Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бару В.Г. -> "Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников" -> 93

Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников - Бару В.Г.

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников — М.: Наука, 1978. — 285 c.
Скачать (прямая ссылка): vliyanieoblucheniyanapoverhnostnie1978.pdf
Предыдущая << 1 .. 87 88 89 90 91 92 < 93 > 94 95 96 97 98 .. 99 >> Следующая

(соответственно при адсорбции акцепторов и доноров). Электроны и дырки
здесь по существу выступают в роли адсорбционных центров, и поэтому их
энергия активации входит в качестве слагаемого в энергию активации
хемосорбции. В частности, при адсорбции акцепторов согласно (52.35) до
облучения имеем
= (7i - ?2 "Ь ei . ввЧ-^во-
Если облучение вызывает в основном сдвиг, а не нарушение электронного
равновесия в полупроводнике, то изменение энергии активации хемосорбции Е
^обусловлено прежде всего смещением объемного уровня Ферми, т. е.
изменением величины е". Поскольку эта же величина определяет и
электропроводность полупроводника х, следует ожидать корреляции между
направлением изменения Е и х в результате облучения. При адсорбции
акцепторов
18*
276 ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА КИНЕТИКУ ХЕМОСОРБЦИИ [ГЛ. 18
изменения Е их должны быть симбатны на образцах п-типа и антибатны на
образцах p-типа. При адсорбции доноров возникают обратные закономерности.
Если облучение вызывает в основном нарушение, а не сдвиг электронного
равновесия, то согласно (52.36)
Е = ?i - q2 + Vs.
В этом случае электроны, участвующие в хемосорбции, создаются в объеме за
счет энергии радиации и лишь при движении к поверхности они преодолевают
барьер Fs. Если 7S< 0 и \VS\ > qt - g2, то Е < 0. Очевидно, что,
воздействуя на Fs поверхностной обработкой или поперечным электрическим
полем, можно добиться смены знака Е при облучении и, следовательно,
качественно изменить температурную зависимость скорости хемосорбции.
Отметим, что последний результат связан именно с участием свободных
неравновесных электронов в хемосорбции, и поэтому он может быть
использован для отделения этого случая от других, в которых
адсорбционными центрами являются равновесные носители заряда или
структурные дефекты.
Заметим в заключение, что содержание этой книги (в чем несомненно мог
убедиться читатель) свидетельствует о том, что вопросы влияния облучения
на адсорбционные и' каталитические свойства полупроводника представляют
важную и сложную проблему. В настоящей книге мы коснулись лишь некоторых
сторон этой проблемы, не исчерпав ее. Экспериментальный материал здесь
столь же богат, сколь и противоречив. Настоящая книга представляет собой
попытку интерпретировать его с некой единой точки зрения. Понимание
механизмов явления позволило бы использовать облучение как инструмент для
управления свойствами полупроводника.
ЛИТЕРАТУРА
К части I
1. Теренин А. Н., В сб. "Проблемы кинетики и катализа", т. 8,
Изд-во АН СССР, 1955, стр. 17.
2. Солоницын Ю. П., ЖФХ 32, 1241 (1958).
3. Котельников В. А., Кинетика и катализ 5, 565 (1964).
4. Haber J., Stone F. S., Trans. Faraday Soc. 59, 192 (1963).
5. Romero-Rossi F., Stone F. S., In: "Deuxieme Congres International
de Catalyse", Paris, 1960.
6. Stone F. S., In "Coloquio Sobre Quimica Fisica de Processos on
Superficies Solides", Madrid, 1965, p. 109.
7. Кван Т., В сб. "Электронные явления в адсорбции и катализе на
полупроводниках", "Мир", 1969, стр. 278.
8. Stone F. S., In "Ipatieff Contenary Conf.", Evanston, 1967.
9. Fu/ita Y., Kwan Т., Bull. Chem. Soc. Japan 31, 830 (1958).
10. Barry T. In "Deuxieme Congres International de Catalyse", Paris,
1960.
11. Terenin A . N., Solonitsin Y. P., Disc. Faraday Soc. 28, 28 (1959).
12. Kennedy D., Ritchil М., Mackenzie J., Trans. Faraday Soc. 54, 119
(1958).
13. Казанский В. Б., Никитина О. В. и др., ДАН СССР 151, 369
(1963).
14. Haber J., Kowalska A., Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. chim. 13, 463
(1965).
15. Солоницын Ю. П., Автореферат канд. дисс., ЛГУ, Л., 1960.
16. Cockelbergs R., Crucq А. и др., J. Phys. Chem. Sol. 26, 1983
(1965).
17. Волъкенштейн Ф. Ф., Электронная теория катализа на полупроводниках,
Физматгиз, 1960.
18. Волъкенштейн Ф. Ф., Физико-химия поверхности полупроводников,
"Наука", 1973.
19. Волъкенштейн Ф. Ф., Карпенко И. В., ФТТ 9, 403 (1967).
20. Wolkenstein Th., Karpenko I. V-, J. Appl. Phys. Suppl. to Vol.
33, 460 (1962).
21. Бир Г. Л., ФТТ 1, 67 (1959).
22. Волъкенштейн Ф. Ф., Карпенко И. В., ДАН СССР 165, 1101 (1965).
23. Kohn Н. W., Taylor Е. Н., In "Deuxieme Congres International de
Catalyse", Paris, 1960.
24. Kohn II. W., Nature 184, 630 (1959), J. Chem. Phys. 33, 1588
(1960); J. of Catalysis 2, 208 (1963).
278
ЛИТЕРАТУРА
25. Боресков Г. К., Казанский В. Б. и др., ДАН СССР 157, 384
(1964).
26. Мищенко Ю. А., Автореферат канд. дисс., МГУ, М., 1964.
27. MuhaG. М., J. Phys. Chem. 70, 1390 (1966).
28. StamiersD. N-, Turkevich J., J. Am. Chem. Soc. 86, №5 (1964).
29. Lunsford J. H., Jayne J. P., J. Phys. Chem. 69, 2183 (1965).
30. Bauer E., Staude HIn "Katalyse", Bericht von der Hauptjahre-stagung
1958 der Chemischen Gesellschaft in der DDR, 1959, S. 121.
31. Камкэ 9Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям, ИЛ,
1950, стр. 415.
32. Бару В. Г., Волькенштейн Ф. Ф., ЖФХ 42, 1317 (1968); Ваги V.,
Wolkenstein Th., Surface Science 13, 294 (1969).
33. Barry Т. I., Stone F. S., Proc. Hoy. Soc. A255, 124 (1960).
Предыдущая << 1 .. 87 88 89 90 91 92 < 93 > 94 95 96 97 98 .. 99 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed