через g, обозначено

fi/ = P/+ 2 P"”exp [~w)' (1I,9)
ЧАСТНЫЕ СЛУЧАИ

169

В этих выражениях (J,- есть кратность вырождения основного состояния центра с j электронами, a gj — обобщенные кратности вырождения j-го зарядового состояния. Так как по смыслу есть приращение энергии центра, то в формуле (11.8) следует полагать ?(0) = 0.

Укажем еще на связь энергий входящих в распределение Гиббса (11.8), с уровнями энергии обычных энергетических диаграмм (рис. 5.7). Так как уровни энергии Ej изображают приращение энергии центра при добавлении к нему одного электрона, то

При этом уровень отсчета энергий здесь безразличен, если только Ej и F отсчитываются от одинакового начального уровня, так как начальный уровень из выражения (jF — Е(Я) выпадает.

Определяя уровень Ферми формулой (11.3), мы пользовались свободной энергией и, соответственно, в качестве термодинамических переменных выбирали объем -и температуру. Однако мы могли бы выбрать и другие термодинамические величины: тепловую функцию W или термодинамический потенциал Ф и соответствующие им переменные. Тогда мы получили бы равнозначные определения:

Подчеркнем, что при наличии внешнего поля уровень F, определяемый формулой (11.3) (или формулами (11.11)), должен содержать и потенциальную энергию электрона в этом поле —е<р. По этой причине его и называют электрохимическим потенциалом. Если условиться отсчитывать F от края зоны проводимости Есо при ф = 0, то электрохимический потенциал электронов есть

где ? = F — Ее — химический потенциал в поле с потенциалом (р.

Рассмотрим простой примесный центр, имеющий один невырожденный уровень энергии, без возбужденных состояний. Тогда в формуле (11.8) j может принимать только два значения: 0 и 1. При этом, согласно (11.10), E{J) есть единственный локальный уровень энергии центра Еъ a go = Si = 1- Поэтому вероятность заполнения центра электроном получается равной

Е(,'> — Et -|- Е2 +... + Ej.

(11.10)

(11.11)

F = t, — e<p,

(11.12)

§ 12. Частные случаи

/ =

Таким образом, распределение Гиббса для простого, невырожденного энергетического уровня переходит в функцию Ферми—Ди-
190

СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК

[ГЛ. V

рака (3.1). Учитывая формулу (11.3), отсюда видно, что введенный нами ранее уровень Ферми F есть не что иное, как свободная энергия, рассчитанная на один электрон.

Если имеется простой центр, способный захватывать или отдавать единственный электрон, но уровни энергии вырождены, то формула (11.8) при М = 1 переходит в формулы (9.3), полученные ранее с помощью менее строгих, интуитивных рассуждений.

Посмотрим теперь, как будет изменяться средний заряд много-электронного центра при изменении положения уровня Ферми. Для

этого удобно исследовать поведение отношения вероятностей нахождения на центре / и, соответственно, (/ — 1) электронов. Из (11.8) и (11.10) следует, что

jU-v Nj_x g/_x r kT

(12.1)

В дальнейшем мы будем предполагать, что различные уровни энергии Ej достаточно удалены друг от друга (по крайней мере нанесколько kT). Тогда изформу-лы (12.1) видно, что если уровень Ферми лежит между двумя какими-либо уровнями Ej_x и Ej и удален от этих последних хотя бы на (2 -т- 3) kT, то лежащий ниже уровень (/ — 1) будет практически целиком заполнен, а лежащий выше уровень / будет практически пустым. Поэтому среднее число захваченных электронов' на один центр будет очень близко к (/ — 1). Оно быстро изменяется, когда уровень Ферми приближается к какому-либо уровню энергии центра. Когда уровень Ферми совпадает с каким-либо уровнем энергии Ej, то отношение концентраций центров в /-м и (/ — 1)-м зарядовых состояниях равно Nj/Nj_x = g,-/gj-X.

Таким образом, если уровень Ферми лежит между двумя какими-либо соседними уровнями энергии и при своем перемещении не пересекает эти уровни, то практически центры будут находиться только в одном зарядовом состоянии, а их концентрация в других зарядовых состояниях будет исчезающе мала.
Предыдущая << 1 .. 76 77 78 79 80 81 < 82 > 83 84 85 86 87 88 .. 295 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed