Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бару В.Г. -> "Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников" -> 21

Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников - Бару В.Г.

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников — М.: Наука, 1978. — 285 c.
Скачать (прямая ссылка): vliyanieoblucheniyanapoverhnostnie1978.pdf
Предыдущая << 1 .. 15 16 17 18 19 20 < 21 > 22 23 24 25 26 27 .. 99 >> Следующая

(13.19) к - а и, следовательно, согласно (15.4)
При этом уравнение (15.5) принимает вид
N(t) = (V%oX*{l -
- [(M-о - М-О/М-о! exp [- a0(t - g]} = (bJb)X(t), жгг-> -
(15.6)
где X(t) имеет вид (12.13). Мы имеем здесь [как и в
(13.11)] адсорбциопиое равновесие на изменяющемся (релаксирующем) числе
адсорбционных центров. Уравнению (15.6) соответствует участок ВС на
кривой, изображенной на рис. 13, а. (Заметим, что кривая ABG на этом
рисунке соответствует уравнению (15.2), ср. с рис. 12.)
Обратимся теперь к случаю (13.166), когда к - b и, следовательно, (Xi -ф
щ. Уравнению (15.5) в этом случае соответствует кривая BDEF на рис. 13,
проходящая через максимум (минимум) при t = g Разлагая N - N(t) в (15.5)
в ряд около точки t = tx и принимая во внимание (13.10), легко показать,
что для точки максимума (точка D на рис. 13, а) будем иметь:
t* = + At, где At - 1 lb, (15.7a)
N* = iVi + AN, где AN = (bJ2b) - pi) X*. (15.76)
72 ФОТОАДСОРБЦИЯ НА РЕАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ [ГЛ. 5
Можно также легко показать, что (см. рис. 13, а, б): t[ - t = 2 jb = 2
At,
Nao N1 - (bjb) (fi! - ni) X* =
= (bjb) (n - ц0) X* exp [- b (tx - ?0)] = 2AN.
Мы здесь вновь встречаемся с "памятью" полупроводника, проявляющейся в
"эффекте последействия": адсорбция (десорбция) продолжается в течение
некоторого времени
после выключения освещения так, как если бы освещение вовсе не было
прервано. Для величины эффекта AN имеем согласно (15.76) и (15.4):
AN = (b1/2b){li1-p'1)X* = = (i"i/2b) (jx-jj.0) х
Хехр [- Ъ (t - ?")]. (15.8)
В заключение подведем итог. Мы рассматривали "память" полупроводника,
проявляющуюся во влиянии предварительного- освещения на последующую
темновую и фотоадсорбцию (§13) ив "эффекте последействия" (§ 15). В этих
случаях "память" обязана своим происхождением не радиационным дефектам,
возникающим в полупроводнике при корпускулярном облучении и сохраняющимся
после прекращения облучения, а неравновесным носителям, локализующимся
под влиянием освещения на биографических (не радиационных) дефектах и
остающимся в таком состоянии достаточно длительное время. "Память" этого
типа возникает у всякого полупроводника, у которого адсорбционными
центрами служат локализованные носители.
Nririx*
"Лях*
о
а) Случай ju>fiD
6
¦^П] ~\AN ^ч? SAN
f >
А At. A t
to Ь- t* ti
Облучение Темнота
б) Случай р<fia
NrtW
KrfpX*
Облучение Темнота Рис. 13.
ГЛАВА б
СРАВНЕНИЕ ТЕОРИИ С ЭКСПЕРИМЕНТОМ
§ 16. Влияние освещения на адсорбционную способность поверхности
Обратимся к экспериментальным данным, обзор которых был дан в § 2. Эти
данные на первый взгляд в известной мере противоречивы. Мы рассмотрим их
с позиций развитой теории.
Прежде всего рассмотрим вопрос о влиянии условий опыта и обработки
образца на знак и абсолютную величину фотоадсорбционного эффекта. С этой
целью вернемся к рис. 6, часть которого, относящаяся к адсорбции
акцепторных частиц (кислород), повторена на рис. 14.
74
СРАВНЕНИЕ ТЕОРИИ С ЭКСПЕРИМЕНТОМ
1ГЛ. в
Обработка образца или изменение условий опыта (давление, температура)
приводят к изменению значения величины Fs или е" (или обеих этих величин
одновременно), т. е. к перемещению ыа рис. 14 из одной точки в другую.
Прямые, параллельные прямой АА на рис. 14, представляют собой
геометрические места точек, для которых Ф = const, причем эти прямые
перенумерованы на рис. 14 в порядке убывания Ф (имеется в виду
алгебраическое значение Ф). Прямая АА, соответствующая значению Ф = 0,
делит таким образом поле ССС на области положительного и отрицательного
эффектов (область слева и справа от прямой АА соответственно). Все
экспериментальные данные могут быть разбиты на три группы.
1. К первой группе относятся все те работы, в которых исследуются
такие воздействия на образец, при которых изменяется Fs, но ev остается
постоянным. Это -воздействия, изменяющие поверхность, но не затрагивающие
объема. Примером может служить исследование влияния давления газа, в
атмосфере которого находится полупроводник, на его фотоадсорбционные
свойства. Если этот газ - кислород, а адсорбирующиеся частицы - акцепторы
(например, тот же кислород), то по мере увеличения давления мы
перемещаемся слева направо на рис. 14, как это указано горизонтальной
стрелкой аЪ. При этом, как видно из рисунка, величина положительного
эффекта убывает, и положительный эффект может уступить место
отрицательному.
Именно это наблюдали Ромеро-Росси и Стон [5, 6], имевшие дело с системой
ZnO + 02 при комнатной температуре: при малых давлениях они наблюдали
фотоадсорбцию, которая, однако, при повышении давления сменялась
фотодесорбцией, возрастающей прл возрастании давления. Подчеркнем, что
здесь существенно, чтобы температура была не слишком высока. При
достаточно высоких температурах происходит окисление образца, и
одновременно с увеличением Va уменьшается гв (см. ниже).
Другим примером является увеличение Fs, происходящее за счет удаления с
поверхности хемосорбирован-ных на ней донорных частиц. При этом Va должно
Предыдущая << 1 .. 15 16 17 18 19 20 < 21 > 22 23 24 25 26 27 .. 99 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed