Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бару В.Г. -> "Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников" -> 63

Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников - Бару В.Г.

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников — М.: Наука, 1978. — 285 c.
Скачать (прямая ссылка): vliyanieoblucheniyanapoverhnostnie1978.pdf
Предыдущая << 1 .. 57 58 59 60 61 62 < 63 > 64 65 66 67 68 69 .. 99 >> Следующая

как предварительное облучение адсорбентов вызывало незначительный
радиационный эффект, на А1203 он был в десять раз меньше, чем при
облучении в процессе адсорбции.
Сравнивая в начальной стадии адсорбции 02 па А1203 радиационно-химический
выход адсорбированного кислорода (т. е. число адсорбированных молекул 02
на 100 эв поглощенной энергии) с соответствующим выходом радиационной
ионизации (т. е. с числом электронно-ды-рочных пар, образующихся при
поглощении 100 эв энергии излучения), авторы приходят к выводу, что эти
величины близки и, следовательно, практически все электроны, рождаемые
радиацией в исследованных образцах А1203, захватываются адсорбированными
молекулами 02. Дырки же эффективно захватываются в объеме А1203, и
поэтому для водорода радиационно-химический выход оказывается заметно
меньшим, чем для кислорода.
Отметим работы Колбановского с сотрудниками, в которых на основе
экспериментальных данных подробно анализируется кинетика радиационной
(источник Со80)
190 ОБЛУЧЕНИЕ И АДСОРБЦИОННАЯ СПОСОБНОСТЬ [ГЛ. 15
адсорбции кислорода, водорода, углекислого газа на А1203 [132, 149 -
151].
В работе [152] была обнаружена радиационная хемосорбция кислорода на
Сг203, Сг203 - А1203 и Сг203- Sn02 в поле излучения реактора
(интегральный поток ~6х Х1017 нейтрон/см2). Температура образцов в
реакторе не превышала 120 °С, тогда как заметная хемосорбция кислорода на
Сг203 в отсутствие облучения наблюдается лишь при Т > 300 °С.
Предварительное облучение образцов в вакууме практически не влияло на их
адсорбционные свойства по отношению к кислороду, и авторы предполагают,
что радиационный эффект связан в основном с воздействием излучения па
газовую среду. Возможно и другое предположение - о существенной роли
неравновесных электронов и дырок в наблюдаемых явлениях.
В заключение остановимся на интересных данных об адсорбции кислорода на
CdS в поле гамма-излучения Со60, приведенных в [153, 154].
Предварительный прогрев образцов CdS в вакууме увеличивал адсорбционную
способность без облучения, но уменьшал ее относительное изменение при
облучении. Прогрев в атмосфере серы уменьшал адсорбцию как в равновесии,
так и под облучением, но относительный радиационный эффект при
этом был положителен. Установлено также, что с ростом температуры (в
интервале 193 - 373 °К) скорость адсорбции в поле излучения замедляется,
т. е. энергия активации процесса становится отрицательной.
Возрастание мощности источника и соответственно дозы облучения приводило
к появлению радиационного эффекта и при предварительном облучении
образцов CdS, отожженных в атмосфере серы. Зависимость адсорбционной
способности от дозы предварительного гамма-облучения представлена на рис.
38. Авторы интерпретируют полученные данные, предполагая, что центрами
адсорбции кислорода на CdS являются электроны, локализованные вблизи
вакансий серы.
N¦10'"см~г
Рис. 38.
g 43] ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ 191
Приведенный обзор экспериментальных данных показывает, что как
предварительное облучение адсорбента, так и облучение в процессе
адсорбции приводит к сильным и разнообразным эффектам. Имеющиеся данные,
как правило, недостаточны для однозначной интерпретации наблюдаемых
явлений. Тем не менее они позволяют сделать некоторые общие выводы,
важные для анализа возможных механизмов радиационных эффектов.
Влияние предварительного облучения обычно сводится к созданию достаточно
стабильных радиационных дефектов в объеме и на поверхности твердого тела.
Это прежде всего структурные дефекты, которые либо непосредственно
становятся центрами адсорбции, либо являются донорами или акцепторами
электронов, участвующих в адсорбционной связи. Достаточно стабильными
могут оказаться также неравновесные электроны и дырки, захваченные
"биографическими" несовершенствами и образующие новые активные центры
адсорбции. Как структурные, так и электронные дефекты могут быть
ответственны, с одной стороны, за наведенную адсорбционную активность
поверхности твердого тела, а с другой - за изменение его электрических,
оптических, магнитных и других свойств. Такая корреляция, наблюдаемая
экспериментально, весьма важна для идентификации радиационных дефектов и
установления их связи с активными адсорбционными центрами поверхности.
Одновременно эта корреляция является надежным свидетельством электронной
природы радиационных эффектов в адсорбции.
В тех случаях, когда радиационные эффекты наблюдаются лишь при
непосредственном воздействии облучения в процессе адсорбции, главная роль
принадлежит дефектам с малым временем жизни, например, свободным или
слабо связанным неравновесным электронам и дыркам. Однако сам акт
адсорбции может превратить эти дефекты в более стабильные и привести к
необратимым изменениям после снятия облучения.
Важную роль при непосредственном облучении системы адсорбент + газ могут
играть также процессы поверхностной рекомбинации, которые обеспечивают
передачу энергии радиации, поглощенной твердым телом, адсорбированным
Предыдущая << 1 .. 57 58 59 60 61 62 < 63 > 64 65 66 67 68 69 .. 99 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed