Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бонч-Бруевич В.Л. -> "Метод функций Грина в статической механике" -> 139

Метод функций Грина в статической механике - Бонч-Бруевич В.Л.

Бонч-Бруевич В.Л. , Тябликов С.В. Метод функций Грина в статической механике — М.: ФИЗМАЛИТ, 1961. — 312 c.
Скачать (прямая ссылка): metodfunxgrinavstaticheskoymehanika1961.djvu
Предыдущая << 1 .. 133 134 135 136 137 138 < 139 > 140 141 142 143 144 145 .. 162 >> Следующая


ьа

Рис. 27. Спектр рассеяния света при электронном внутризонном рассеянии в гауссовом случайном электрическом поле при разных энергиях h(Hi падающего света. Параметр х дается выражением х — (wg — ш,)/0.



-0,5

-у=-

ЪсО'-Еа

0,0

Ед-HbJs

Рис. 29. Низкочастотная часть («хвост») спектра рассеянного света, изображенного на рис. 27 (логарифмический масштаб).

Рис. 28. Спектр рассеянного света при электронном внутризонном рассеянии

а) в гауссовом случайном поле и

б) в среднем поле |?| =е~1‘ф^2. Энергия падающих квантов ftco, = ftcog (х = 0).

имеет максимум, убывая в сторону высоких энергий примерно как обратный квадратный корень, а в сторону низких энергий — практически экспоненциально с показателем, равным S (рис. 29).
§ 2*. ВЛИЯНИЕ ГЛАДКОГО ПОЛЯ ПРИ lc « j,

335

Поэтому среднее значение напряженности случайного поля ^Ц2/е можно определить как из спектра поглощения, так и из спектра комбинационного рассеяния.

Обращаясь теперь к резонансному комбинационнЪму рассеянию фононами и пользуясь формулами (2.1), (2.47) и (V. 2.14), мы получаем

Fph(х, р) = j d% | Р (S) | Q- Q(—%pJ1) f ¦ (2-56)

Функция FPh(x, p) определяет частотную зависимость резонансного комбинационного рассеяния фононами в случайном электрическом поле. Результаты численного расчета этой функции приведены на рис. 30. Видны два эффекта случайного поля. Во-первых, резонансное увеличение рассеяния сглаживается по мере роста среднего значения случайного поля. Оно практич§-

FPh

J.o

I-----! р=о,од

0,8

0,6

“4 ~г 0 2 // 6 i Eg-ftcij

Па>0

Рис. 30. Зависимость сечения комбинационного рассеяния свЬта фононами от энергии падающего света.

(2.57)
336 гл. VI. РЕЗОНАНСНОЕ КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА

ски исчезает, когда характерная частота 0 больше частоты фо-нона соо. Во-вторых, с ростом случайного поля максимум кривой fph(co) сдвигается в сторону более высоких энергий.

§ 3 *. Влияние гладкого поля на комбинационное

рассеяние в случае 1С

Рассмотрим теперь однофононное резонансное комбинационное рассеяние света в условиях (1.11). Случайное поле по-прежнему будем считать гладким. Это означает, что длина |0 не слишком мала. В соответствии с равенствами (1.19), (1.20) в данном случае главную роль играют величины A/S(x, t\C), которые следует усреднить с функцией распределения р\{С). Выделение линейной по Hint(t') и Яе, Ри части оператора Дj(x,t) при этом удобно производить не непосредственно, а вводя функцию Грина и пользуясь затем стандартным разложением S-матрицы. Как и в § 2, будем считать, что валентная зона целиком заполнена, а зона проводимости пуста и температура достаточно низкая. Тогда «электронная» часть усреднения в (1.19) сводится к усреднению по основному состоянию полупроводника. Интересуясь лишь рассеянным светом в ограниченной спектральной области (см. § 1), мы можем расцепить «электронную» часть усреднения в правой части (1.19)*):

<Д/Лх', С) Д/Лх, /; С)>е = <Д/Лх', С))е<Д/5(х, Г, С)>е. (3.1)

Символ <.. ,)е здесь обозначает усреднение по основному состоянию электронной подсистемы.

Введя причинную функцию Грина, получаем

-^-^dx^dt (А/'Лх, /; С))е =

= ~ ? (kI' I esp I к/) J dt ei(V AG (к, /; к', Г; f - t) |к,=к .

0 к.;',; ‘ t'=t+o

(3.2)

Здесь ДС(к, /; к',/'; t—t') есть линейное по Hint(t) и Яе, Ph слагаемое в разложении функции

G (к, /; к', /'; t' - t) = i (Т {аы (t) a+v (3.3)

*) Справедливость этого утверждения можно доказать, рассматривая фурье-образ недиагональных матричных элементов оператора Д/s. Мы имеем

{X' | Ajs (ш) | X) ~ б (a>s - шг - coq + ши,),

где <Dq — фононная частота. Таким образом, при X’ Ф X имеет место дополнительный частотный сдвиг, который в рассматриваемом случае оказывается порядка ширины запрещенной зоны.
§ 3*. ВЛИЯНИЕ ГЛАДКОГО ПОЛЯ В СЛУЧАЕ 'с » |0 337

Именно:

ДО (к, /; к', /'-/)l/w+0 =

= Т S dtl S ^ {Як/ ^ Ок'/' (О Я,п. (/l) Яе. ph (/2)})е. (3.4)

Временная зависимость операторов, фигурирующих в правой части (3.4), определяется гамильтонианом

Я„ = Яе + I (U|t/|kT)a+ak,r, (3.5)

е к, I, к', Г

где Яе — электронный гамильтониан (2.10). Подставляя в (3.4) явные выражения для Hint(t) и Яе, ph(f) и расцепляя причинные функции Грина по теореме Вика, находим
Предыдущая << 1 .. 133 134 135 136 137 138 < 139 > 140 141 142 143 144 145 .. 162 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed