Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
aaRb 7,3 7,2 _ — 2,54 2,87 3,77
46Rd 7,8 7,9 _ — 2,94 2,97 7,26
47Ag 8,6 8,7 — — 3,16 2,74 10,24
48Cd _ — — — 2,81 3,50 —
50Sn — — 11,7 11,5 — — —
Продолжение табл. 35.4
L-.и M-m ния
К-лип ия иача.) ІЬИОГО уровня началі !,НОГО начального
Элемент уровня уровня
«г 3. Р. а
«Sb 10,6 14,2
52Te 11,0 14,0
531 10,7 15,1
55Cs 15,0 15,1 17,7 14,6 — - —
56Ba 15,2 18,0
57La — 17,2
58Ce 12,8 17,0 18,8 17,3 — - —
60Nd 14,4 21,2
62Sm 23,9 24,2 27,5 24,7 _ - —
63Eu _ 22,2
64Gd 27,0 26,4
66Tb _ 24,6 33,2 33,0 — _ _
66Dy 27,9 26,1
67Ho 30,2 28,8 33,5 34,0 — - —
68Fr — 29,5
c9Tm — 36,9
70Yb 40.4 32,5 44,0 37,8 — _ __
71Lu 39,3 39,8
72Hf — 38,7
73Ta 42,4 36,4 44,9 49,3 — _ —
74W 43,2 37,4
76Re 46,4 52,9
'6Os 55,0 50,9
77Ir 53,0 50,3
78Pt 58,0 63,3
79Au 55,5 56,7
80Hg 64,0 68.5
81Tl — 78.2
82Pb 65,5 68,7 _ —. — — —
83Bi — 83,5
90Th 95.0 92.6
92U 105,0 107,5
93Np 98,5 103,9
94Pu 114,0
95Am 115,0 129,5 і I
964, Таблица 35.5. Относительная интенсивность линий К- и /.-серий (в процентах интенсивности соответственно Кщ-линий, для Ar—Ca — от дублета Kai + Ka2 и Lal-линий, для К—Со—от дублета Lal + La2)
50,7 50,2 50,7
50.5 50,0
50.6
50.2
50.7 50,7
51.3 50,7 51,2
43.2
52.3 50,9
51.0
52.1
52.3
52.4 52,6
52.5
51.1
52.5
52.6
52.2 54,4 53,9
54.1
51.7
52.7 53,6 54,0
56.2
56.4
50.8 53,0 53,2
54.0
54.9 56,9 56,2
55.1
56.0
52.2
57.6
58.7
58.5
57.1
55.4
57.8 58,7
60.2 57,7
56.3
58.5
59.5
57.4
59.6
19.8
20.5
17.9 22,4 16,7 16,0 18,7 20,0 20,7
21.6 24,0 21,7 21,0 22,2 17,2
23,9
27.4 23,3 24,9 27,9
26.5
29.3
27.6 29,0
28.4
29.7 29,6
29.8
31.0 30,6
30.1
30,4 30,3
32,1 31,0
32,0
12,5 13,3 12,8 12,9 12,7 12,9 13,2 13,1 13,9 14,0
24,3 24,8 24,6 25,0 24,3
24.6 25,8 26,6
25.7 26,2
0,44 0,45 0,43 0,34 0,21 0,14 0,20 0,15
0,57 0,56 0,57 0,69 0,64 0,69 0,77 0,72 0,65 0,74
0,36
1 ,32
0,69
1.07 1,73
2,5
4,16
3,19
3,70
4,90
4,30
5,63
4,60
6,13
4,9
6,42
6,47
5,5
7.08 7,35 6,0
7,1
7,5
8.7
8.8 8,9
7.8 8,5 8,5
8.9 7,8 9,0 8,8 10,0 10,1 10,0
100
100 100 100 100 100 100 100
100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
100 100
100 100
100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
12,0 14,0 11,0
11,4 9,8 11,0
10.4 8,5
12.5
11.5 10,3
11.6
11.5 11,3 11,9 11,7
11.6 12,0 11,7
11.7 11,1 11,5
11.8 11 ,5 11 ,0 10,5 11,9
250 250 165 250 77 100
3,5 4,0
5,2 2,64
5.5 3,11
3,48
3.06
5.7 3,38
6,0 6,0
4,1
0,6 0,7
0,57
1,2 1,2 1,8
1.4
1.5 1,3 1,3 1,7 1,7
965 Продолокение табл. 34.9
К-Серия
Эз 3» ?« Рг
59,9 61,0 13,4 14,0 26,8 28,4 0,80 0,98 10,0 11,8
61,0 63.5 63,0 61,9 63.2 64.3 65,7 66.6 14,0 27,8 0,98 12,0
11,2 12,6 13.3 13.4 23,0 22,2 25,9 24,2 1
100 100 100
100
11,3 10,7 10,9 10,6
10,2
6,3 7,2
4,5
1,9 1,7 1,7
35.5. ОТНОСИТЕЛЬНЫЕ ИНТЕНСИВНОСТИ ЛИНИИ
Интенсивность лнннй рентгеновского излучения определяется силой осциллятора и частотой соответствующего перехода, а также статистическим весом уровня атома. Вычисление сил осцилляторов представляет собой трудоемкую задачу. По данным экспериментальных исследований для излучения K-серии интенсивность определяется уравнением I=xi(U—UKр)г, где Ukp — порог возбуждения серии; і — ток, проходящий через трубку; U — подаваемое напряжение; показатель г= 1,6-^-2; и — эмпирический параметр. Относительная интенсивность линий спектра определяется вероятностью перехода между уровнями. Для наиболее часто используемой /(-серии отношения Iai: Ii2'- I? = = 10:5:2, а отношение Xn : X? =1,09. Значения относительной интенсивности линий К и L-серий приведены в табл. 35.5 [2, 3].
35.6. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕЩЕСТВОМ
Взаимодействие рентгеновского излучения с веществом сопровождается вторичным излучением, возникающим в процессе прямого вырывания электронов из атома (фотоэффект) и последующего отрыва внешних электронов в ходе заполнения внутренних электронных оболочек. Перестройке электронных оболочек сопутствует излучение рентгеновских квантов с меньшей энергией (флуоресцентное излучение), или так называемого оже-электрона (вторичный фотоэффект). Прямое взаимодействие рентгеновского излучения с электронами внешних оболочек приводит к возникновению комптоновских
электронов. Ко вторичному излучению относится и рентгеновское излучение, неупруго рассеянное на тепловых колебаниях кристаллической решетки. В некоторых случаях при облучении кристалла рентгеновским излучением наблюдается люминесцентное излучение. Все эти процессы ответственны за поглощение рентгеновского излучения. В результате этих процессов и упругого рассеяния интенсивность первичного пучка /о при прохождении слоя вещества толщиной t уменьшается по экспоненциальному закону:
