Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
591 Таблица 25.31. Относительные коэффициенты вторичной нонной эмиссии наиболее распространенных металлов при бомбардировке ионами Ar+, He+ и O+ (энергия первичных ионов 8 кэВ, за эталон принято железо при бомбардировке нонами Ar+ [34], элементы расположены по латинскому алфавиту)
Продолокение табл. 25.31
Элемент Первичный ион І І Первичный иои
Ar+ Не+ С I Элемент Ar+ Не+ о+
Ag 0,108 0,07 0,135 Dy 1,88 2,84 23,1
Al 9,62 62,2 447 Er 4,'50 2,03 15,8
Au 0,012 0,025 0,051 Fe 1,00 0,872 15,8
Be 2,19 15,5 163 Gd 2,28 1,47 13,2
Bi 0,358 0,13 0,464 Hf 2,25 1,33 8,58
Cd 0,019 0,016 0,106 Но 2,88 3,03 21,4
Ce 0,40 0,773 14,7 In 1,50 30 53,8
Со 1,22 0,37 5,97 Y 2,87 8,4 51,2
Cr 1,01 2,95 41,6 Yb 1,05 2,8 25,2
Cu 0,262 0,235 1.26 La 0,49 0,725 12,8
Элемент Первичный ион І Первичный ион
Ar+ Не+ ч Ar+ Не+ о+
Lu 15,6 2,64 16.6 Sm 0,275 1,84 19,5
Mg 11,4 13,3 86 Sn 0,094 0,202 0,558
Mn 2,15 0,95 13,5 Та 0,186 0,853 5,43
Mo 0,385 1,86 25,2 Tb 7,00 3,63 23,8
Nb 1,16 4,05 35,6 Ti 1,56 7,14 127
Nd 4,13 1,11 17,8 Tu 1,68 6,7 22,1
Ni 0,98 0,415 4,42 V 2,75 13,1 200
Pb 0,086 1,08 1,22 W 0,187 0,447 5,83
Pd 0,042 0,033 1,55 Zn 0,034 0,107 0,918
Pt 0,112 0,013 0,0761 Zr 0,296 2,08 28,2
Pr 1,03 2,61 22,2
Re 0,65 2,14 20,5
Rh 0,89 0,556 24
Ru 0,76 0,724 20,6
Sc 7,75 31 205
25.32. Основные параметры вторичной ионной эмиссии карбидов [34] (бомбардировка первичными нонами Ar+ с энергией 8 кэВ, плотность потока первичных ионов Ю-8 А/см2)
Параметр TiC VC CrC2 ZrC NbC MoC HfC TaC WC
S 3,0 2,9 3,3 2,3 2,9 2,9 4,0 2,8 2,5
TfMe 21,0 24 14 2,7 6,7 1,9 1,3 0,82 0,52
Tfc 0,056 0,034 0,033 0,047 0,054 0,030 0,056 0,030 0,080
Рме 0.20 0,24 0,12 0,033 0,067 0,018 0,009 0,008 0,006
fc 0,007 0,005 0,004 0,008 0,007 0,004 0,005 0,004 0,012
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Добрецов JI. H., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. M.: Наука, 1966.
2. Фоменко В. С. Эмиссионные свойства материалов: Справочник. — 4-е изд. Киев: Наукова думка, 1981.
3. Michaelson Н. B.//J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48, No 11. Р. 4729—4733.
4. Электрические и эмиссионные свойства спла-вов/Е. М. Савнцкий, И. В. Буров, С. В. Пирогова. JI. Н. Литвак. M.: Наука, 1978.
. 5. Haas G. A., Shin A., Marrian С. R. К.//Appl. Surface Sei. 1983. Vol. 16, No 1—2. P. 139—162.
6. Ardenne M. Tabellen zur Angewandten Physik Auflag;. Berlin: VEB Verlag der Wissenschaften, 1962. Bd. 1.
7 Термоэлектронные катоды/Г. А. Кудинцева, А. И. Мельников, А. В. Морозов. Б. П. Никонов. M.: Энергия, 1966.
8. Futamoto M., Nakazawa M., Usami К. е- а.// J- Appl. Phys. 1980. Vol. 51, No 7. P. 3869—3876.
9. Houston J. M., Webster H. F.//Advances in Electronics and Electron Phys. 1962. Vol. 17. P. 125—206.
10. Lipeles R. A., Kan H. K. A.//Appl. Surface Sei. 1983. Vol. 16. No 1—2. P. 189—206.
11. Кульварская Б. С.//Радиотехника и электроника. 1970. Т. 15, № 8. С. 1717—1720.
12. Ннконов Б. П. Оксидный катод. M.: Энергия, 1979.
13 Soukup R. J.//J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48, No 3. Р. 1098—1100
14 Ашкинази JI. А., Соболева Н. А.//Итоги науки и техники. Сер Электроника. 1983. Т. 15. С. 154—216.
15. Соболева Н. А., Меламид А. Е. Фотоэлектронные приборы. M.: Высшая школа, 1974.
16. Соммер А. Фотоэмиссионные материалы. Пер. с англ. M.: Энергия, 1973.
17. Белл P. JI. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством: Пер. с англ. M.: Энергия, 1978.
18. Escher J. S.//Semicondiictors and Semimetals. 1981. Vol. 15. P. 195—300.
19. Escher J. S., Bell R. L., Gregory P. E. е. a.// IEEE Trans. Electron Devices. 1980. Vol. ED-27. P. 1244—1259.
20. Fischer D. G., Enstrom R. E., Escher J. E e. a.// J. Appl. Phys. 1972. Vol. 43, No 9. P. 3815—3823.
21. Howorth J. R., Folkes J. R., Palmer J. C.// J. Phys. D. Appl. Phys. 1976. Vol. 9, No 5. P. 785—794.
22. Бронштейн И. M., Фрайман Б. С. Вторичная электронная эмиссия. M.: Наука, 1969.
23. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел/Под ред. Л. Фирменса, Дж. Венника, В Декёйсе-ра: Пер. с англ. M.: Мир, 1981.
24. Гаванин В. А., Кутенин Ю. Д.//Итоги науки и техники. Сер. Электроника и ее применение. 1980. Т. 12. С. 43—81.
592 25. Martinelli R. U.//Appl. Phys. Lett. 1970. Vol. 17, No 8. P. 313—314.
26. Martinelli R. U., Schultz M. L., Gossenber-ger H. F.//J. Appl. Phys. 1972. Vol. 43, No 11. P. 4803— 4804.
27. Елинсон M. И., Васильев Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия. M.: Физматгиз, 1958.
28. Ненакаливаемые катоды /Под ред. М. И. Елин-сона. M.: Сов. радио, 1974.
29. Фишер Р., Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников: С дополнительным обзором Г. Н. Фу-рсея и О. И. Львова. M.: Наука, 1971.
30. Бугаев С. П., Литвинов Е. А., Месяц Г. А., Преображенский Д. И./'/Успехи физ. наук. 1975. Т. 115, № 1, С. 101—120.
31. Swanson L. W., Crouser L. C.//Phys. Rev 1967 Vol. 163, No 2. P. 622—631.
32. Кульварская Б. С., Кан X. С., Доценко В. Г./'/ Тез. докл. V Всесоюзн. симп. по сильноточной электронике. Томск: Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР, 1984. Ч, 1.
