Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
§15. Полупроводник с примесью одного типа
§16. Взаимная компенсация доноров и акцепторов
§17. Компенсированные полупроводники
§18. Определение энергетических уровней примесных атомов
а. Многозарядные акцепторы в полупроводнике п-типа (199).
б. Многозарядные акцепторы в полупроводнике р-типа (201).
в. Многозарядные доноры в полупроводнике п-типа (202).
г. Многозарядные доноры в полупроводнике р-типа (202).
Глава VI
ЯВЛЕНИЯ В КОНТАКТАХ (МОНОПОЛЯРНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ)
§ 1. Потенциальные барьеры § 2. Плотность тока. Соотношение Эйнштейна § 3. Условия равновесия контактирующих тел § 4. Термоэлектронная работа выхода § 5. Контактная разность потенциалов
§ 6. Распределение концентрации электронов и потенциала в слое объемного заряда § 7. Длина экранирования
§ 8. Обогащенный контактный слой в отсутствие тока
§ 9. Истощенный контактный слой
§10. Токи, ограниченные пространственным зарядом
§11. Выпрямление в контакте металл — полупроводник
§12. Диффузионная теория
§13. Сравнение с экспериментом
Глава VII
НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ И ДЫРКИ
§ 1. Неравновесные носители заряда
§ 2. Время жизни неравновесных носителей заряда
§ 3. Уравнения непрерывности
§ 4. Фотопроводимость
§ 5. Квазиуровни Ферми
§ 6. Электронно-дырочные переходы
172
174
175 179 181
185
186 189 191
193
194
195 197 199
205
207
209
210 213 216
218
220
222
226
232
236
239
243
244 247 250 255 258
§ 7. Обнаружение неравновесных носителей заряда 261
§ 8. Амбиполяркая диффузия и амбиполярный дрейф 264
§ 9. Длины диффузии и дрейфа 268
§ 10. п+ — п- и р+ — р- переходы 271
Глава VIII
ВЫПРЯМЛЕНИЕ И УСИЛЕНИЕ ПЕРЕМЕННЫХ ТОКОВ С ПОМОЩЬЮ р-п-ПЕРЕХОДОВ
§ 1. Статическая вольтамперная характеристика р —п-перехода 274
§ 2. р — n-переход при переменном напряжении 277
§ 3. Туннельный эффект в р — п-переходах. Туннельные диоды 282
§ 4. Биполярный полупроводниковый триод 285
§ 5. Гетеропереходы 289
Глава IX
СТАТИСТИКА РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК § 1. Различные типы процессов рекомбинации 294
§ 2. Темп рекомбинации зона — зона 295
§ 3. Время жизни при излучательной рекомбинации 298
§ 4. Рекомбинация через примеси и дефекты 303
§ 5. Нестационарные процессы 307
а. Монополярное возбуждение (307).
б. Биполярное возбуждение (308)
§ 6. Стационарные состояния 310
§ 7. Многозарядные ловушки 314
ГлаваХ
ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
§ 1. Происхождение поверхностных состояний 317
§ 2. Влияние поверхностного потенциала на электропроводность 322
§ 3. Эффект поля 325
§ 4. Некоторые эффекты, связанные с поверхностными состояниями 332
§ 5. Скорость поверхностной рекомбинации 335
§ 6. Влияние поверхностной рекомбинации на фотопроводимость 338
а. Стационарная фотопроводимость при объемной однородной генерации (338).
б. Стационарная фотопроводимость при поверхностной генерации (340).
§ 7. Затухание фотопроводимости в тонких пластинках и нитевидных 341
образцах
§ 8. Зависимость поверхностной рекомбинации от поверхностного 343
потенциала
§ 9. Ток насыщения диодов 345
Глава XI
ФОТОЭЛЕКТРОДВИЖУЩИЕ СИЛЫ
§ 1. Роль неосновных носителей 347
§ 2. Фотоэдс в однородных полупроводниках 350
§ 3. Объемная фотоэдс 351
§ 4. Вентильная фотоэдс 355
§ 5. Вентильные фотоэлементы 359
§ 6. Поверхностная фотоэдс 365
§ 7. Фотоэлектромагнитный эффект 366
Глава XII
КОЛЕБАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ
§ 1. Малые колебания 374
§ 2. Нормальные координаты 376
§ 3. Частоты нормальных колебаний. Акустические и оптические ветви 384
§ 4. Вектор смещения 389
§ 5. Квантовомеханическое рассмотрение колебаний решетки 391
§ 6. Фононы 394
Глава ХШ
