Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
Вщ,10г Tл
Рис. 30.27. Зависимость Ар/р для монокристалла Bi от ориентации магнитного поля относительно бинарной оси при температуре 14 К (а) и 4,22 К (б) [131 (главная ось параллельна направлению тока)
Рис. 30.30. Анизотропия Ар/р для монокристаллов In (а, [20]) (RRR = 12 400; T = 4,2 К; В = 2,46 Тл; ф — угол между магнитным полем и направлением в плоскости, перпендикулярной электрическому току через образец) и зависимости Ар/р для In от магнитной индукции (б) в направлениях минимума и максимума угловой диаграммы а (см. п, 1, с. 738)
Рис. 30.29. Зависимость Ар/р для монокристалла Au от эффективной магнитной индукции ВЭф = В-р (300 К)/ /р (4,2 К) [19] (RRR= 16 000):
ф — в минимуме (ф = 0°); X — в максимуме (ф= —75°) угловой диаграммы при Т=4.2 К; О — в минимуме (Ч> = 0°) и А —в максимуме Hp= —75°) прн T=20,4 К; Ф — угол поворота магнитного поля в плоскости, перпендикулярной электрическому току через образец (диаграмма вращения подобна диаграмме вращения Ag, см. рнс. 30.40) (см п. 2, с. 738)
—T^
і- Г)
Z В, Тл
749 Рис. 30.31. Зависимость электросопротивления р поликристаллического образца Li от магпитпой индукции при T ==4,2 К [23]:
1 — в параллельна электрическому току через образец; г—В перпендикулярна электрическому току через образец
Рис. 30.34. Зависимость Др/р || для Nd от магнитной индукции при 7=4,2 К [17]
Рис. 30.32. Зависимости Др/р для монокристалла Mg от магнитной индукцни для направлений максимума (ср=90°) и минимума (ф=0°) угловой диаграммы (при T = =4,2 К) [24]; <р -угол поворота маг нитного поля в плос кости, перпендикуляр ной электрическом току через образец ось образца составля ет 65° с осью [0001] (см. п. 4, с. 738)
h
T
і
/
/ 4
/ / J V
/ Y
> S)
D 60 120 180 <f>, град
Рис. 30 33 Анизотропия Др/р для монокристалла Mo (а) Г25] (RRR=IOOO; 7=4,2 К; S= = 2,3 Тл; ф — угол поворота магнитного поля в плоскости, перпендикулярной электричес О 1 2 B1 кому току через образец. Ориентация кристалла 0=34°. Е = °3: 0 и | — полярный і азимутальные углы осей образца относительно главны осей кристалла) и зависимость Ар/р для Mo от магнит ной индукции (б) в направлениях минимума и максиму ма угловой диаграммы а (см. п. 3, с. 733)
Рис. 30.35. Полярная диаграмма Др/р для монокристалла Sn (а) [28] (Г=4,2 К; ? = 2,3 Тл; ф — угол поворота магнитного поля в плоскости, перпендикулярной электрическому току через образец, IJ_B, I|| [001]) и зависимость Др/р для Sn от магнитной индукции (б) в направлениях минимума (ф=0°) и максимума (ф=30°) полярной диаграммы а (см. п. 4, с. 738)
750 носительно главных осей кристалла) и зависимость Рис. 30.39. Полярная диаграмма для монокристалла Pb Др/р от магнитной индукции (б) в направлениях мини- (а) [28] (RRR=10 000; T=4,2 К; В=2,23 Тл; ц; — угол мума и максимума угловой диаграммы а (см. п. 2, с. 738) поворота магнитного поля в плоскости, перпендикуляр^
ной электрическому току через образец; ось кристалла параллельна оси [111]) и зависимость Др/р для Pb от магнитной индукции (б) в направлениях минимума (tp=0°) и максимума (ф=30°) полярной диаграммы а (см. п. 4, с. 738)
Рис. 30.37. Полярная диаграмма Др7р для монокристалла Pt [24] (RRR= 1900; ?=2,35 Тл; 7=4,2 К; ф —угол поворота магнитного поля в плоскости, перпендикулярной электрическому току через кристалл) и зависимость Др/р для Pt от магнитной индукции (б) в направлениях минимума и максимума полярной диаграммы а (см, п. 4, с. 738)
751 [110] Low]
-100 -so O 50 <p, град A1
P
і
1
/ У А
/ / у S)
0,5
1,0
1,5 В, Тл
Рис. 30.40. Анизотропия Ар/р для монокристалла Ag (а) [36] (RRR=IOOO; Т=4,2 К; В = 2,35 Тл; ф—угол поворота магнитного поля в плоскости, перпендикулярной электрическому току через образец, ось образца направлена по [001] с точностью ±5°) и зависимость Ар/р для Ag от магнитной индукции (б) в направлениях минимума (ф=0С) и максимума (ф=80°) угловой диаграммы а:
1 — отсчет по левой шкале ординат; 2 — по правой (см. п. 2, с. 738)
,1t J3 I (1 A \
P \ /1 \
/ V / \
/ V Л r J \ I
і \ 1
1 \
1 \ I I
-30 о 30 (р, граЗ
Рис. 30.42. Зависимость Др/р для монокристалла Zn от угла вращения магнитного поля [39] (RRR = 20 000; T= =4,2 К; B= 1,8 Тл; I Il [1120]) поперечное вращение В в плоскости (1120). В Il [1010] при 0 = 0° (см. п. 4, с. 738)
ZSO 300 350 Т, К
Рис. 30.43. Температурная зависимость Др/р для Gd [40J
при различных значениях \хоН
S)
20 <р, град
Рис. 30.41. Зависимость Др/р для монокристалла Tl от угла между направлением магнитного поля в базисной плоскости и осью [1010] кристалла (a) (T=4,2 К; B = = 13,4 Тл [37]) и от магнитной индукции (б) при T= =4,2 К в направлении х на рис. а (см. п. 4, с. 6)
Jjx0H1Tn
Рис. 30.44. Зависимость Др/р для Gd от при T= 205 К
752
л
Illc
В П Jb
а)
1J 0,5 1,0 1,5 MoHiT*
5) ^«CL»
І
В Il С JU.0H=1,SJn
j
/ Г
F 3 JZ
