Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
36*
579 Таблица 25.18. Энергия основных фотоэлектронных рентгеновских линий (энергия связи) химических элементов (ftv = 1486,6 эВ) и относительное сеченне фотоионизации для этих лнннй. Сечение фотоионизацни 1 s-линии натрия принято за единицу [37 , 39]
Продолокение табл. 25.31
Средняя Диапазон Относительное
Элемент энергия энергии сечение фото-
линии. эВ линии, эВ нонизации
Is-переход
56 _ 0,009
113 4 0,033
191 8 —
287 12 0,127
402 9 0,188
531 4 0,338
686 6 0,480
863 0 —
1072 2 1,000
1305 2
2р1/2-переход
74 I 4 I I 0,086
2 рз/2-переход
102 6 „
133 8 0,141
165 8 0,163
199 11 0,198
241 0 —
293 1 0,424
347 2 0,377
402 6 —
458 8 —
515 6 0,421
577 6 0,522
641 4 0,478
710 8 0,865
781 6 0,777
855 6 0,836
934 4 1,500
1022 2 0,135
1117 2 0,200
1219 4 0,210
1329 7 0,180
Sd5переход
57 8 0,239
69 7 0,262
88 0 —
110 1 0,284
133 _ 0,380
158 — 0,430
Средняя Диапазон Относительное
Элемент энергия энергии сечение фото-
линии, эВ линии, эВ ионизации
4„Zr 181 6 0,570
41 Nb 206 8 0,564
42Мо 230 6 —
4зТс 253 — —
44RU 282 4 0,846
«Rh 309 4 0,990
4ePd 337 5 0,894
47Ag 368 2 1,170
48Cd 405 2 1,410
49 In 445 3 1,880
5oSn 486 3 2,35
5lSb 530 4 2,81
5aTb 575 5 1,89
B3I 619 6 1,88
54Xe 672 4 —
bbCs 724 2 3,12
780 2 2,70
67 Г. a 834 — 1,00
5gCe 882 — 1,00
s9Pr 930 — 1,00
eoNd 980 — 1,51
elPm 1034 — —
eaSm 1083 — 1,21
езЕи 1136 — 1,24
Jfcd 1186 — 1,91
віть 1244 — —
>У 1295
4d - 5/2 переход
67Ho 161 0,119
esEr 169 — 0,237
69tm 180 — 0,189
185 — 0,282
7jLU 197 0,236
переход
72Hf 17 6 0,427
,sTa 25 8 0,660
74w 34 6 —•
bRe 43 6 0,885
t6Os 52 3 0,625
77Ir 62 4 0,860
,BPt 73 5 0,86
„Au 85 3 1,04
80Hg 100 2 1,14
8lTl 118 2 1,17
g2Pb 138 3 1,507
83ВІ 159 4 1,67
soTh 335 3 3,30
> 380 5 3,34
580 Рис. 25.27. Зависимость средней глубины выхода I электронов из твердых тел от энергии электронов [23]
Рис. 25.28. Фотоэлектронный рентгеновский спектр углерода (мишень —полиэтилен) 139]: по оси абсцисс отложена анергия связи электрона в атоме
Рис. 25.29, Фотоэлектронный рентгеновский спектр цезия (мишеиь — CsOH) [39]:
по оси абсцисс отложена энергия связи электрона в атоме
581 Рис. 25.30. Фотоэлектронный рентгеновский спектр кислорода (мишень — Al2O8) [39]:
по оси абсцисс отложена энергия связи
25.5. ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами.
Основные закономерности ВЭЭ. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными; электроны, эмитированные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмитироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ «на отражение»), так и — в тонкопленочиых эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ «иа прострел») Основной характеристикой вто-ричио-электронных эмиттеров является зависимость сг — коэффициента ВЭЭ от энергии Ep первичных электронов. Коэффициент ВЭЭ есть отношение числа электронов Ni, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов Ni: O=N2INi='
=IiJti Uk /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение о зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ep и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера.
В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов: истинно вторичные — электроны вещества, которые получили от первичного пучка энергию, достаточную для их выхода в вакуум, и отраженные (упруго и иеупруго) — часть первичного пучка, отраженная от тела. При малых Ep (Ep <10 эВ) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ep доля упруго отраженных электронов уменьшается и при ?»>0,1 кэВ дает лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно вторичные электроны имеют энергию от 0 примерно до 50 эВ. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эВ. Неупруго отраженными условно принято считать вторичные электроны, энергия которых превышает 50 эВ. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов называется коэффициентом неупругого отражения n=JV2 (?„> >50 эВ)/#, (в N2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на значение ті не сказывается).
ВЭЭ из металлов и полупроводников. В металлах и полупроводниках максимальное значение Om обычно лежит в пределах 0,5—1,8 (табл. 25.19—25.21 и рис. 25.31—25.38). В некоторых диэлектриках (щелочио-галоидиые кристаллы, MgO) Gm значительно больше (10—35). Это обусловлено большой глубиной выхода вторичных электронов из этих материалов (20—100 им). Наличие в диэлектрике сильного электрического поля, направленного от эмитирующей поверхности в глубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны), приводит к значительному увеличению о. Сильное поле обычно создается электронной бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика иа проводящей подложке при такой , энергии Ep, что о>1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент: малоииерциоииой (эта часть называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность менее 10 '6 с) и самоподдерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя
