Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников - Бару В.Г.
Скачать (прямая ссылка):
26. OenO. S., Holmes D. K., J. Appl. Phys. 30, 1289 (1959)
27. Varley J. H. O., Nature 174, 886 (1954); J. Nucl. Energy 1, 130
(1954).
28. "Легирование полупроводников ионным внедрением", Сб. статей, "Мир",
1971.
29. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж., [Ионное легирование, "Мир", 1973.
30. Brinkman J. A., J. Appl. Phys. 25, 961 (1954); Amer. J. Phys.
24, 246 (1956).
31. Gonzer U., Okkers В., Phys. Rev. 105, 757 (1957); 109, 663 (1958).
¦32. Fu/itaF. E.,Gonser U., J. Phys. Soc. Japan 13, 1068 (1958).
33. Trower J., Brit. J. Appl. Phys. 15, 1153 (1964).
34. Bierlein Т. K., J. Appl. Phys. 33, 2872 (1962).
35. Bertolotti М., In "Radiation Effects in Semiconductors", N. Y.,
Plenum Press, 1968, p. 311.
36. Selsbee R. H., J. Appl. Phys. 28, 1246 (1957).
37. LeibfriedG., J. Appl. Phys. 30, 1388 (1959); 31, 117 (1960). ,
38. Lehman C., LeibfriedG., Z. Phys. 162, 203 (1961).
39. Nelson R. S., Tompson M. W., Proc. Roy. Soc. A259, 458 (1961).
40. Seeger A., in "Radiation Damage in Solids", vol. 1, Vienne, 1962,
p. 10.
41. Robinson М. Т., Holmes D. К., Oen O. S., Bull. Am. Phys. Soc.
7, 171 (1962).
42. Robinson M. Т., Oen O. S., Appl. Phys. Lett. 2, 30, 83 (1963)_
43. Туликов А. Ф., УФН 87, 586 (1965).
44. Гарбер P. H., Федоренко А. И., УФН 83, 385 (1964); "Радиационная
физика неметаллических кристаллов", т. I, Киев,
1967, стр. 34.
45. Линдхард И., УФН 99, 242 (1969).
46. Томпсон М. В., УФН 99, 297 (1969).
47. Дамаск А., Дине Дж., Точечные дефекты в металлах, "Мир". 1969.
ЛИТЕРАТУРА
283
48. Kimura II., Мaddin R., Kuhlmann-Wilsdorf D.t Acta Metal. 7,,145
(1959).
49. De Jong M., Koehler J. S., Phys. Rev. 129, 49 (1963).
50. Damask A. C., DienesG. J., Phys. Rev. 120, 99 (1960); 125, 444
(1962).
51. СпицынА. В., Смирнов Л. С., ФТТ 4, 3455 (1962).
52. Mesliii М., MoriE., Kauffman J. W., Phys.Rev.125,1239 (1962).
53. Mac Kay J., In "Radiation Damage in Semiconductors", Paris, Dunod,
1965, p. 11.
54. Ishino S., Nakazawa F., Hasiguti R. R., J. Phys. Chem. Sol.
24, 1033 (1963).
55. Витовский II. А., Машовец Т. В., Рывкин С. М., ФТТ 5, 1833
(1963).
56. Brown W., Augustiniak I., J. Appl. Phys. 30, 1300 (1959).
57. Конозенко II. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И., Радиационные эффекты
в кремнии, Киев, "Наукова думка", 1974.
58. Corbett J. W., Electron radiation damage in semiconductors and
metals, N. Y., Acad. Press, 1966.
59. Родес P. Г., Несовершенства и активные центры в полупроводниках,
"Металлургия", 1968.
60. Ларк-Горовиц К., В сб. "Действие ядерных излучений на материалы",
Ленинград, 1961, стр. 172.
61. Фзн Г., Ларк-Горовиц К., Проблемы современной физики 8, 156 (1957).
62. Conference on Radiation Effects in Semiconductors, Tennessee,
Conn., 1959; J. Appl. Phys. 30, Jvb 8 (1959).
63. "Radiation Damage in Semiconductors", Paris, Dunod, 1965.
64. "Radiation Effects in Semiconductors", N. Y., Plenum Press,
1968.
65. "Radiation Effects in Semiconductors", L.-N. Y.- Paris, 1971.
66. "Radiation Damage and Defects in Semiconductors", London, 1973.
67. "Радиационная физика неметаллических кристаллов", т. 1, Киев,
"Наукова думка", 1967.
68. "Радиационная физика, неметаллических кристаллов", т. 2, Минск,
"Наука и техника", 1970.
69. "Радиационная физика неметаллических кристаллов", т. 3, Киев,
"Наукова думка", 1971.
70. "Радиационные дефекты в полупроводниках", Минск, Изд-во Белорусок,
гос. ун-та, 1972.
71. Fan Н. Y., RamdasA.K., J. Appl. Phys. 30, 1127 (1959).
72. Klein С., J. Appl. Phys. 30, 1222 (1959).
73. Watkins G. IK, Corbett J. W., Walker P. М., J. Appl. Phys. 30, 1198
(1959).
74. Bemski G., J. Appl. Phys. 30, 1195 (1959).
75. Sonder E., Templeton L., J. Appl. Phys. 31, 1279 (1960).
76. Вавилов В. С., Плотников А. Ф., ФТТ 3, 2455 (1961).
77. Вавилов В. С., Плотников А. Ф., Ткачев В. Д., ФТТ 4, 3446
(1962).
78. Yang R. С., Coretli J. С., Phys. Rev. В5, 1455 (1972).
79. Плотников А. Ф., Ткачев В. Д., Вавилов В. С., ФТТ 4, 3575
(1962).
284
ЛИТЕРАТУРА
80. Ткачев В. Д., Плотников А. Ф., Вавилов В. С., ФТТ 5, 3188
(1963).
81. Плотников А. Ф., Вавилов В. С., Смирнов Л. С., ФТТ 3, 3253
(1961).
82. Cherki М., Kalma A., Phys. Rev. BI, 647 (1970).
83. Sender E., Templeton L., J. Appl. Phys. 36, 1811 (1965).
84. Вавилов В. С., УФЫ 84, 431 (1964).
85. Watkins G. D., In "Radiation Damage in Semiconductors", Paris,
Dunod, 1965, p. 97.
86. Watkins G. D., In "Radiation Effects in Semiconductors", N. Y.,
Plenum. Press, 1968, p. 67.
87. Бонч-Бруевич В. Л., В сб. "Физика твердого тела", ВИНИТИ, 1965,
стр. 129.
88. Эфрос А. Л., УФН 111, 451 (1973).
89. Crawford J. Я., Cleland J. W., J. Appl. Phys. 30, 1204 (1959).
90. Gossick В. R., J. Appl. Phys. 30, 1214 (1959).
91. Коноплева P. Ф., Литвинов В. Л., У хин Я. ^4., Особенности
радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий,
Атомиздат, 1971.
92. Гаджиев А. Р., Рывкин С. М., Шлимак И. С., Письма в ЖЭТФ
25, 605 (1972).
93. Ионов А. И., Рывкин С. М., Шлимак И. С., ФТП 6, 2308 (1972).
