Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
Эмиттер • при Ept ЭВ
300 I 600 I 1000
CuBe 2—4 4—6 7—12
CuAlMg 2—4 3-7 7—16
Cs3Sb 2—6 4-15 3—12
CsNa2KSb 3—5 7-11 10—19
GaP (поликристалл) -CsO 28 50 68
GaAs (пол ик ристал л) -CsO 26 42 65
Рис. 25.39. Зависимость коэффициента ВЭЭ от энергии первичных электронов для Cs3Sb и медно-бе-риллиевого сплава [15]
Таблица 25.22. Максимальные значения коэффициента ВЭЭ для эффективных эмиттеров [13]
CsNa2KSb Cs3Sb Cu-Be Ag-Mg
GaP (IOO) (монокристалл) — CsO
GaP (поликристалл) — CsO
GaAs(IOO)-CsO
Si (100) - CsO
GaAs0t5P0j5(IOO)-CsO
CsCl
CsI
CaF2
MgO
10 6-8 12 500 200 540 950 110 20
20-35 5
1,8 0,5 0,6 0,6 12 4 20 20 1,7 2
1,7-1,4 0,9
- -----------
/ v2 % Mg
- /J^ Al+0,75% Mg
- / AX+0,05% Mg
і I- „ t J,..,
Рис. 25.40. Зависимость коэффициента ВЭЭ от энергии первичных электронов для алюминий-магниевого и мед-но-магниевого сплавов [15]
585 6
WO -
300 - 1 /
100 J \ Z і і
D 4- 8 Ep, кзВ
Рис. 25.41. Зависимость коэффициента ВЭЭ от энергии первичных электронов для моио- (1) и поликристаллического (2) GaP—CsO-эмиттеров
Рис. 25.42. Зависимость коэффициента ВЭЭ для GaAs—CsO-эмиттеров от энергии первичных электронов «на отражение» (1) и «на прострел»
« 72 IB FotK3B (d=3-f-4 мкм) (2) [26]
Таблица 25.25. Энергия основных пиков оже-электронов E0i3 для различных элементов и относительная оже-чувствительность S [38]
Рис. 25.43. Зависимость коэффициента ВЭЭ от энергии первичных электронов для Si—CsO-эмиттеров «на отражение» (/) и «на поострел» (d=4-5 мкм) (2) [25]
Эмиссия оже-электронов (ЭОЭ). В спектрах вторичных электронов имеются узкие линии, соответствующие вторичным электронам, возникшим в результате оже-процесса, протекающего при бомбардировке тела первичными электронами, которые вышли из тела без рассеяния (табл. 25.25 и рис. 25.44—25.46). Этот процесс состоит в следующем. При возбуждении атома первичными электронами происходит переход электрона с какого-либо внутреннего уровня (например, К) в свободное состояние выше уровня вакуума. Освободившийся
Продолжение табл. 25.25
3Li
S1
„с
S
9f
IiNa
I2Mg 13АІ
I3Al J4Si
«Р
I6S
I7Cl
івАг
I9K
2оСа
21Sc
22Ti
23V
24Cr
25Мп
26Fe
27Со
28Ni
29Cu
»)Zn
3iGa
S2Ge
33As
MSe
ssBr
S7Rb
3sSr
39Y
K LL-переход 43 104 179 272 379 503 647 990 1180 1396 LMM-nepexod
92 120 152 181 215 252 291 340 418 473 529 589 703 775 848 920 994 1070 1147 1228 1315 1396 1565 1649 1746
0,14 0,15 0,2 0,3 0,5 0,48 0,22 0,11 0,05
0,24 0,35 0,55 0,8
0,8 0,5 0,35 0,45 0,45 0,32 0,23 0,21 0,27 0,26 0,22 0,17 0,13 0,1 0,08 0,065 0,05 0,03 0,025 0,02
Элемент Е0.э. эВ E* при Ep • 3 кэВ
MNN-nepexod
40Zr 147 0,22
4lMb 42Mo 167 0,26
186 0,33
44RU 273 0,5
4BRh 302 0,65
4ePd 330 0,8
4 7 ag 351 1
48Cd 376 1
49In 404 0,95
5oSn 430 0,8
BiSb 454 0,6
B2Te 483 0,45
b3I 511 0,32
B4Xe 532 —
56Cs 563 0,16
5eBa 584 0,12
b7La 625 0,09 0,065
b8Ce 661
b9Pr 669 0,05
e«Nd 730 0,04
e2Sm 814 0,028
e3Eu 858 0,026
T4Gd 895 0,024
5Tb 1073 0,024
eeDy 1126 0,024 0,024
67Ho 1175
esEr 1393 0,025
e9Tm 1449 0,027
1514 0,03
™Lu 1573 0,036
72Hf 1624 0,045
73Ta 1680 0,055
J4W 1736 0,05
75Re 1799 0,04
1908 0,027
1967 0,022
79Au 2024 0,019
80Hg 2078 —
586 dN/dE
aN/dE
Cs I Cs
a 100 200 300 E, і Рис. 25.44. Оже-спектр углерода [42]
dkr
Рис. 25.45. Оже-спектр кислорода (мишень MgO) [42]
Ш 500 600 Е.эВ
Рис. 25.46. Оже-спектр цезия (мишень CsI) [42]
уровень заполняется электроном с вышележащего уровня (например, L). Выделившаяся при этом энергия, которая приближенно равна Ek—El (где Ek и El — энергия связи электронов на уровнях К и L соответственно), испускается в виде рентгеновского кваита либо передается другому электрону, находящемуся на соседнем уровне. Такой процесс приводит к эмиссии из атома электрона с энергией Ekll, приближенно равной Ek — 2El. Кроме серии KLL интенсивны также оже-серии LMM, MNN и др.
Энергия оже-пика характеризует данный атом, поэтому анализ спектров оже-электроиов позволяет получить информацию о составе приповерхностной области твердого тела, откуда происходит ЭОЭ. Энергия оже-элект-ронов лежит в диапазоне 30—2000 эВ. Средняя длина свободного пробега электронов с такими же энергиями составляет 0,5—2 им, так что спектры оже-электронов отражают свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Амплитуда оже-пика пропорциональна концентрации атомов данного сорта на поверхности твердого тела и эффективности оже-переходов, которая характеризуется величиной, называемой оже-чувстви-тельностью. Она определяется числом вторичных оже-электроиов с данной энергией, испущенных данным элементом, в расчете на число первичных электронов и зависит от энергии первичных электронов. Анализ спектров оже-электроиов лежит в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС) — основного метода изучения состава поверхности твердых тел.
25.6. ПОЛЕВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
