Метод функций Грина в статической механике - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
локализованных электронов § 9*. Критерий связей 234
§ 1 0. Температурная зависимость прыжковой проводимости 240
§ 11 . Бесфононная проводимость 245
§ 1 2. Температурная зависимость прыжковой термоэдс 249
§ 13*. Кинетическое уравнение при учете электрон-электронного 256
взаимодействия
§ 14*. Учет динамической корреляции между электронами при расчете 267
проводимости и термоэдс § 1 5. Проводимость неоднородных полупроводников с 272
крупномасштабными флуктуациями потенциала
§ 16*. Критическое поведение в задачах протекания 278
Глава V. Междузонные оптические переходы в неупорядоченных 282
полупроводниках
§ 1. Общие соотношения. Роль случайного поля 282
§ 2. Поглощение света в гладком гауссовом случайном поле 289
§ 3. Электропоглощение в гладком поле 297
§ 4. Поглощение в примесном случайном поле 305
§ 5*. Экситонное поглощение света в слабом случайном поле 310
§ 6*. Влияние экситонных эффектов на хвост коэффициента поглощения 314 Глава VI. Резонансное комбинационное рассеяние света в неупорядоченных 319 полупроводниках
§ 1. Введение. Общее выражение для сечения рассеяния и 319
конфигурационное усреднение § 2*. Влияние гладкого случайного поля на комбинационное рассеяние 323
света при 1с << ^0
§ 3*. Влияние гладкого поля на комбинационное рассеяние в случае 336
/с>>^0
Приложения 344
I*. Теоремы о корреляции 344
II*. Поле упругих деформаций 350
ITT*. Характеристический функционал гауссова случайного поля 354
IV*. Непосредственный расчет бинарной корреляционной функции 354
пуассоновского случайного поля V*. Характеристический функционал лоренцева случайного поля 355
VI*. Вычисление интеграла, фигурирующего в формуле (II. 9.31) 356
VII*. Функции Грина в задаче с гамильтонианом (II. 16.1') при Т = 0 356
VIII*. Диагонализация формы Ъ2Qп 358
IX*. Вычисление величин П± (к) и Пц( к) 361
X*. Поведение решения кинетического уравнения в области малых частот 364
XI. Некоторые результаты стандартной теории протекания 366
XII*. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в гладком 369
гауссовом случайном поле XIII*. Вычисление интеграла по Ю в формуле для ?2(w) (V.2.1) 374
XIV*. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в 375
примесном случайном поле XV*. Преобразование выражения (VI. 2.23) 378
Литература 381
ПРЕДИСЛОВИЕ
В последние пятнадцать лет исследование электронных явлений в неупорядоченных системах — жидких и аморфных полупроводниках, сильно легированных полупроводниках, жидких металлах и т. д. — заняло одно из центральных мест в физике конденсированной среды. Оно обусловлено как возросшей практической важностью таких систем, так и внутренней логикой развития физики. Практическая сторона дела связана с рядом обстоятельств. Так, в стеклообразных и жидких полупроводниках наблюдается «эффект переключения» — резкий (за время ~ 10-10 с) переход между состояниями сравнительно высокой и очень малой проводимости. Этот эффект привлекает к себе внимание в связи с рядом очевидных приложений. Сильно легированные полупроводники используются в качестве материалов для лазеров и для термоэлектрических устройств. Фотоэлектрические свойства неупорядоченных полупроводников (в частности, халькогенидных стекол) оказываются весьма нетривиальными и открывают довольно заманчивые перспективы приложений. Привлекательным кажется использование аморфного кремния в качестве материала для солнечных батарей. Кроме того, любые полупроводники, подвергнутые действию облучения, неизбежно становятся в какой-то мере разупорядоченными. Следовательно, физика радиационных повреждений в этом смысле составляет часть физики неупорядоченных систем.
С чисто принципиальной точки зрения исследование неупорядоченных полупроводников и металлов составляет логически неизбежное звено в цепочке «идеальный газ — идеальный кристалл — аморфное вещество или жидкость».
К настоящему времени, видимо, уже сложились некоторые представления об основных особенностях электронных процессов в неупорядоченных конденсированных системах, о структуре их энергетического спектра, о поглощении (и испускании) электромагнитных волн неупорядоченными полупроводниками и об основных закономерностях некоторых явлений переноса. Накопленный в этой области большой экспериментальный материал в известной мере удается последовательно интерпретировать с единой точки зрения.
