Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников - Бару В.Г.
Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников
Автор: Бару В.Г.Другие авторы: Волькенштейн Ф.Ф.
Издательство: М.: Наука
Год издания: 1978
Страницы: 285
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99
Скачать:
В.Г.Бару, Ф. Ф.Волькенштейн ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Главная редакция физико-математической литературы издательства "Наука",
1978.
В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и
корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства
полупроводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем
развивается теория явления и, наконец, проводится сравнение теории с
экспериментом. Книга в основном имеет оригинальный характер, отражая
результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и
фотокаталитического эффектов строится на фундаменте современной
электронной теории катализа. Книга имеет целью раскрыть, в той или иной
степени, механизм явления.
Содержание
Предисловие 7
ЧАСТЬ I
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА АДСОРБЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
ПОЛУПРОВОДНИКА Глава 1 Фотоадсорбционный эффект 9
§ 1. Положительный и отрицательный фотоадсорбционные эффекты 9
§ 2. Обзор основных экспериментальных данных 12
§ 3. "Идеальная" и "реальная" поверхности полупроводника 16
Глава 2. Адсорбция на идеальной поверхности 20
§ 4. Содержание па поверхности различных форм хемосорбции при 20
отсутствии освещения § 5. Изменение содержания различных форм хемосорбции
под влиянием 25
освещения
§ 6. Механизм влияния освещения на адсорбционную способность 29
поверхности
Глава 3. Фотоадсорбционный эффект на идеальной поверхности 35
§ 7. Знак фотоадсорбционного эффекта при слабом возбуждении (случай 35
электронного механизма поглощения света)
§ 8. Знак фотоадсорбционного эффекта при слабом возбуждении (случай 41
экситонного механизма поглощения света)
§ 9. Знак и абсолютная величина фотоадсорбционного эффекта при 47
сильном возбуждении Глава 4. Адсорбция на реальной поверхности 51
§ 10. Природа адсорбционных центров 51
§ 11. Концентрация адсорбционных центров 53
§ 12. Изменение концентрации адсорбционных центров под влиянием 57
освещения
Глава 5. Фотоадсорбционный эффект на реальной поверхности 62
§ 13. Адсорбция после предварительного освещения 62
§ 14. Знак и абсолютная величина фотоадсорбционного эффекта 67
§ 15. Эффект последействия 70
Глава 6. Сравнение теории с экспериментом 73
§ 16. Влияние освещения па адсорбционную способность поверхности 73
§ 17. Эффекты "памяти" при фотоадсорбции 77
§ 18. Некоторые теоретические прогнозы 82
ЧАСТЬ II
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА КАТАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ПОЛУПРОВОДНИКА Глава 7. Механизм каталитического действия полупроводника
85
§ 19. Свободные валентности поверхности 85
§ 20. Валентно-насыщенные и радикальные формы хемосорбции 89
§ 21. Радикальные механизмы в гетерогенном катализе 94
Глава 8. Фотокаталитический эффект 100
§ 22. Абсолютная величина и знак фотокаталитического эффекта 100
§ 23. Фотокаталитический эффект на реальной поверхности 105
§ 24. Фотокаталитический эффект па "неупорядоченном" полупроводнике 109
Глава 9. Реакция дейтеро- водородного обмена 114
§ 25. Сводка экспериментальных данных 114
§ 26. Механизм реакции 117
§ 27. Сравнение теории с экспериментом 121
Глава 10. Реакция окисления окиси углерода 120
§ 28. Сводка экспериментальных данных 126
§ 29. Механизм реакции 129
§ 30. Сравнение теории с экспериментом 133
Глава 11. Реакция синтеза перекиси водорода 139
§ 31. Сводка экспериментальных данных 139
§ 32. Механизм реакции 140
§ 33. Сравнение теории с экспериментом 144
Глава 12. Фотокаталитический эффект и электронная теория катализа 147
§ 34. "Коллективные" и "локальные" эффекты в катализе и 147
фотокаталитический эффект § 35. Замечания об электронной теории катализа
150
§ 36. Некоторые теоретические прогнозы 153
ЧАСТЬ III
ВЛИЯНИЕ КОРПУСКУЛЯРНОГО И ЖЕСТКОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА
АДСОРБЦИОННЫЕ И КАТАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКА Глава 13.
Образование различных типов радиационных дефектов 157
§ 37. Возбуждение неравновесных электронов и дырок 157
§ 38. Возникновение точечных дефектов решетки 162
§ 39. Сложные дефекты и явления, обусловленные кристаллической 167
структурой твердых тел Глава 14. Влияние облучения на объемные свойства
полупроводников 172
§ 40. Энергетический спектр электронов в облученных кристаллах 172
§ 41. Свойства облученного полупроводника 176
§ 42. Ионное легированно полупроводника 181
Глава 15. Влияние облучения на адсорбционную способность 185
полупроводника
§ 43. Обзор экспериментальных данных 185
§ 44. Влияние облучения на адсорбционную способность "идеальной" 192
поверхности полупроводника § 45. Влияние облучения на адсорбционную
способность "реальной" 202
поверхности полупроводника Глава 16. Влияние облучения на каталитические
свойства полупроводника 208
§ 46. Обзор экспериментальных данных 208
§ 47. Механизм влияния облучения на каталитическую реакцию 214
дегидрирования спирта § 48. Механизм влияния облучения па каталитическую
реакцию 223
дегидратации спирта Глава 17. Влияние радиоактивных примесей на
адсорбционные и 231
каталитические свойства полупроводника § 49. Обзор экспериментальных
