Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бонч-Бруевич В.Л. -> "Физика полупроводников " -> 5

Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.

Бонч-Бруевич В.Л. , Калашников С.Г. Физика полупроводников — Москва, 1977. — 678 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikov1977.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 295 >> Следующая

ПРЕДИСЛОВИЕ

И

деятельности. Здесь задачу авторов весьма облегчило существование превосходных теоретических монографий, указанных в списке основной литературы. Дублировать эти книги нам казалось нецелесообразным.

Таким образом, настоящая книга не предназначена служить исчерпывающим руководством по экспериментальным и теоретическим вопросам физики полупроводников. Ее задача — дать представление об основных понятиях и идеях современной физики полупроводников и подготовить читателя к изучению, в случае необходимости, специальных обзоров и оригинальных работ по отдельным вопросам данной области.

В ряде мест мы указываем монографии, в которых содержится более подробное рассмотрение отдельных проблем, лишь затронутых в книге (это особенно относится к сравнительно новым и трудным задачам). Вместе с тем в соответствии со стилем, принятым во многих учебниках, мы старались избегать ссылок на не всегда доступные студентам многочисленные оригинальные статьи (в том числе и на работы авторов). Исключение составляют лишь ссылки на источники, из которых непосредственно взяты воспроизводимые в книге экспериментальные данные, а также отдельные случаи, когда другие литературные источники отсутствуют. Мы надеемся, что наши коллеги, интересные и важные работы которых используются в этой книге, правильно поймут намерения авторов и не будут чувствовать себя ограбленными. Тем же из них, кто останется недоволен этим объяснением, мы можем лишь напомнить, что при изложении законов Ньютона или описании опытов Фарадея ссылки на оригинальные работы этих авторов делаются очень редко.

В книгу не включены задачи и упражнения в виде отдельных приложений, так как уже имеются соответствующие задачники *). Приведенные в тексте расчетные примеры имеют целью только проиллюстрировать применение тех или иных принципиальных положений.

Один из «больных вопросов» современной научной литературы — вопрос об обозначениях. Понятий, требующих количественного описания, больше, чем букв в обычно употребляемых алфавитах. Поэтому некоторые символы пришлось употреблять в разных смыслах. Для частичной компенсации этого недостатка к книге приложен список основных обозначений. Отметим здесь, что векторные индексы обозначаются в книге чаще всего малыми греческими буквами, а по повторяющимся индексам подразумевается суммирование, если не оговорено исключение из этого правила. Формулы в пределах каждой главы имеют двойную нумерацию. Первая цифра указывает номер параграфа, вторая — номер формулы в данном

*) В. Л. Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, И. В. Карпенко, А. Г, Миронов, Сборник задач по физике полупроводников, «Наука», М., 1968.
12

ПРЕДИСЛОВИЕ

параграфе (например, (4.7)). При ссылках на формулы из других глав ставится еще римская цифра, указывающая номер главы (например, (IV. 4.7)). '

Все формулы даны в системе единиц Гаусса. Однако численные значения некоторых полупроводниковых характеристик приведены в практических единицах, которые обычно употребляются для этого в литературе (например, подвижности — в единицах см2/сек - В).

Мы выражаем глубокую благодарность М. И. Каганову, взявшему на себя труд рецензирования книги и сделавшему очень много ценных замечаний. Разумеется, он не несет никакой ответственности за возможные неудачные места книги.

Мы благодарны также В. Д. Егорову, П. Е. Зильберману,

В. Ф. Киселеву, И. А. Куровой, А. Г. Миронову, Ю. Ф. Новотоц-кому-Власову и А. Н. Темчину, прочитавшим некоторые главы и сделавшим ряд полезных замечаний. Один из нас (В. Л. Б.-Б.) весьма признателен О. А. Головиной, В. В. Бонч-Бруевичу и

А. К. Куприяновой за помощь при подготовке рукописи к печати.

Апрель 1977 г.

B. JI. Бонч-Бруевич,

C. Г. Калашников
Глава I

НЕКОТОРЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

§ 1. Кинетические явления в полупроводниках

В настоящей главе мы рассмотрим некоторые результаты экспериментального исследования свойств полупроводников. Эти данные существенно способствовали пониманию физических процессов в полупроводниках и явились базой для построения теории.

При исследовании полупроводников большую роль играет изучение так называемых явлений переноса или, иначе, кинетических явлений. Общая причина этих явлений заключается в том, что электроны проводимости при своем движении переносят связанные с ними физические величины: массу, электрический заряд, энергию и др. Вследствие этого при определенных условиях возникают направленные потоки этих величин, приводящие к ряду электрических и тепловых эффектов. Укажем кратко важнейшие кинетические явления, особенно интересные для исследования полупроводников.

а. Электропроводность. В отсутствие внешнего электрического поля электроны в кристалле совершают только тепловое движение со скоростями vT- Характер этого движения таков, что электрон некоторое время (время свободного пробега) движется приблизительно прямолинейно и равномерно, но затем, в результате взаимодействия с кристаллической решеткой, резко изменяет направление своего движения. Такие процессы изменения импульса мы будем называть в дальнейшем процессами рассеяния импульса. Они аналогичны соударениям атомов, рассматриваемым в кинетической теории газов. Вследствие беспорядочности теплового движения в электронном газе в состоянии теплового равновесия нет преимущественных направлений движения, и поэтому среднее значение тепловой скорости равно нулю. Это значит, что средний поток частиц, а следовательно, и средняя плотность тока для любого направления равны нулю.
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 295 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed